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Paramétrages

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1. JP2005285778 - MANUFACTURING METHOD FOR ELECTRON EMISSION DEVICE HAVING HIGH PACKING DENSITY

Office
Japon
Numéro de la demande 2005135104
Date de la demande 06.05.2005
Numéro de publication 2005285778
Date de publication 13.10.2005
Numéro de délivrance 3793219
Date de délivrance 14.04.2006
Type de publication B2
CIB
H01J 9/02
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
JTUBES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE OU LAMPES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE
9Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication de tubes à décharge électrique, de lampes à décharge électrique ou de leurs composants; Récupération de matériaux à partir de tubes ou de lampes à décharge
02Fabrication des électrodes ou des systèmes d'électrodes
H01J 1/30
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
JTUBES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE OU LAMPES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE
1Détails des électrodes, des moyens de commande magnétiques, des écrans, ou du montage ou de l'espacement de ces éléments, communs au moins à deux types de base de tubes ou lampes à décharge
02Electrodes principales
30Cathodes froides
H01J 31/12
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
JTUBES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE OU LAMPES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE
31Tubes à rayons cathodiques; Tubes à faisceau électronique
08comprenant un écran, sur lequel ou à partir duquel une image ou un dessin sont formés, pris, convertis ou mis en mémoire
10Tubes reproducteurs d'images ou de dessins, c. à d. comprenant un signal d'entrée électrique et un signal de sortie optique; Tubes analyseurs à spot mobile
12à écran luminescent
CPC
B82Y 10/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
82NANOTECHNOLOGY
YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
10Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
H01J 1/3042
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
1Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
02Main electrodes
30Cold cathodes, e.g. field-emissive cathode
304Field-emissive cathodes
3042microengineered, e.g. Spindt-type
H01J 3/022
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
3Details of electron-optical or ion-optical arrangements or of ion traps common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
02Electron guns
021Electron guns using a field emission, photo emission, or secondary emission electron source
022with microengineered cathode, e.g. Spindt-type
H01J 9/025
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
9Apparatus or processes specially adapted for the manufacture ; , installation, removal, maintenance; of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
02Manufacture of electrodes or electrode systems
022of cold cathodes
025of field emission cathodes
H01J 2201/30403
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
2201Electrodes common to discharge tubes
30Cold cathodes
304Field emission cathodes
30403characterised by the emitter shape
H01J 2201/30457
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
2201Electrodes common to discharge tubes
30Cold cathodes
304Field emission cathodes
30446characterised by the emitter material
30453Carbon types
30457Diamond
Déposants CANDESCENT INTELLECTUAL PROPERTY SERVICES INC
キヤノン株式会社
Inventeurs MACAULAY JOHN M
マコーレイ、ジョン・エム
SPINDT CHRISTOPHER J
スピント、クリストファー・ジェイ
SEARSON PETER C
シアソン、ピーター・シー
DUBOC JR ROBERT M
デュボック、ロバート・エム・ジュニア
Mandataires 大島 陽一
西山 恵三
Titre
(EN) MANUFACTURING METHOD FOR ELECTRON EMISSION DEVICE HAVING HIGH PACKING DENSITY
(JA) パッキング密度の高い電子放出デバイスの製造方法
Abrégé
(EN)

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a structure of an electron emission device having high packing density of an emitter and to provide its manufacturing process.

SOLUTION: An electron emission property element suitable for a flat panel type display is manufactured by high packing density. An electronic emitter has a base supporting the structure. A lower side non-insulation region patterned into a shape forming a plurality of parallel lines is formed on an insulation material which is the base. An electron emission property filament is formed in a hole extending in an insulation layer provided on the lower side non-insulation region. Typically, a patterned non-insulation gate layer is provided on the insulation layer to form a gate control type device. Preferably, a position of an electron emission mechanism is delimited using a charged particle track. By using the charged particle track, the electron emission mechanism is greatly miniaturized and is arranged by bringing mutual interval close.

COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

(JA)

【課題】エミッタのパッキング密度の高い電子放出デバイスの構造及びその製造工程を提供する。
【解決手段】フラットパネル型ディスプレイに適する電子放出性素子が、高いパッキング密度で製造される。電子エミッタは、構造の支持をなす基板を有する。平行な複数のラインをなす形状にパターニングされた下側非絶縁性領域が、基板である絶縁性材料の上に形成される。電子放出性フィラメントは、下側非絶縁性領域の上に設けられた絶縁性層の中に延びる孔の中に形成される。典型的には、パターニングされた非絶縁性ゲート層が絶縁性層の上に設けられて、ゲート制御式デバイスを形成する。好ましくは、荷電粒子トラックを用いて電子放出機構の位置を画定する。荷電粒子トラックを用いることによって、電子放出機構を極めて小さなものとし、互いの間隔を近接させて配置することが可能となる。
【選択図】図1k