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1. WO2020164438 - PANNEAU D'ÉCRAN TACTILE ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE

Document

说明书

发明名称 0001   0002   0003   0004   0005   0006   0007   0008   0009   0010   0011   0012   0013   0014   0015   0016   0017   0018   0019   0020   0021   0022   0023   0024   0025   0026   0027   0028   0029   0030   0031   0032   0033   0034   0035   0036   0037   0038   0039   0040   0041   0042   0043   0044   0045   0046   0047   0048   0049   0050   0051   0052   0053   0054   0055   0056   0057   0058   0059   0060   0061   0062   0063   0064   0065   0066   0067   0068   0069   0070   0071   0072   0073   0074   0075   0076   0077   0078   0079   0080   0081   0082   0083   0084   0085   0086   0087   0088   0089   0090   0091   0092   0093   0094   0095   0096   0097   0098   0099   0100   0101   0102   0103   0104   0105   0106   0107  

权利要求书

1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11   12  

附图

1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11   12   13  

说明书

发明名称 : 触控显示面板和显示装置

[0001]
相关申请的交叉引用
[0002]
本申请要求于2019年2月14日提交的中国专利申请第201920200963.4号的优先权,该申请的公开通过引用被全部合并于此。

技术领域

[0003]
本公开涉及触控显示面板和显示装置。

背景技术

[0004]
目前,内嵌式触摸屏因其具有结构简单、响应速度快以及灵敏度高等优点而获得了越来越广泛的应用,特别是在便携式移动设备等对体积要求较严格的场合中。为了进一步缩小便携设备的尺寸,现有技术中一般利用触控操作区域内的公共电极层分割成的多个小区块来形成触摸电极矩阵。
[0005]
在自电容内嵌式触摸屏的测试结构中,设置了多条测试信号线、奇型触摸电极和偶型触摸电极,其中,测试信号线用于在测试过程中分别向相对应的薄膜晶体管提供不同测试电压值,一部分测试信号线为奇型触控电极提供较高测试电压值(例如,较高测试电压值为5V),另一部分测试信号线为偶型触控电极提供较低测试电压值(例如,较低测试电压值为1V),从而调整不同测试信号线间的电压差,明显区分明暗区域。由于触摸电极是显示区域的公共电极,对触摸电极施以电压可改变对应显示区域液晶偏转状态进而改变该区域的透光率,施以电压值越高对应显示区域亮度越高,施以较低电压值则相反,显示区域分为对比鲜明的较暗显示区与较亮显示区以供检测,根据图案即可判断短路/断路等不良。
[0006]
发明内容
[0007]
本公开主要提供如下技术方案:
[0008]
在第一方面中,本公开提供了一种触控显示面板,包括衬底基板,位于所述衬底基板上方的若干第一触控电极、若干第二触控电极、若干第一引线、若干第二引线、若干第一数据线和若干第二数据线,每一所述第一引线连接一所述第一触控电极,每一所述第二引线连接一所述第二触控电极,所述衬底基板包括显示区和非显示区,其 中,触控显示面板还包括:位于所述非显示区的若干第一触控测试开关、若干第二触控测试开关、第一测试信号线、第二测试信号线、一条或两条测试控制栅线、若干第一数据测试开关、若干第二数据测试开关;
[0009]
其中,所述第一引线和所述第一数据线共用所述第一测试信号线,所述第二引线和所述第二数据线共用所述第二测试信号线;以及
[0010]
用于控制所述第一引线的所述第一触控测试开关和用于控制所述第一数据线的所述第一数据测试开关不同时接通,用于控制所述第二引线的所述第二触控测试开关和用于控制所述第二数据线的所述第二数据测试开关不同时接通。
[0011]
根据本公开的一些实施例,在所述触控显示面板包括两条测试控制栅线的情况下,所述两条测试控制栅线包括第一测试控制栅线和第二测试控制栅线;
[0012]
所述第一触控测试开关的第一端电连接至所述第一引线,所述第一触控测试开关的第二端电连接至所述第一测试信号线,所述第一触控测试开关的控制端电连接至所述第一测试控制栅线;
[0013]
所述第二触控测试开关的第一端电连接至所述第二引线,所述第二触控测试开关的第二端电连接至所述第二测试信号线,所述第二触控测试开关的控制端电连接至所述第一测试控制栅线;
[0014]
所述第一数据测试开关的第一端电连接至所述第一数据线,所述第一数据测试开关的第二端电连接至所述第一测试信号线,所述第一数据测试开关的控制端电连接至所述第二测试控制栅线;
[0015]
所述第二数据测试开关的第一端电连接至所述第二数据线,所述第二数据测试开关的第二端电连接至所述第二测试信号线,所述第二数据测试开关的控制端电连接至所述第二测试控制栅线。
[0016]
根据本公开的一些实施例,所述第一触控电极和所述第二触控电极沿第一方向交替设置,所述第一触控电极和所述第二触控电极沿垂直于所述第一方向的第二方向交替设置。
[0017]
根据本公开的一些实施例,所述显示区包括分块设置的若干公共电极,以及阵列排列的若干亚像素单元,每一所述亚像素单元包括一薄膜晶体管;
[0018]
所述第一触控电极复用部分所述公共电极,所述第二触控电极复用其余部分所述公共电极。
[0019]
根据本公开的一些实施例,所述第一触控测试开关、所述第二触控测试开关、所 述第一数据测试开关和所述第二数据测试开关的栅极与所述薄膜晶体管的栅极位于同一层;
[0020]
所述第一触控测试开关、所述第二触控测试开关、所述第一数据测试开关和所述第二数据测试开关的源极与所述薄膜晶体管的源极位于同一层;
[0021]
所述第一触控测试开关、所述第二触控测试开关、所述第一数据测试开关和所述第二数据测试开关的漏极与所述薄膜晶体管的漏极位于同一层。
[0022]
根据本公开的一些实施例,所述触控显示面板包括一条测试控制栅线;
[0023]
所述第一触控测试开关的第一端电连接至所述第一引线,所述第一触控测试开关的第二端电连接至所述第一测试信号线,所述第一触控测试开关的控制端电连接至所述测试控制栅线;
[0024]
所述第二触控测试开关的第一端电连接至所述第二引线,所述第二触控测试开关的第二端电连接至所述第二测试信号线,所述第二触控测试开关的控制端电连接至所述测试控制栅线;
[0025]
所述第一数据测试开关的第一端电连接至所述第一数据线,所述第一数据测试开关的第二端电连接至所述第一测试信号线,所述第一数据测试开关的控制端电连接至所述测试控制栅线;
[0026]
所述第二数据测试开关的第一端电连接至所述第二数据线,所述第二数据测试开关的第二端电连接至所述第二测试信号线,所述第二数据测试开关的控制端电连接至所述测试控制栅线;
[0027]
所述第一触控测试开关和所述第二触控测试开关在所述测试控制栅线的控制下导通时,所述第一数据测试开关和所述第二数据测试开关在所述测试控制栅线的控制下闭合;或,所述第一触控测试开关和所述第二触控测试开关在所述测试控制栅线的控制下闭合时,所述第一数据测试开关和所述第二数据测试开关在所述测试控制栅线的控制下导通。
[0028]
根据本公开的一些实施例,所述第一触控测试开关和所述第二触控测试开关为N型薄膜晶体管,所述第一数据测试开关和所述第二数据测试开关为P型薄膜晶体管;或者
[0029]
所述第一触控测试开关和所述第二触控测试开关为P型薄膜晶体管,所述第一数据测试开关和所述第二数据测试开关为N型薄膜晶体管。
[0030]
根据本公开的一些实施例,所述触控显示面板还包括:若干第一辅助触控测试开 关、若干第二辅助触控测试开关、辅助测试控制栅线、若干第一辅助数据测试开关、以及若干第二辅助数据测试开关,其中,
[0031]
所述第一辅助触控测试开关、所述第二辅助触控测试开关、所述第一辅助数据测试开关和所述第二辅助数据测试开关的控制端电连接至所述辅助测试控制栅线;
[0032]
所述第一辅助触控测试开关与所述第一触控测试开关串联连接,串联连接后的所述第一辅助触控测试开关和所述第一触控测试开关的第一端电连接至所述第一引线,串联连接后的所述第一辅助触控测试开关和所述第一触控测试开关的第二端电连接至所述第一测试信号线;
[0033]
所述第二辅助触控测试开关与所述第二触控测试开关串联连接,串联连接后的所述第二辅助触控测试开关和所述第二触控测试开关的第一端电连接至所述第二引线,串联连接后的所述第二辅助触控测试开关和所述第二触控测试开关的第二端电连接至所述第二测试信号线;
[0034]
所述第一辅助数据测试开关与所述第一数据测试开关串联连接,串联连接后的所述第一辅助数据测试开关和所述第一数据测试开关的第一端电连接至所述第一数据线,串联连接后的所述第一辅助数据测试开关和所述第一数据测试开关的第二端电连接至所述第一测试信号线;
[0035]
所述第二辅助数据测试开关与所述第二数据测试开关串联连接,串联连接后的所述第二辅助数据测试开关和所述第二数据测试开关的第一端电连接至所述第二数据线,串联连接后的所述第二辅助数据测试开关和所述第二数据测试开关的第二端电连接至所述第二测试信号线。
[0036]
根据本公开的一些实施例,所述第一触控电极和所述第二触控电极沿第一方向交替设置,所述第一触控电极和所述第二触控电极沿垂直于所述第一方向的第二方向交替设置。
[0037]
根据本公开的一些实施例,所述显示区包括分块设置的若干公共电极,以及若干阵列排列的亚像素单元,每一所述亚像素单元包括一薄膜晶体管;
[0038]
所述第一触控电极复用部分所述公共电极,所述第二触控电极复用其余部分所述公共电极。
[0039]
根据本公开的一些实施例,所述第一触控测试开关、所述第二触控测试开关、所述第一数据测试开关和所述第二数据测试开关的栅极与所述薄膜晶体管的栅极位于同一层;
[0040]
所述第一触控测试开关、所述第二触控测试开关、所述第一数据测试开关和所述第二数据测试开关的源极与所述薄膜晶体管的源极位于同一层;
[0041]
所述第一触控测试开关、所述第二触控测试开关、所述第一数据测试开关和所述第二数据测试开关的漏极与所述薄膜晶体管的漏极位于同一层。
[0042]
在第二方面中,本公开提供了一种显示装置,包括:第一方面所述的触控显示面板。
[0043]
上述说明仅是本公开中的技术方案的概述,为了能够更清楚了解本公开的技术手段,而可依照说明书的内容予以实施,并且为了让本公开的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂,以下特举本公开的具体实施方式。

附图说明

[0044]
通过阅读下文可选实施方式的详细描述,各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出可选实施方式的目的,而并不认为是对本公开的限制。而且在整个附图中,用相同的参考符号表示相同的部件。在附图中:
[0045]
图1为相关技术中触控显示面板中奇型触控电极和偶型触控电极的结构示意图;
[0046]
图2为相关技术中触控显示面板中测试电路的结构示意图;
[0047]
图3为本公开实施例的触控显示面板中的测试电路图;
[0048]
图4为本公开实施例的触控显示面板中的测试电路图;
[0049]
图5为本公开实施例的触控显示面板中的测试电路图;
[0050]
图6为在绝缘基板上制作缓冲层、多晶硅存储电容层和有源层的结构示意图;
[0051]
图7为在图6的基板上制作光刻胶的结构示意图;
[0052]
图8为在图7的基板上制作栅极绝缘层和栅极的结构示意图;
[0053]
图9为在图8的基板上制作层间绝缘层的结构示意图;
[0054]
图10为在图9的基板上制作源极和漏极的结构示意图;
[0055]
图11为在图10的基板上制作钝化层和平坦化层的结构示意图;
[0056]
图12为在图11的基板上制作像素电极的结构示意图;
[0057]
图13为在图12的基板上制作像素定义层的结构示意图。

具体实施方式

[0058]
下面将参照附图更详细地描述本公开的示例性实施例。虽然附图中显示了本公开 的示例性实施例,然而应当理解,可以以各种形式实现本公开而不应被这里阐述的实施例所限制。相反,提供这些实施例是为了能够更透彻地理解本公开,并且能够将本公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。
[0059]
申请人发现,在同时进行触控测试和数据测试时,分别需要使用两条不同的测试信号线和两条不同的测试控制线来进行测试,在非显示区外占据了较大的布线空间,不利于窄边框的设计。
[0060]
有鉴于此,本公开提供一种触控显示面板和显示装置,解决现有技术中非显示区域的布线空间大,无法实现窄边框的问题。
[0061]
借由本公开中的技术方案,本公开提供的技术方案至少具有下列优点:
[0062]
由于本公开在非显示区设置了若干第一触控测试开关、第二触控测试开关、第一数据测试开关和第二数据测试开关,且第一触控测试开关和第二触控测试开关共用同一第一测试控制栅线,第一数据测试开关和第二数据测试开关共用同一第二测试控制栅线,第一触控测试开关和第一数据测试开关共用同一第一测试信号线,第二触控测试开关和第二数据测试开关共用同一第二测试信号线,因此,能够节省布线空间,实现窄边框的技术目的;另外,上述结构还减少了输入信号,降低功耗。
[0063]
图1和图2示出了相关技术中触控显示面板中触控测试电路的结构示意图。如图1和图2所示,触控显示面板包括彼此交替设置的第一触控电极1(也称奇型触控电极)和第二触控电极2(也称偶型触控电极),第一触控电极1和第二触控电极2复用触控显示面板的公共电极,并且每个第一触控电极1和第二触控电极2均连接有触控电极引线3。
[0064]
如图1和图2所示,在触控测试中,向第一触控电极1提供较高测试电压值,同时向第二触控电极2提供较低测试电压值,调整触控电极引线3的电压差,明显区分明暗区域。例如,向第二触控电极2提供较低测试电压值的电压值为1V,向第一触控电极1提供较高测试电压值的电压值为5V。由于第一触控电极1和第二触摸电极2是显示区域的公共电极,对触摸电极施以电压可改变对应显示区域液晶状态,进而可改变该区域的透光率。例如,根据不同的设计要求,施以电压值越高则对应显示区域亮度越高,施以较低电压值则对应显示区域亮度越低;或者,施以电压值越高对应显示区域亮度越低,施以较低电压值则对应显示区域亮度越高。显示区域分为对比鲜明的较暗区与较亮区以供检测。根据图案即可判断短路,以及断路等不良。
[0065]
但是,本申请的发明人发现,现有技术当同时对显示面板进行触控测试和数据线 测试时,需要分别使用两条不同的测试信号线和两条不同的测试控制线,在非显示区占据较大的布线空间,不利于窄边框的设计。
[0066]
为了解决上述技术问题,本公开实施例提供了一种触控显示面板。为了方便描述,以下实施例中的部分附图标记与图1和图2中的部分附图标记相同。
[0067]
如图3所示,本实施例中的触控显示面板包括衬底基板200,位于衬底基板200上方的若干第一触控电极1、若干第二触控电极2、若干第一引线31、若干第二引线32、若干第一数据线9和若干第二数据线10,每一第一引线31连接一第一触控电极1,每一第二引线32连接一第二触控电极2,衬底基板200包括显示区201和非显示区202,显示区201和非显示区202的设置与现有技术相同,这里不再赘述。
[0068]
如图3所示,该触控显示面板还包括:位于非显示区202的若干第一触控测试开关4、若干第二触控测试开关5、第一测试信号线6、第二测试信号线7、第一测试控制栅线8、第二测试控制栅线13、若干第一数据测试开关11、若干第二数据测试开关12。例如,第一引线31和第一数据线9共用第一测试信号线6,第二引线32和第二数据线10共用第二测试信号线7;以及用于控制第一引线31的第一触控测试开关4和用于控制第一数据线9的第一数据测试开关11不同时接通,用于控制第二引线32的第二触控测试开关5和用于控制第二数据线10的第二数据测试开关12不同时接通。
[0069]
例如,第一触控测试开关4的第一端电连接至第一引线31,第二端电连接至第一测试信号线6,控制端电连接至第一测试控制栅线8。第二触控测试开关5的第一端电连接至第二引线32,第二端电连接至第二测试信号线7,控制端电连接至第一测试控制栅线8。第一数据测试开关11的第一端电连接至第一数据线9,第二端电连接至第一测试信号线6,控制端电连接至第二测试控制栅线13。第二数据测试开关12的第一端电连接至第二数据线10,第二端电连接至第二测试信号线7,控制端电连接至第二测试控制栅线13。
[0070]
由于本实施例在非显示区设置了若干第一触控测试开关、第二触控测试开关、第一数据测试开关和第二数据测试开关,且第一触控测试开关和第二触控测试开关共用同一第一测试控制栅线,第一数据测试开关和第二数据测试开关共用同一第二测试控制栅线,第一触控测试开关和第一数据测试开关共用同一第一测试信号线,第二触控测试开关和第二数据测试开关共用同一第二测试信号线,因此,能够节省布线空间,实现窄边框的技术目的;另外,上述结构还减少了输入信号,降低功耗。
[0071]
在本实施例中,第一触控测试开关4和第二触控测试开关5为N型薄膜晶体管; 第一数据测试开关11和第二数据测试开关12为P型薄膜晶体管,当第一测试控制栅线8输入的电压信号为0V时,第一触控测试开关4和第二触控测试开关5全关断。当第二测试控制栅线13输入的电压信号为0V时,第一数据测试开关11和第二数据测试开关12全关断。在一个实施例中,当第一测试控制栅线8输入的电压信号为5V时,打开第一触控测试开关4和第二触控测试开关5;当第一测试控制栅线8输入的电压信号为-5V时,关断第一触控测试开关4和第二触控测试开关5。在另一个实施例中,当第二测试控制栅线13输入的电压信号为-5V时,打开第一数据测试开关11和第二数据测试开关12;当第二测试控制栅线13输入的电压信号为5V时,关断第一数据测试开关11和第二数据测试开关12。
[0072]
用于检测触控的第一触控测试开关4和第二触控测试开关5以及用于检测数据线的第一数据测试开关11和第二数据测试开关12可以任意选择P型薄膜晶体管和N型薄膜晶体管,降低了制造成本和难度。
[0073]
根据本公开的一些实施例,第一触控电极1和第二触控电极2沿第一方向交替设置,第一触控电极1和第二触控电极2还沿垂直于第一方向的第二方向交替设置。具体地,第一方向可以为水平方向,第二方向可以为竖直方向;或者第一方向可以为竖直方向,第二方向可以为水平方向。
[0074]
由于第一触控电极1和第二触控电极2沿不同方向交替设置,当对第一触控电极1和第二触控电极2施加不同的电压时,能够对显示面板进行触控检测。
[0075]
根据本公开的一些实施例,显示区包括分块设置的若干公共电极,以及阵列排列的若干亚像素单元(图中未示出),每一亚像素单元包括一薄膜晶体管(图中未示出)。第一触控电极复用部分公共电极,第二触控电极复用其余部分公共电极。
[0076]
根据本公开的一些实施例,第一触控测试开关4、第二触控测试开关5、第一数据测试开关11和第二数据测试开关12的栅极与亚像素单元包括的薄膜晶体管的栅极位于同一层。第一触控测试开关4、第二触控测试开关5、第一数据测试开关11和第二数据测试开关12的源极与亚像素单元包括的薄膜晶体管的源极位于同一层。并且,第一触控测试开关4、第二触控测试开关5、第一数据测试开关11和第二数据测试开关12的漏极与亚像素单元包括的薄膜晶体管的漏极位于同一层,这样能够节省生产成本。
[0077]
基于同一构思,图4还公开了本公开的另一种触控显示面板,包括衬底基板200, 位于衬底基板200上方的若干第一触控电极1、若干第二触控电极2、若干第一引线31、若干第二引线32、若干第一数据线9和若干第二数据线10,每一第一引线31连接一第一触控电极1,每一第二引线32连接一第二触控电极2,衬底基板200包括显示区201和非显示区202,显示区201和非显示区202的设置与现有技术相同,这里不再赘述。
[0078]
如图4所示,该触控显示面板还包括:位于非显示区202的若干第一触控测试开关4、若干第二触控测试开关5、第一测试信号线6、第二测试信号线7、一条测试控制栅线15、若干第一数据测试开关11和若干第二数据测试开关12。例如,第一引线31和第一数据线9共用第一测试信号线6,第二引线32和第二数据线10共用第二测试信号线7;以及用于控制第一引线31的第一触控测试开关4和用于控制第一数据线9的第一数据测试开关11不同时接通,用于控制第二引线32的第二触控测试开关5和用于控制第二数据线10的第二数据测试开关12不同时接通。
[0079]
例如,第一触控测试开关4的第一端电连接至第一引线31,第二端电连接至第一测试信号线6,控制端电连接至测试控制栅线15。第二触控测试开关5的第一端电连接至第二引线32,第二端电连接至第二测试信号线7,控制端电连接至测试控制栅线15。第一数据测试开关11的第一端电连接至第一数据线9,第二端电连接至第一测试信号线6,控制端电连接至测试控制栅线15。第二数据测试开关12的第一端电连接至第二数据线10,第二端电连接至第二测试信号线7,控制端电连接至测试控制栅线15。
[0080]
并且,第一触控测试开关4和第二触控测试开关5在测试控制栅线15的控制下导通时,第一数据测试开关11和第二数据测试开关12在测试控制栅线15的控制下闭合;或,第一触控测试开关4和第二触控测试开关5在测试控制栅线15的控制下闭合时,第一数据测试开关11和第二数据测试开关12在测试控制栅线15的控制下导通。
[0081]
根据本公开的一些实施例,第一触控测试开关4和第二触控测试开关5为N型薄膜晶体管,第一数据测试开关11和第二数据测试开关12为P型薄膜晶体管。在另一个实施例中,第一触控测试开关4和第二触控测试开关5为P型薄膜晶体管,第一数据测试开关11和第二数据测试开关12为N型薄膜晶体管。
[0082]
如图4所示,第一触控测试开关4和第二触控测试开关5为N型薄膜晶体管;第一数据测试开关11和第二数据测试开关12为P型薄膜晶体管,当测试控制栅线15 输入的电压信号为0V时,第一触控测试开关4、第二触控测试开关5全关断、第一数据测试开关11和第二数据测试开关12全关断。当测试控制栅线15输入的电压信号为5V时,打开第一触控测试开关4和第二触控测试开关5;当测试控制栅线15输入的电压信号为-5V时,关断第一触控测试开关4和第二触控测试开关5。当测试控制栅线15输入的电压信号为-5V时,打开第一数据测试开关11和第二数据测试开关12;当测试控制栅线15输入的电压信号为5V时,关断第一数据测试开关11和第二数据测试开关12。
[0083]
根据本公开的一些实施例,如图5所示,本公开实施例的触控显示面板还包括:若干第一辅助触控测试开关41、若干第二辅助触控测试开关51、辅助测试控制栅线14、若干第一辅助数据测试开关111和若干第二辅助数据测试开关121。第一辅助触控测试开关41、第二辅助触控测试开关51、第一辅助数据测试开关111和第二辅助数据测试开关121的控制端电连接至辅助测试控制栅线14。第一辅助触控测试开关41与第一触控测试开关4串联连接,串联连接后的第一端电连接至第一引线31,第二端电连接至第一测试信号线6。第二辅助触控测试开关51与第二触控测试开关5串联连接,串联连接后的第一端电连接至第二引线32,第二端电连接至第二测试信号线7。第一辅助数据测试开关111与第一数据测试开关11串联连接,串联连接后的第一端电连接至第一数据线9,第二端电连接至第一测试信号线6。第二辅助数据测试开关121与第二数据测试开关12串联连接,串联连接后的第一端电连接至第二数据线10,第二端电连接至第二测试信号线7。
[0084]
图5中,第一触控测试开关4串联一第一辅助触控测试开关41,第二触控测试开关5串联一第二辅助触控测试开关51,第一数据测试开关11串联一第一辅助数据测试开关111,第二数据测试开关12串联一第二辅助数据测试开关121,第一辅助触控测试开关41、第二辅助触控测试开关51、第一辅助数据测试开关111和第二辅助数据测试开关121可以是N型薄膜晶体管,也可以是P型薄膜晶体管,辅助测试控制栅线14用于在不测试时完全关断第一辅助触控测试开关41、第二辅助触控测试开关51、第一辅助数据测试开关111和第二辅助数据测试开关121,防止漏电流增大。即N型薄膜晶体管的辅助测试控制栅线信号是-5V时完全关断,而P型薄膜晶体管的辅助测试控制栅线信号是5V时完全关断,相对于测试控制栅线的0V关断电压同时关断N型薄膜晶体管和P型薄膜晶体管,具有更低的漏电流。
[0085]
由于显示面板中还设置了辅助测试控制栅线14,用于在不测试时完全关断第一辅 助触控测试开关41、第二辅助触控测试开关51、第一辅助数据测试开关111和第二辅助数据测试开关121,防止漏电流增大。
[0086]
在一个实施例中,第一辅助触控测试开关41、第二辅助触控测试开关51、第一辅助数据测试开关111和第二辅助数据测试开关121为N型薄膜晶体管。或者在另一个实施例中,第一辅助触控测试开关41、第二辅助触控测试开关51、第一辅助数据测试开关111和第二辅助数据测试开关121为P型薄膜晶体管。
[0087]
根据本公开的一些实施例,第一触控电极1和第二触控电极2沿第一方向交替设置,第一触控电极1和第二触控电极2还沿垂直于第一方向的第二方向交替设置。具体地,第一方向可以为水平方向,第二方向可以为竖直方向;或者第一方向可以为竖直方向,第二方向可以为水平方向。
[0088]
由于第一触控电极1和第二触控电极2沿不同方向交替设置,能够对第一触控电极1和第二触控电极2施加不同的电压,从而能够对显示面板进行触控检测。
[0089]
根据本公开的一些实施例,显示区包括分块设置的若干公共电极,以及阵列排列的若干亚像素单元(图中未示出),每一亚像素单元包括一薄膜晶体管(图中未示出)。第一触控电极1复用部分公共电极,第二触控电极2复用其余部分公共电极。
[0090]
根据本公开的一些实施例,第一触控测试开关4、第二触控测试开关5、第一数据测试开关11和第二数据测试开关12的栅极与亚像素单元包括的薄膜晶体管的栅极位于同一层。第一触控测试开关4、第二触控测试开关5、第一数据测试开关11和第二数据测试开关12的源极与亚像素单元包括的薄膜晶体管的源极位于同一层。在另一个实施例中,第一触控测试开关4、第二触控测试开关5、第一数据测试开关11和第二数据测试开关12的漏极与亚像素单元包括的薄膜晶体管的漏极位于同一层,这样能够节省生产成本。
[0091]
基于同一构思,在第二方面中,本公开实施例提供了一种显示装置,包括:第一方面的触控显示面板。由于第二方面中的显示装置包括了第一方面中的触控显示面板,使得显示装置具有与触控显示面板类似的有益效果,因此不再重复赘述。
[0092]
以下通过图6至图12来更清楚地描述本公开实施例的触控显示面板。
[0093]
例如,如图6所示,首先,通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD),在整个绝缘基板100上依次沉积氮化硅(SiN)薄膜和二氧化硅(SiO2)薄膜,形成氮化硅和二氧化 硅构成的缓冲层101。绝缘基板100可以是玻璃,或PI等柔性基板。接着,利用PECVD或者其它化学或物理气相沉积方法在缓冲层101上形成非晶硅(a-Si)薄膜。通过激光退火(ELA)或者固相结晶(SPC)方法,使得a-Si结晶成为多晶硅薄膜。然后采用传统掩模工艺在多晶硅薄膜上形成光刻胶层的图案,以光刻胶层为刻蚀阻挡层,通过等离子体刻蚀没有被光刻胶层保护的多晶硅薄膜,形成多晶硅的有源层103和多晶硅存储电容层102。利用离子注入工艺对有源层103中的晶体管沟道进行低浓度离子掺杂,在有源层103中形成薄膜晶体管要求的导电沟道。
[0094]
如图7所示,通过掩模工艺在有源层103上形成光阻材料组成的光刻胶104,以保护有源层103不被离子注入。对没有光刻胶104保护的多晶硅存储电容层102进行高浓度离子注入工艺,将多晶硅存储电容层102转化为低电阻的掺杂多晶硅薄膜。在图8至图13所示的后续工艺过程中,由于只在多晶硅存储电容层102上形成栅极绝缘层和栅极金属薄膜构成的电容的第二极板,因此在图8至图13中不再显示多晶硅存储电容层102后续仅有的一次光刻工艺,即形成电容的第二极板的光刻工艺。
[0095]
如图8所示,通过光刻胶剥离工艺去除有源层103上的光刻胶104,使用PECVD沉积SiO2薄膜或SiO2与SiN的复合薄膜,可以在多晶硅存储电容层102、有源层103以及整个缓冲层101上形成栅极绝缘层105。
[0096]
如图9所示,通过磁控溅射等物理气相沉积方法在栅极绝缘层105上沉积一种或者多种低电阻的金属材料薄膜,利用光刻工艺形成栅极106。该栅金属薄膜可以是Al、Cu、Mo、Ti或AlNd等单层金属薄膜,也可以是Mo/Al/Mo或Ti/Al/Ti等多层金属薄膜。使用栅极106作为离子注入阻挡层,对有源层103进行离子掺杂,在未被栅极阻挡的有源层103区域形成低阻抗的源极和漏极电极接触区。
[0097]
如图9所示,在包含栅极106的整个表面,使用PECVD依次沉积SiO2薄膜和SiN薄膜形成层间绝缘层107,通过掩模和刻蚀工艺刻蚀层间绝缘层107而形成源电极和漏电极接触孔。
[0098]
如图10所示,使用磁控溅射在层间绝缘层107及源极和漏极接触孔上沉积一种或多种低电阻的金属薄膜,通过掩模和刻蚀工艺形成源极108和漏极113,源极108和漏极113通过接触孔与有源层103形成欧姆接触。使用快速热退火或热处理炉退火,激活有源层103中掺杂的离子,在栅极106之下的有源层103中形成有效的导电沟道。该源漏金属薄膜可以是Al、Cu、Mo、Ti或AlNd等单层金属薄膜,也可以是Mo/Al/Mo或Ti/Al/Ti等多层金属薄膜。
[0099]
如图11所示,使用PECVD在包含源极108和漏极113的整个表面沉积一层SiN薄膜,通过掩模和刻蚀工艺形成包含过孔的钝化层109。使用快速热退火或热处理炉退火进行氢化工艺,修复有源层103内部和界面的缺陷。再一次通过掩模工艺,在SiN钝化层109之上形成具有与过孔相同的过孔的有机平坦化层110,填充器件表面的低凹形成平坦表面。
[0100]
如图12所示,使用磁控溅射在有机平坦化层110和过孔之上沉积一层透明导电薄膜,通过光刻工艺刻蚀该透明导电薄膜,在过孔及部分平坦化层110之上形成像素区域的像素电极112,该透明导电薄膜可以是单层的氧化物导电薄膜,如ITO(氧化铟锡)或IZO(氧化铟锌)等,也可以是ITO(氧化铟锡)/Ag/ITO、IZO(氧化铟锌)/Ag等复合薄膜。
[0101]
然后在平坦化层110及像素电极112上涂覆一层与平坦化层110类似的光敏有机材料,通过最后一道掩模工艺暴露出像素电极112的部分区域,形成图13中所示的像素定义层116。像素定义层116覆盖平坦化层110及部分的像素电极112区域。
[0102]
表1分别示出了本实施例中触控显示面板中主要涂层的材料以及相应的厚度,但是,对于本领域技术人员而言,可以根据实际需要选择其他合适的材料和厚度。
[0103]
[表0001]
涂层 材料 厚度(埃)
绝缘基板 PI 90000
缓冲层 SiNx/SiOx 5000
栅极绝缘层 SiOx 1200
栅极 Mo 2500
层间绝缘层 SiNx/SiOx 4500
源漏极 Ti/Al/Ti 8000
钝化层 SiNx 2500
平坦化层 PI 12000
像素电极 ITO/Ag/ITO 1000

[0104]
表1
[0105]
应用本公开实施例所获得的有益效果包括:
[0106]
由于本实施例在非显示区设置了若干第一触控测试开关、第二触控测试开关、第 一数据测试开关和第二数据测试开关,且第一触控测试开关和第二触控测试开关共用同一第一测试控制栅线,第一数据测试开关和第二数据测试开关共用同一第二测试控制栅线,第一触控测试开关和第一数据测试开关共用同一第一测试信号线,第二触控测试开关和第二数据测试开关共用同一第二测试信号线,因此,能够节省布线空间,实现窄边框的技术目的;另外,上述结构还减少了输入信号,降低功耗。
[0107]
以上仅是本公开的部分实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本公开的原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本公开的保护范围。

权利要求书

[权利要求 1]
一种触控显示面板,包括衬底基板,位于所述衬底基板上方的若干第一触控电极、若干第二触控电极、若干第一引线、若干第二引线、若干第一数据线和若干第二数据线,每一所述第一引线连接一所述第一触控电极,每一所述第二引线连接一所述第二触控电极,所述衬底基板包括显示区和非显示区,其中,所述触控显示面板还包括:位于所述非显示区的若干第一触控测试开关、若干第二触控测试开关、第一测试信号线、第二测试信号线、一条或两条测试控制栅线、若干第一数据测试开关、若干第二数据测试开关; 其中,所述第一引线和所述第一数据线共用所述第一测试信号线,所述第二引线和所述第二数据线共用所述第二测试信号线;以及 用于控制所述第一引线的所述第一触控测试开关和用于控制所述第一数据线的所述第一数据测试开关不同时接通,用于控制所述第二引线的所述第二触控测试开关和用于控制所述第二数据线的所述第二数据测试开关不同时接通。
[权利要求 2]
根据权利要求1所述的触控显示面板,其中,在所述触控显示面板包括两条测试控制栅线的情况下,所述两条测试控制栅线包括第一测试控制栅线和第二测试控制栅线; 所述第一触控测试开关的第一端电连接至所述第一引线,所述第一触控测试开关的第二端电连接至所述第一测试信号线,所述第一触控测试开关的控制端电连接至所述第一测试控制栅线; 所述第二触控测试开关的第一端电连接至所述第二引线,所述第二触控测试开关的第二端电连接至所述第二测试信号线,所述第二触控测试开关的控制端电连接至所述第一测试控制栅线; 所述第一数据测试开关的第一端电连接至所述第一数据线,所述第一数据测试开关的第二端电连接至所述第一测试信号线,所述第一数据测试开关的控制端电连接至所述第二测试控制栅线; 所述第二数据测试开关的第一端电连接至所述第二数据线,所述第二数据测试开关的第二端电连接至所述第二测试信号线,所述第二数据测试开关的控制端电连接至所述第二测试控制栅线。
[权利要求 3]
如权利要求2所述的触控显示面板,其中,所述第一触控电极和所述第二触控电极沿第一方向交替设置,所述第一触控电极和所述第二触控电极还沿垂直于所述第一方向的第二方向交替设置。
[权利要求 4]
如权利要求3所述的触控显示面板,其中,所述显示区包括分块设置的若干公共电极,以及阵列排列的若干亚像素单元,每一所述亚像素单元包括一薄膜晶体管; 所述第一触控电极复用部分所述公共电极,所述第二触控电极复用其余部分所述公共电极。
[权利要求 5]
如权利要求3所述的触控显示面板,其中,所述第一触控测试开关、所述第二触控测试开关、所述第一数据测试开关和所述第二数据测试开关的栅极与所述薄膜晶体管的栅极位于同一层; 所述第一触控测试开关、所述第二触控测试开关、所述第一数据测试开关和所述第二数据测试开关的源极与所述薄膜晶体管的源极位于同一层; 所述第一触控测试开关、所述第二触控测试开关、所述第一数据测试开关和所述第二数据测试开关的漏极与所述薄膜晶体管的漏极位于同一层。
[权利要求 6]
如权利要求1所述的触控显示面板,其中,所述触控显示面板包括一条测试控制栅线; 所述第一触控测试开关的第一端电连接至所述第一引线,所述第一触控测试开关的第二端电连接至所述第一测试信号线,所述第一触控测试开关的控制端电连接至所述测试控制栅线; 所述第二触控测试开关的第一端电连接至所述第二引线,所述第二触控测试开关的第二端电连接至所述第二测试信号线,所述第二触控测试开关的控制端电连接至所述测试控制栅线; 所述第一数据测试开关的第一端电连接至所述第一数据线,所述第一数据测试开关的第二端电连接至所述第一测试信号线,所述第一数据测试开关的控制端电连接至所述测试控制栅线; 所述第二数据测试开关的第一端电连接至所述第二数据线,所述第二数据测试开关的第二端电连接至所述第二测试信号线,所述第二数据测试开关的控制端电连接至 所述测试控制栅线; 所述第一触控测试开关和所述第二触控测试开关在所述测试控制栅线的控制下导通时,所述第一数据测试开关和所述第二数据测试开关在所述测试控制栅线的控制下闭合;或,所述第一触控测试开关和所述第二触控测试开关在所述测试控制栅线的控制下闭合时,所述第一数据测试开关和所述第二数据测试开关在所述测试控制栅线的控制下导通。
[权利要求 7]
如权利要求6所述的触控显示面板,其中,所述第一触控测试开关和所述第二触控测试开关为N型薄膜晶体管,所述第一数据测试开关和所述第二数据测试开关为P型薄膜晶体管;或者 所述第一触控测试开关和所述第二触控测试开关为P型薄膜晶体管,所述第一数据测试开关和所述第二数据测试开关为N型薄膜晶体管。
[权利要求 8]
如权利要求6所述的触控显示面板,其中,所述触控显示面板还包括:若干第一辅助触控测试开关、若干第二辅助触控测试开关、辅助测试控制栅线、若干第一辅助数据测试开关、以及若干第二辅助数据测试开关,其中, 所述第一辅助触控测试开关、所述第二辅助触控测试开关、所述第一辅助数据测试开关和所述第二辅助数据测试开关的控制端电连接至所述辅助测试控制栅线; 所述第一辅助触控测试开关与所述第一触控测试开关串联连接,串联连接后的所述第一辅助触控测试开关和所述第一触控测试开关的第一端电连接至所述第一引线,串联连接后的所述第一辅助触控测试开关和所述第一触控测试开关的第二端电连接至所述第一测试信号线; 所述第二辅助触控测试开关与所述第二触控测试开关串联连接,串联连接后的所述第二辅助触控测试开关和所述第二触控测试开关的第一端电连接至所述第二引线,串联连接后的所述第二辅助触控测试开关和所述第二触控测试开关的第二端电连接至所述第二测试信号线; 所述第一辅助数据测试开关与所述第一数据测试开关串联连接,串联连接后的所述第一辅助数据测试开关和所述第一数据测试开关的第一端电连接至所述第一数据线,串联连接后的所述第一辅助数据测试开关和所述第一数据测试开关的第二端电连接至所述第一测试信号线; 所述第二辅助数据测试开关与所述第二数据测试开关串联连接,串联连接后的所述第二辅助数据测试开关和所述第二数据测试开关的第一端电连接至所述第二数据线,串联连接后的所述第二辅助数据测试开关和所述第二数据测试开关的第二端电连接至所述第二测试信号线。
[权利要求 9]
如权利要求6-8任一项所述的触控显示面板,其中,所述第一触控电极和所述第二触控电极沿第一方向交替设置,所述第一触控电极和所述第二触控电极还沿垂直于所述第一方向的第二方向交替设置。
[权利要求 10]
如权利要求9所述的触控显示面板,其中,所述显示区包括分块设置的若干公共电极,以及阵列排列的若干亚像素单元,每一所述亚像素单元包括一薄膜晶体管; 所述第一触控电极复用部分所述公共电极,所述第二触控电极复用其余部分所述公共电极。
[权利要求 11]
如权利要求10所述的触控显示面板,其中,所述第一触控测试开关、所述第二触控测试开关、所述第一数据测试开关和所述第二数据测试开关的栅极与所述薄膜晶体管的栅极位于同一层; 所述第一触控测试开关、所述第二触控测试开关、所述第一数据测试开关和所述第二数据测试开关的源极与所述薄膜晶体管的源极位于同一层; 所述第一触控测试开关、所述第二触控测试开关、所述第一数据测试开关和所述第二数据测试开关的漏极与所述薄膜晶体管的漏极位于同一层。
[权利要求 12]
一种显示装置,包括:如权利要求1-11任一项所述的触控显示面板。

附图

[ 图 1]  
[ 图 2]  
[ 图 3]  
[ 图 4]  
[ 图 5]  
[ 图 6]  
[ 图 7]  
[ 图 8]  
[ 图 9]  
[ 图 10]  
[ 图 11]  
[ 图 12]  
[ 图 13]