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1. WO2007105431 - APPAREIL DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET PROCEDE DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT

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[ JA ]

請求の範囲

[1] 基板を処理する処理室と、

前記処理室内に収容された基板を基板の外周側から光加熱する加熱装置と、 前記加熱装置が光加熱する基板の外周近傍に流体を流すことにより、基板の外周 側を冷却する冷却装置と、

前記処理室内の温度を検出する温度検出部と、

前記温度検出部が検出する温度に基づ!/、て、前記基板の中心部の温度を所定温 度に維持しつつ該中心部と前記基板の端部とに温度差を設けるように前記加熱装置 および前記冷却装置を制御する加熱制御部と

を有する基板処理装置。

[2] 前記冷却装置は、

前記処理室の外周側に設けられ、冷却ガスを流す冷却ガス流路と、

前記冷却ガス流路を流れる冷却ガスを排気可能に導く排気路と、

前記排気路に設けられ、冷却ガスを排気する排気部と

を有する請求項 1に記載の基板処理装置。

[3] 前記排気部は、

排気量が異なる複数の排気装置を有し、

前記加熱制御部は、

前記複数の排気装置を個別に制御する

請求項 2に記載の基板処理装置。

[4] 処理室内に収容された基板を加熱装置により基板の外周側から光加熱する工程と

基板の外周近傍に流体を流す冷却装置により基板の外周側を冷却する工程と、 前記処理室内の温度を検出する工程と、

検出した温度に基づ、て、前記基板の中心部の温度を所定温度に維持しつつ該 中心部と前記基板の端部とに温度差を設けるように前記加熱装置および前記冷却 装置を制御する工程と

を有する基板処理方法。

[5] 処理室内に収容された基板を加熱装置により基板の外周側から光加熱する工程と

基板の外周近傍に冷却ガスを流して基板の外周側を冷却する工程と、 排気量が異なる複数の排気装置により冷却ガスを排気する工程と、

前記処理室内の温度を検出する工程と、

検出した温度に基づ、て、前記基板の中心部の温度を所定温度に維持しつつ該 中心部と前記基板の端部とに温度差を設けるように前記加熱装置および前記複数の 排気装置を個別に制御する工程と

を有する基板処理方法。

[6] 前記所定温度は一定の温度である請求項 1に記載の基板処理装置。

[7] 前記所定温度は一定の温度である請求項 4に記載の基板処理方法。

[8] 前記処理室内に処理ガスを導入する処理ガス導入部と該処理ガス導入部から導入 される処理ガスの流量を制御する処理ガス流量制御部とをさらに備え、

前記処理ガス流量制御部は、前記加熱制御部が前記基板の中心部の温度を所定 温度に維持しつつ該中心部と前記基板の端部とに温度差を設けるように制御してい る最中に前記処理ガス導入部カゝら前記処理ガスを前記処理室内に導入するよう制御 する請求項 1に記載の基板処理装置。

[9] 前記基板の中心部の温度を所定温度に維持しつつ該中心部と前記基板の端部と に温度差を設けた状態で、処理ガスを前記処理室内に導入し前記基板を処理する 工程とをさらに有する請求項 4に記載の基板処理方法。

[10] 基板の中心部と外周側の温度をそれぞれ取得する温度取得部と、

前記加熱装置が基板を加熱する間に前記冷却装置が流す流体の量を変化させた 場合に、設定温度および流体の流量と、

基板の中心部と外周側との温度偏差との相関関係を取得する相関関係取得部と、 前記相関関係取得部が取得した相関関係に基づいて、前記加熱部の設定温度を 補正する設定温度補正部と

を有する請求項 1に記載の基板処理装置。

[11] 前記相関関係取得部は、

前記加熱装置が基板を加熱する間に前記冷却装置が流す流体の量を変化させた 場合に、設定温度および流体の流量と、前記温度検出部が検出した温度との相関 関係をさらに取得し、

前記設定温度補正部は、

前記相関関係取得部が取得した相関関係に基づいて、前記加熱装置の設定温度 を補正する請求項 10に記載の基板処理装置。

[12] 前記加熱装置が基板を加熱する間に前記冷却装置が流す流体の量を変化させた 場合に、設定温度および流体の流量と、基板の中心部と外周側との温度偏差との相 関関係を取得する工程と、

取得した相関関係に基づ、て、前記加熱部の設定温度を補正する工程とをさらに 有し、

検出した温度を補正した温度に基づ!/、て、前記加熱装置および前記冷却装置を 制御する請求項 4に記載の基板処理方法。

[13] 前記加熱装置が基板を加熱する間に前記冷却装置が流す流体の量を変化させた 場合に、設定温度および流体の流量と、検出した温度との相関関係を取得する工程 と、

取得した相関関係に基づ!ヽて、前記加熱装置の設定温度を補正する工程とをさら に有し、

検出した温度を補正した温度に基づ!/、て、前記加熱装置および前記冷却装置を 制御する請求項 12に記載の基板処理方法。

[14] 前記所定温度は一定の温度である請求項 10に記載の基板処理装置。

[15] 前記処理室内の基板は、

所定の間隔で複数並べられており、前記処理ガス導入部から前記処理ガス内に導 入された前記処理ガスが前記基板の外周側から供給される請求項 8に記載の基板 処理装置。

[16] 前記処理室内に導入された前記処理ガスが所定の間隔で複数並べられた前記基 板の外周側から供給される工程と

をさらに有する請求項 9に記載の基板処理方法。