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1. WO2019143031 - COMPOSÉ POUR ÉLÉMENT ÉLECTRIQUE ORGANIQUE, ÉLÉMENT ÉLECTRIQUE ORGANIQUE L'UTILISANT, ET APPAREIL ÉLECTRONIQUE L'EMPLOYANT

Document

명세서

발명의 명칭

기술분야

1  

배경기술

2   3   4   5   6   7   8   9   10   11  

발명의 상세한 설명

기술적 과제

12  

과제 해결 수단

13   14   15  

발명의 효과

16  

도면의 간단한 설명

17   18   19   20   21   22   23   24  

발명의 실시를 위한 형태

25   26   27   28   29   30   31   32   33   34   35   36   37   38   39   40   41   42   43   44   45   46   47   48   49   50   51   52   53   54   55   56   57   58   59   60   61   62   63   64   65   66   67   68   69   70   71   72   73   74   75   76   77   78   79   80   81   82   83   84   85   86   87   88   89   90   91   92   93   94   95   96   97   98   99   100   101   102   103   104   105   106   107   108   109   110   111   112   113   114   115   116   117   118   119   120   121   122   123   124   125   126   127   128   129   130   131   132   133   134   135   136   137   138   139   140   141   142   143   144   145   146   147   148   149   150   151   152   153   154   155   156   157   158   159   160   161   162   163   164   165   166   167   168   169   170   171   172   173   174   175   176   177  

청구범위

1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11  

도면

1  

명세서

발명의 명칭 : 유기전기 소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치

기술분야

[1]
본 발명은 유기전기소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치에 관한 것이다.

배경기술

[2]
일반적으로 유기 발광 현상이란 유기 물질을 이용하여 전기에너지를 빛 에너지로 전환시켜주는 현상을 말한다. 유기 발광 현상을 이용하는 유기전기소자는 통상 양극과 음극 및 이 사이에 유기물층을 포함하는 구조를 가진다. 여기서 유기물층은 유기전기소자의 효율과 안정성을 높이기 위하여 각기 다른 물질로 구성된 다층의 구조로 이루어진 경우가 많으며, 예컨대 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층 및 전자주입층 등으로 이루어질 수 있다.
[3]
유기전기소자에서 유기물층으로 사용되는 재료는 기능에 따라, 발광 재료와 전하수송 재료, 예컨대 정공주입 재료, 정공수송 재료, 전자수송 재료, 전자주입 재료 등으로 분류될 수 있다.
[4]
현재 휴대용 디스플레이 시장은 대면적 디스플레이로 그 크기가 증가하고 있는 추세이며, 이로 인해 기존 휴대용 디스플레이에서 요구하던 소비전력보다 더 큰 소비전력이 요구되고 있다. 따라서, 배터리라는 제한적인 전력 공급원을 가지고 있는 휴대용 디스플레이 입장에서는 소비전력이 중요한 요소가 되었고, 효율과 수명 문제 또한 반드시 해결해야 하는 중요한 요소이다.
[5]
효율과 수명, 구동전압 등은 서로 연관이 있으며, 효율이 증가되면 상대적으로 구동전압이 떨어지고, 구동전압이 떨어지면서 구동시 발생되는 주울열(Joule heating)에 의한 유기물질의 결정화가 적어져 결과적으로 수명이 높아지는 경향을 나타낸다. 하지만 상기 유기물층을 단순히 개선한다고 하여 효율을 극대화시킬 수는 없다. 왜냐하면 각 유기물층 간의 에너지 준위 및 T1 값, 물질의 고유특성(이동도, 계면특성 등) 등이 최적의 조합을 이루었을 때 긴 수명과 높은 효율을 동시에 달성할 수 있기 때문이다.
[6]
또한, 최근 유기전기발광소자에 있어 정공수송층에서의 발광 문제 및 구동전압 문제를 해결하기 위해서 정공수송층과 발광층 사이에 발광보조층(다층의 정공수송층)이 존재하여야 하며, 각각의 발광층에 따른 서로 다른 발광보조층의 개발이 필요한 시점이다.
[7]
일반적으로 전자수송층에서 발광층으로 전자(electron)가 전달되고 정공수송층에서 발광층으로 정공(hole)이 전달되어 발광층 내에서 전자와 정공의 재조합(recombination)이 이루어져 엑시톤(exciton)을 형성하게 된다.
[8]
하지만 정공수송층에 사용되는 물질의 경우 낮은 HOMO 값을 가져야 하기 때문에 대부분 낮은 T1 값을 가지며, 이로 인해 발광층에서 생성된 엑시톤(exciton)이 정공수송층으로 넘어가게 되어 결과적으로 발광층 내 전하 불균형(charge unbalance)을 초래하여 정공수송층 계면에서 발광하게 된다.
[9]
정공수송층 계면에서 발광될 경우, 유기전기소자의 색순도 및 효율이 저하되고 수명이 짧아지는 문제점이 발생하게 된다. 따라서, 정공수송층의 HOMO 에너지 준위와 발광층의 HOMO 에너지 준위 사이의 HOMO 에너지 준위를 갖는 물질이어야 하며, 높은 T1 값을 가지고, 적당한 구동전압 범위 내(full device의 blue 소자 구동전압 범위 내) 정공 이동도(hole mobility)를 갖는 발광보조층 물질의 개발이 절실히 요구된다.
[10]
하지만 이는 단순히 발광보조층 물질의 코어에 대한 구조적 특성으로 이루어질 수 없으며, 발광 보조층 물질의 코어 및 sub-치환기의 특성 그리고 발광보조층과 정공수송층, 발광보조층과 발광층 간의 알맞은 조합이 이루어졌을 때 고효율 및 고수명의 소자가 구현될 수 있는 것이다.
[11]
유기전기소자가 갖는 우수한 특징들을 충분히 발휘하기 위해서는 소자 내 유기물층을 이루는 물질, 예컨데 정공주입 물질, 정공수송 물질, 발광 물질, 전자수송 물질, 전자주입 물질, 발광보조층 물질 등이 안정하고 효율적인 재료에 의하여 뒷받침되는 것이 선행되어야 하며 특히 발광보조층의 재료에 대한 개발이 절실히 요구되고 있다.

발명의 상세한 설명

기술적 과제

[12]
본 발명은 소자의 구동전압을 낮추고, 소자의 발광효율, 색순도 및 수명을 향상시킬 수 있는 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.

과제 해결 수단

[13]
일 측면에서, 본 발명은 하기 화학식으로 표시되는 화합물을 제공한다.
[14]
[15]
다른 측면에서, 본 발명은 상기 화학식으로 표시되는 화합물을 이용한 유기전기소자 및 그 전자장치를 제공한다.

발명의 효과

[16]
본 발명의 실시예에 따른 화합물을 이용함으로써 소자의 구동전압을 낮출 수 있을 뿐만 아니라, 소자의 발광효율, 색순도 및 수명을 크게 향상시킬 수 있다.

도면의 간단한 설명

[17]
도 1은 본 발명에 따른 유기전기발광소자의 예시도이다.
[18]
[부호의 설명]
[19]
100: 유기전기소자 110: 기판
[20]
120: 제 1전극 130: 정공주입층
[21]
140: 정공수송층 141: 버퍼층
[22]
150: 발광층 151: 발광보조층
[23]
160: 전자수송층 170: 전자주입층
[24]
180: 제 2전극

발명의 실시를 위한 형태

[25]
본 명세서에서 각 기호 및 그 치환기의 예로 예시되는 아릴기, 아릴렌기, 헤테로고리기 등에 해당하는 '기 이름'은 '가수를 반영한 기의 이름'을 기재할 수도 있지만, '모체화합물 명칭'으로 기재할 수도 있다. 예컨대, 아릴기의 일종인 '페난트렌'의 경우, 1가의 '기'는 '페난트릴'로 2가의 기는 '페난트릴렌' 등과 같이 가수를 구분하여 기의 이름을 기재할 수도 있지만, 가수와 상관없이 모체 화합물 명칭인 '페난트렌'으로 기재할 수도 있다. 유사하게, 피리미딘의 경우에도, 가수와 상관없이 '피리미딘'으로 기재하거나, 1가인 경우에는 피리미딘일기, 2가의 경우에는 피리미딘일렌 등과 같이 해당 가수의 '기의 이름'으로 기재할 수도 있다.
[26]
본 발명에 사용된 용어 "플루오렌일기" 또는 "플루오렌일렌기"는 다른 설명이 없는 한 각각 하기 구조에서 R, R' 및 R"이 모두 수소인 1가 또는 2가 작용기를 의미하며, "치환된 플루오렌일기" 또는 "치환된 플루오렌일렌기"는 치환기 R, R', R" 중 적어도 하나가 수소 이외의 치환기인 것을 의미하며, R과 R'이 서로 결합되어 이들이 결합된 탄소와 함께 스파이로 화합물을 형성한 경우를 포함한다.
[27]
[28]
본 발명에서 사용된 용어 "스파이로 화합물"은 '스파이로 연결(spiro union)'을 가지며, 스파이로 연결은 2개의 고리가 오로지 1개의 원자를 공유함으로써 이루어지는 연결을 의미한다. 이때, 두 고리에 공유된 원자를 '스파이로 원자'라 하며, 한 화합물에 들어 있는 스파이로 원자의 수에 따라 이들을 각각 '모노스파이로-', '다이스파이로-', '트라이스파이로-' 화합물이라 한다.
[29]
본 발명에 사용된 용어 "헤테로고리기"는, 고리를 형성하는 탄소 대신 N, O, S, P 또는 Si 등과 같은 헤테로원자가 포함된 고리를 의미하며, "헤테로아릴기" 또는 "헤테로아릴렌기"와 같은 방향족 고리뿐만 아니라 비방향족 고리도 포함하며, 고리를 형성하는 탄소 대신 하기 화합물과 같이 SO 2, P=O 등과 같은 헤테로원자단을 포함하는 화합물도 포함될 수 있다.
[30]
[31]
또한, 명시적인 설명이 없는 한, 본 발명에서 사용되는 화학식은 하기 화학식의 지수 정의에 의한 치환기 정의와 동일하게 적용된다.
[32]
[33]
여기서, a가 0의 정수인 경우 치환기 R 1은 부존재하며, a가 1의 정수인 경우 하나의 치환기 R 1은 벤젠 고리를 형성하는 탄소 중 어느 하나의 탄소에 결합하며, a가 2 또는 3의 정수인 경우 각각 아래와 같이 결합하며 이때 R 1은 서로 동일하거나 다를 수 있으며, a가 4 내지 6의 정수인 경우 이와 유사한 방식으로 벤젠 고리의 탄소에 결합하며, 한편 벤젠 고리를 형성하는 탄소에 결합된 수소의 표시는 생략한다.
[34]
[35]
이하, 본 발명의 화합물이 포함된 유기전기소자의 적층구조에 대하여 도 1을 참조하여 설명한다.
[36]
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전기소자에 대한 예시도이다.
[37]
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전기소자(100)는 기판(110) 상에 형성된 제 1전극(120), 제 2전극(180) 및 제 1전극(120)과 제 2전극(180) 사이에 본 발명에 따른 화합물을 포함하는 유기물층을 구비한다. 이때, 제 1전극(120)은 애노드(양극)이고, 제 2전극(180)은 캐소드(음극)일 수 있으며, 인버트형의 경우에는 제 1전극이 캐소드이고 제 2전극이 애노드일 수 있다.
[38]
유기물층은 제 1전극(120) 상에 순차적으로 정공주입층(130), 정공수송층(140), 발광층(150), 전자수송층(160) 및 전자주입층(170)을 포함할 수 있다. 이때, 이들 층 중 적어도 하나가 생략되거나, 정공저지층, 전자저지층, 발광보조층(151), 전자수송보조층, 버퍼층(141) 등을 더 포함할 수도 있고, 전자수송층(160) 등이 정공저지층의 역할을 할 수도 있을 것이다.
[39]
또한, 미도시하였지만, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전기소자는 제 1전극과 제 2전극 중 적어도 일면 중 상기 유기물층과 반대되는 일면에 형성된 보호층 또는 광효율 개선층(Capping layer)을 더 포함할 수 있다.
[40]
상기 유기물층에 적용되는 본 발명의 일 실시예에 따른 화합물은 정공주입층(130), 정공수송층(140), 발광보조층(151), 전자수송보조층, 전자수송층(160), 전자주입층(170) 등의 재료, 발광층(150)의 호스트 또는 도펀트 재료, 또는 광효율 개선층의 재료로 사용될 수 있을 것이다. 예컨대, 본 발명의 화합물은 정공수송층(140) 및/또는 발광보조층(151) 재료로 사용될 수 있으며, 바람직하게는 발광보조층(151)의 재료로 사용될 수 있다.
[41]
한편, 동일한 코어일지라도 어느 위치에 어느 치환기를 결합시키냐에 따라 밴드갭(band gap), 전기적 특성, 계면 특성 등이 달라질 수 있으므로, 코어의 선택 및 이에 결합된 서브(sub)-치환체의 조합에 대한 연구가 필요하며, 특히 각 유기물층 간의 에너지 준위 및 T 1 값, 물질의 고유특성(이동도, 계면특성 등) 등이 최적의 조합을 이루었을 때 긴 수명과 높은 효율을 동시에 달성할 수 있다.
[42]
따라서, 본 발명에서는 화학식 1로 표시되는 화합물을 사용하여 발광보조층(151)을 형성함으로써 각 유기물층 간의 에너지 레벨 및 T 1 값, 물질의 고유특성(이동도, 계면특성 등) 등을 최적화하여 유기전기소자의 수명 및 효율을 동시에 향상시킬 수 있다.
[43]
본 발명의 일 실시예에 따른 유기전기발광소자는 다양한 증착법(deposition)을 이용하여 제조될 수 있을 것이다. PVD나 CVD 등의 증착 방법을 사용하여 제조될 수 있는데, 예컨대, 기판 상에 금속 또는 전도성을 가지는 금속 산화물 또는 이들의 합금을 증착시켜 양극(120)을 형성하고, 그 위에 정공주입층(130), 정공수송층(140), 발광층(150), 전자수송층(160) 및 전자주입층(170)을 포함하는 유기물층을 형성한 후, 그 위에 음극(180)으로 사용할 수 있는 물질을 증착시킴으로써 제조될 수 있다. 또한, 정공수송층(140)과 발광층(150) 사이에 발광보조층(151)을, 발광층(150)과 전자수송층(160) 사이에 전자수송보조층을 추가로 더 형성할 수 있다.
[44]
또한, 유기물층은 다양한 고분자 소재를 사용하여 증착법이 아닌 용액 공정 또는 솔벤트 프로세스(solvent process), 예컨대 스핀코팅 공정, 노즐 프린팅 공정, 잉크젯 프린팅 공정, 슬롯코팅 공정, 딥코팅 공정, 롤투롤 공정, 닥터 블레이딩 공정, 스크린 프린팅 공정, 또는 열 전사법 등의 방법에 의하여 더 적은 수의 층으로 제조할 수 있다. 본 발명에 따른 유기물층은 다양한 방법으로 형성될 수 있으므로, 그 형성방법에 의해 본 발명의 권리범위가 제한되는 것은 아니다.
[45]
본 발명에 따른 유기전기소자는 유기전기발광소자(OLED), 유기태양전지, 유기감광체(OPC), 유기트랜지스터(유기 TFT), 단색 또는 백색 조명용 소자, 퀀텀닷 디스플레이용 소자 중 하나일 수 있다.
[46]
본 발명의 다른 실시예는 상술한 본 발명의 유기전기소자를 포함하는 디스플레이장치와, 이 디스플레이장치를 제어하는 제어부를 포함하는 전자장치를 포함할 수 있다. 이때, 전자장치는 현재 또는 장래의 유무선 통신단말일 수 있으며, 휴대폰 등의 이동 통신 단말기, PDA, 전자사전, PMP, 리모콘, 네비게이션, 게임기, 각종 TV, 각종 컴퓨터 등 모든 전자장치를 포함하며, 상기 디스플레이장치는 유기전기발광 디스플레이, 퀀텀닷 디스플레이 등을 포함할 수 있다.
[47]
이하, 본 발명의 일 측면에 따른 화합물에 대하여 설명한다.
[48]
본 발명의 일측면에 따른 화합물은 하기 화학식 1로 표시된다.
[49]
<화학식 1>
[50]
[51]
상기 화학식 1에서, 각 기호는 아래와 같이 정의될 수 있다.
[52]
Ar 1 및 Ar 2는 서로 독립적으로 C 6~C 60의 아릴기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C 2~C 60의 헤테로고리기; C 3~C 60의 지방족고리기; C 1~C 50의 알킬기; C 2~C 20의 알켄일기; C 2~C 20의 알킨일기; C 1~C 30의 알콕실기; C 6~C 30의 아릴옥시기; 및 -L'-N(R a)(R b);로 이루어진 군으로 선택되며, 이웃한 기와 서로 결합하여 Si를 포함하는 C 2~C 60의 헤테로고리를 형성할 수 있다.
[53]
Ar 1 및 Ar 2가 아릴기인 경우, 바람직하게는 C 6~C 30의 아릴기, 더욱 바람직하게는 C 6~C 14의 아릴기, 예컨대 페닐, 바이페닐, 나프틸, 페난트렌 등일 수 있다. Ar 1 및 Ar 2가 헤테로고리기인 경우, 바람직하게는 C 2~C 30의 헤테로고리기, 더욱 바람직하게는 C 2~C 8의 헤테로고리기, 예컨대, 피리딘, 피리미딘, 트리아진, 퀴나졸린 등이 될 수 있다. Ar 1 및 Ar 2가 알킬기인 경우, 바람직하게는 C 1~C 10의 알킬기, 더욱 바람직하게는 C 1~C 4의 알킬기, 예컨대, 메틸, 에틸, t-부틸 등이 될 수 있다. 또한, Ar 1 및 Ar 2가 서로 결합하여 고리를 형성할 경우, 이들이 결합되어 있는 Si와 함께 스파이로화합물을 형성할 수 있으며, 이때 스파이로 원자는 Si이다.
[54]
Ar 3 내지 Ar 6은 서로 독립적으로 C 6~C 60의 아릴기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C 2~C 60의 헤테로고리기; C 3~C 60의 지방족고리기; -L'-N(R a)(R b); 및 하기 화학식 1-1;로 이루어진 군으로 선택되며, 이웃한 기와 서로 결합하여 N을 포함하는 C 2~C 60의 헤테로고리를 형성할 수 있다. 단, Ar 3 내지 Ar 6 중 적어도 하나는 하기 화학식 1-1이다.
[55]
<화학식 1-1>
[56]
[57]
Ar 3 내지 Ar 6가 아릴기인 경우, 바람직하게는 C 6~C 30의 아릴기, 더욱 바람직하게는 C 6~C 18의 아릴기, 예컨대 페닐, 바이페닐, 나프틸, 페난트렌, 트리페닐렌, 터페닐 등일 수 있다. Ar 3 내지 Ar 6가 헤테로고리기인 경우, 바람직하게는 C 2~C 30의 헤테로고리기, 더욱 바람직하게는 C 2~C 22의 헤테로고리기, 예컨대, 피리딘, 피리미딘, 다이벤조싸이오펜, 다이벤조퓨란, 카바졸, 페닐카바졸, 9-(나프탈렌-2-일)-9H-카바졸, 벤조나프토퓨란 등일 수 있다. Ar 3 내지 Ar 6가 플루오렌일기인 경우, 다이메틸플루오렌, 다이페닐플루오렌 등이 될 수 있다.
[58]
X는 O 또는 S이다.
[59]
R 1 내지 R 4는 서로 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐; C 6~C 60의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로 원자를 포함하는 C 2~C 60의 헤테로고리기; C 3~C 60의 지방족고리기; C 1~C 50의 알킬기; C 2~C 20의 알켄일기; C 1~C 30의 알콕실기; C 6~C 30의 아릴옥시기; 및 -L'-N(R a)(R b);으로 이루어진 군에서 선택되며, 이웃한 기끼리 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있다.
[60]
이웃한 R 1끼리, 이웃한 R 2끼리, 이웃한 R 3끼리 또는 이웃한 R 4끼리 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있는데, 이때 고리는 C 6~C 60의 방향족고리; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C 2~C 60의 헤테로고리; C 3~C 60의 지방족고리; 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택될 수 있으며, 방향족고리를 형성할 경우, 바람직하게는 C 6~C 20의 방향족고리, 더욱 바람직하게는 C 6~C 10의 방향족고리, 예컨대, 벤젠이나 나프탈렌 고리 등을 형성할 수 있다.
[61]
R 1 내지 R 4가 아릴기인 경우, 바람직하게는 C 6~C 30의 아릴기, 더욱 바람직하게는 C 6~C 12의 아릴기, 예컨대 페닐, 바이페닐, 나프틸 등일 수 있다. R 1 내지 R 4가 지방족고리인 경우, 바람직하게는 C 3~C 30의 지방족고리기, 더욱 바람직하게는 C 3~C 6의 아릴기, 예컨대 사이클로헥산일 수 있다.
[62]
n, m 및 o는 각각 0~3의 정수이고, l은 0~4의 정수이며, 이들 각각이 2 이상의 정수인 경우 복수의 각 R 1, 복수의 각 R 2, 복수의 각 R 3, 복수의 각 R 4는 서로 같거나 상이하다.
[63]
L 1, L 2 및 L은 서로 독립적으로 단일결합; C 6~C 60의 아릴렌기; 플루오렌일렌기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C 2~C 60의 헤테로 아릴렌기; 및 C 3~C 60의 지방족고리기;로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. L 1, L 2 및 L이 아릴렌기인 경우, 바람직하게는 C 6~C 30의 아릴렌기, 더욱 바람직하게는 C 6~C 12의 아릴렌기, 예컨대 페닐, 바이페닐, 나프탈렌 등일 수 있다.
[64]
상기 L'은 단일결합; C 6~C 60의 아릴렌기; 플루오렌일렌기; C 3~C 60의 지방족고리기; 및 C 2~C 60의 헤테로고리기;로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
[65]
상기 R a 및 R b는 서로 독립적으로 C 6~C 60의 아릴기; 플루오렌일기; C 3~C 60의 지방족고리기; 및 O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C 2~C 60의 헤테로고리기;로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
[66]
상기 Ar 1 내지 Ar 6, R 1 내지 R 4, 이웃한 기끼리 서로 결합하여 형성한 고리, L 1, L 2, L, L', R a 및 R b는 각각 중수소; 할로겐; C 1-C 20의 알킬기 또는 C 6-C 20의 아릴기로 치환 또는 비치환된 실란기; 실록산기; 붕소기; 게르마늄기; 시아노기; 니트로기; C 1-C 20의 알킬기 또는 C 6-C 20의 아릴기로 치환 또는 비치환된 포스핀옥사이드기; C 1-C 20의 알킬싸이오기; C 1-C 20의 알콕실기; C 1-C 20의 알킬기; C 2-C 20의 알켄일기; C 2-C 20의 알킨일기; C 6-C 20의 아릴기; 중수소로 치환된 C 6-C 20의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C 2-C 20의 헤테로고리기; C 3-C 20의 시클로알킬기; C 7-C 20의 아릴알킬기; 및 C 8-C 20의 아릴알켄일기;로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 치환기로 더 치환될 수 있다.
[67]
예컨대, Ar 1 내지 Ar 6은 메틸, 에텐, 피리딘, 메톡시, 페닐, F 등으로 더 치환될 수 있다
[68]
바람직하게는, 상기 화학식 1은 하기 화학식 2 또는 화학식 3으로 표시될 수 있다.
[69]
<화학식 2> <화학식 3>
[70]
[71]
상기 화학식 2 또는 화학식 3에서, X, Ar 1 내지 Ar 5, R 1 내지 R 4, L 1, L 2, n, m, o 및 l은 상기 화학식 1에서 정의된 것과 같다.
[72]
또한, 바람직하게는 상기 화학식 1은 하기 화학식 4 내지 화학식 7 중에서 하나로 표시될 수 있다.
[73]
<화학식 4> <화학식 5>
[74]
[75]
<화학식 6> <화학식 7>
[76]
[77]
상기 화학식 4 내지 화학식 7에서, Ar 1 내지 Ar 6, R 1, R 2, L 1, L 2, n 및 m은 상기 화학식 1에서 정의된 것과 같다.
[78]
또한, 바람직하게는, 상기 화학식 1은 하기 화학식 8 내지 화학식 10 중에서 하나로 표시될 수 있다.
[79]
<화학식 8> <화학식 9> <화학식 10>
[80]
[81]
상기 화학식 8 내지 화학식 10에서, Ar 1 내지 Ar 6, R 1, R 2, L 1, L 2, n 및 m은 상기 화학식 1에서 정의된 것과 같다.
[82]
구체적으로, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화합물 중 하나일 수 있다.
[83]
[84]
[85]
본 발명의 다른 실시예로, 제 1전극, 제 2 전극, 및 상기 제 1전극과 상기 제 2전극 사이에 형성된 유기물층을 포함하는 유기전기소자가 제공되며, 이때 유기물층은 상기 화학식 1로 표시되는 1종 단독 화합물 또는 2종 이상의 화합물을 포함한다.
[86]
상기 유기물층은 정공주입층, 정공 수송층, 발광보조층, 발광층, 전자수송보조충, 전자 수송층 및 전자 주입층 중 적어도 하나의 층을 포함하며, 바람직하게는 상기 화합물은 발광보조층 또는 정공수송층에 포함된다.
[87]
본 발명의 또 다른 실시예로, 상기 유기전계소자를 포함하는 디스플레이장치 및 상기 디스플레이장치를 구동하는 제어부를 포함하는 전자장치가 제공된다.
[88]
이하에서, 본 발명에 따른 화학식 1로 표시되는 화합물의 합성예 및 유기전기소자의 제조예에 관하여 실시예를 들어 구체적으로 설명하지만, 본 발명이 하기의 실시예로 한정되는 것은 아니다.
[89]
합성예
[90]
본 발명에 따른 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 반응식 1과 같이 Sub 1과 Sub 2를 반응시켜 제조될 수 있다.
[91]
<반응식 1>
[92]
[93]
Sub 1의 합성예
[94]
반응식 1의 Sub 1은 하기 반응식 2의 반응경로에 의해 합성될 수 있으나, 이에 한정된 것은 아니다.
[95]
<반응식 2>
[96]
[97]
Sub 1에 속하는 화합물의 합성예는 다음과 같다.
[98]
1. Sub 1-1 합성예
[99]
[100]
2-Bromo-7-chloro-5,5-diphenyl-5H-dibenzo[b,d]silole (15 g, 0.033 mol), N-phenyldibenzo[b,d]thiophen-2-amine (9.2 g, 0.033 mol), Pd 2(dba) 3 (0.9 g, 0.001 mol), (t-Bu) 3P (0.8 mL, 0.002 mol), NaOt-Bu (9.6 g, 0.10 mol)를 무수 Toluene(67mL)에 첨가하고 4시간 동안 반응시켰다. 반응이 종료되면 CH 2Cl 2와 물로 추출한 후, 유기층을 MgSO 4로 건조하고 농축하였다. 이후, 농축물을 실리카겔 칼럼을 이용하여 분리한 후 재결정하여 Sub 1-1을 18 g (수율: 83%) 얻었다.
[101]
2. Sub 1-5 합성예
[102]
[103]
2-Bromo-7-chloro-5,5-diphenyl-5H-dibenzo[b,d]silole (40 g, 0.09 mol), diphenylamine (15.1 g, 0.09 mol), Pd 2(dba) 3 (2.45 g, 0.002 mol), (t-Bu) 3P (2.1mL, 0.004 mol), NaOt-Bu (25.8 g, 0.278 mol), 무수 Toluene (180mL)을 사용하여 상기 Sub 1-1의 합성법과 같은 방법으로 생성물 Sub 1-5를 38 g (수율: 79%) 얻었다.
[104]
3. Sub 1-22 합성예
[105]
[106]
3-Bromo-7-chloro-5,5-dimethyl-5H-dibenzo[b,d]silole (40 g, 0.12 mol), N-phenyldibenzo[b,d]furan-3-amine (32 g, 0.12 mol), Pd 2(dba) 3 (3.4 g, 0.003 mol), (t-Bu) 3P (3.1mL, 0.006 mol), NaOt-Bu (35 g, 0.37 mol), 무수 Toluene (250mL)을 사용하여 상기 Sub 1-1의 합성법과 같은 방법으로 생성물 Sub 1-22를 55 g (수율: 89%) 얻었다.
[107]
4. Sub 1-26 합성예
[108]
[109]
3-(3-(2-Bromo-8-chloro-5-phenyl-5H-dibenzo[b,d]silol-5-yl)phenyl)pyridine (10 g, 0.02 mol), diphenylamine (3.2 g, 0.02 mol), Pd 2(dba) 3 (0.5 g, 0.0006 mol), (t-Bu) 3P (0.4mL, 0.0012 mol), NaOt-Bu (5.5 g, 0.06 mol), 무수 Toluene (38mL)을 사용하여 상기 Sub 1-1의 합성법과 같은 방법으로 생성물 Sub 1-26를 8 g (수율: 68.5%) 얻었다.
[110]
5. Sub 1-39 합성예
[111]
[112]
10-Bromo-5-chloro-7,7-diphenyl-7H-benzo[b]naphtho[1,2-d]silole (30 g, 0.06 mol), diphenylamine (10.1 g, 0.06 mol), Pd 2(dba) 3 (1.7 g, 0.002 mol), (t-Bu) 3P (1.4mL, 0.002 mol), NaOt-Bu (17.4 g, 0.18 mol), 무수 Toluene (120mL)을 사용하여 상기 Sub 1-1의 합성법과 같은 방법으로 생성물 Sub 1-39를 30 g (수율: 85%) 얻었다.
[113]
6. Sub 1-59 합성예
[114]
[115]
8-Bromo-1-chloro-5,5-diphenyl-5H-dibenzo[b,d]silole (30 g, 0.07 mol)와 (4-(diphenylamino)phenyl)boronic acid (19.3 g, 0.07 mol), Pd 2(dba) 3 (1.7 g, 0.002 mol), (t-Bu) 3P (1.4mL, 0.002 mol), NaOt-Bu (17.4 g, 0.18 mol), 무수 Toluene (120mL)을 사용하여 상기 Sub 1-1의 합성법과 같은 방법으로 생성물 Sub 1-59를 32 g (수율: 78%) 얻었다.
[116]
상기와 같은 합성예에 따라 제조된 Sub 1에 속하는 화합물은 아래와 같은 화합물일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 표 1은 하기 화합물의 FD-MS 값을 나타낸 것이다.
[117]
[118]
[119]
[120]
[표 1]
[121]
[122]
반응식 1의 Sub 2는 하기와 같이 합성될 수 있으나, 이에 한정된 것은 아니다.
[123]
1. Sub 2-1 합성예
[124]
[125]
Bromobenzene (40.68 g, 259.09 mmol)을 둥근바닥플라스크에서 toluene (1360ml)으로 녹인 후에, aniline (26.54 g, 285.00 mmol), Pd 2(dba) 3 (7.12 g, 7.77 mmol), 50% P( t-Bu) 3 (10.1 ml, 20.73 mmol), NaO t-Bu (74.70 g, 777.28 mmol)을 첨가하고 80℃에서 교반하였다. 반응이 종료되면 CH 2Cl 2와 물로 추출한 후, 유기층을 MgSO 4로 건조하고 농축하였다. 이후, 농축물을 실리카겔 칼럼을 이용하여 분리한 후 재결정하여 생성물 Sub 2-1 32.88 g (수율: 75%)를 얻었다.
[126]
2. Sub 2-2 합성예
[127]
[128]
4-bromo-1,1'-biphenyl (23.65 g, 101.46 mmol), aniline (10.39 g, 111.60 mmol), Pd 2(dba) 3 (2.79 g, 3.04 mmol), 50% P( t-Bu) 3 (4.0ml, 8.12 mmol), NaO t-Bu (29.25 g, 304.38 mmol), toluene (710ml)을 이용하여 상기 Sub 2-1의 합성법과 같은 방법으로 생성물 Sub 2-2를 20.66 g (수율: 83%) 얻었다.
[129]
3. Sub 2-3 합성예
[130]
[131]
2-bromodibenzo[b,d]thiophene (38.11 g, 144.82 mmol), aniline (14.84 g, 159.30 mmol), Pd 2(dba) 3 (3.98 g, 4.34 mmol), 50% P( t-Bu) 3 (5.6ml, 11.59 mmol), NaO t-Bu (41.76 g, 434.47 mmol), toluene (760ml)을 이용하여 상기 Sub 2-1의 합성법과 같은 방법으로 생성물 Sub 2-3을 30.7 g (수율: 77%) 얻었다.
[132]
4. Sub 2-26 합성예
[133]
[134]
3-Chloro-6-phenyldibenzo[b,d]thiophene (30 g, 0.1 mol), benzen-d5-amine (10 g, 0.1 mol), Pd 2(dba) 3 (2.8 g, 0.03 mol), 50% P( t-Bu) 3 (2.4ml, 006 mol), NaO t-Bu (29.3 g, 0.3 mol), toluene (200ml)을 이용하여 상기 Sub 2-1의 합성법과 같은 방법으로 생성물 Sub 2-26을 32 g (수율: 88%) 얻었다.
[135]
상기와 같은 합성예에 의해 제조된 Sub 2에 속하는 화합물은 아래와 같은 화합물일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 표 2는 하기 화합물의 FD-MS 값을 나타낸 것이다.
[136]
[137]
[표 2]
[138]
[139]
최종화합물의 합성예
[140]
1. P-1 합성예
[141]
[142]
Sub 1-1 (10 g, 0.016 mol)을 toluene (31ml)으로 녹인 후, Sub 2-1 (2.6 g, 0.016 mol), Pd 2(dba) 3 (0.4 g, 0.0005 mmol), 50% P( t-Bu) 3 (0.4ml, 0.001 mmol), NaO t-Bu (4.5 g, 0.05 mol)을 첨가하고 130℃에서 교반하였다. 반응이 종료되면 CH 2Cl 2와 물로 추출한 후, 유기층을 MgSO 4로 건조하고 농축하였다. 이후, 농축물을 실리카겔 칼럼을 이용하여 분리한 후 재결정하여 생성물 P-1을 10 g (수율: 83%)를 얻었다.
[143]
2. P-13 합성예
[144]
[145]
Sub 1-5 (13 g, 0.024mol), Sub 2-10 (8.5 g, 0.024 mol), Pd 2(dba) 3 (0.7 g, 0.0007 mol), P( t-Bu) 3 (0.6mL, 0.0007 mmol), NaO t-Bu (7 g, 0.07 mol), toluene (31ml)을 이용하여 상기 P-1의 합성법과 같은 방법으로 생성물 P-13을 17 g (수율: 82%) 얻었다.
[146]
3. P-22 합성예
[147]
[148]
Sub 1-17 (12 g, 0.02 mol), Sub 2-23 (9.8 g, 0.02 mol), Pd 2(dba) 3 (0.61 g, 0.0007 mol), P( t-Bu) 3 (0.5mL, 0.001 mmol), NaO t-Bu (6.4 g, 0.06 mol), toluene (33ml)을 이용하여 상기 P-1합성법과 같은 방법으로 생성물 P-22를 17 g (수율: 80%) 얻었다.
[149]
4. P-59 합성예
[150]
[151]
Sub 1-42 (15 g, 0.023 mol), Sub 2-5 (6.2 g, 0.023 mmol), Pd 2(dba) 3 (0.65 g, 0.0007 mol), P( t-Bu) 3 (0.6mL, 0.001 mol), NaO t-Bu (6.9 g, 0.07 mol), toluene (35ml)을 이용하여 상기 P-1합성법과 같은 방법으로 생성물 P-59를 18 g (수율: 883.6%) 얻었다.
[152]
5. P-73 합성예
[153]
[154]
Sub 1-51 (12 g, 0.016 mol), Sub 2-1 (2.8 g, 0.016 mmol), Pd 2(dba) 3 (0.46 g, 0.0005 mol), P( t-Bu) 3 (0.4mL, 0.001 mmol), NaO t-Bu (4.8 g, 0.05 mol)을 이용하여 상기 P-1합성법과 같은 방법으로 생성물 P-72를 11 g (수율: 77%) 얻었다.
[155]
상기와 같은 합성예에 따라 제조된 본 발명의 화합물 P-1 내지 P-80의 FD-MS 값은 하기 표 3과 같다.
[156]
[표 3]
[157]
[158]
[159]
유기전기소자의 제조평가
[160]
[실시예 1] 적색유기전기발광소자 (발광보조층)
[161]
먼저, 유리 기판에 형성된 ITO층(양극) 상에 N 1-(naphthalen-2-yl)-N 4,N 4-bis(4-(naphthalen-2-yl(phenyl)amino)phenyl)-N 1-phenylbenzene-1,4-diamine (2-TNATA로 약기함)를 60 nm 두께로 진공증착하여 정공주입층을 형성한 후, 상기 정공주입층 상에 N,N'-Bis(1-naphthalenyl)-N,N'-bis-phenyl-(1,1'-biphenyl)-4,4'-diamine (이하 NPB로 약기함)를 60 nm 두께로 진공증착하여 정공수송층을 형성하였다. 이어서, 상기 정공수송층 상에 본 발명의 화합물 P-1을 20 nm의 두께로 진공증착하여 발광보조층을 형성한 후, 상기 발광보조층 상에 4,4'-N,N'-dicarbazole-biphenyl (이하 “CBP”로 약기함)를 호스트 물질로, bis-(1-phenylisoquinolyl)iridium(Ⅲ)acetylacetonate (이하 "(piq) 2Ir(acac)"로 약기함)을 도판트 물질로 사용하고 95:5 중량비로 도핑하여 30 nm 두께로 진공증착하여 발광층을 형성하였다.
[162]
다음으로, 상기 발광층 상에 (1,1'-biphenyl-4-olato)bis(2-methyl-8-quinolinolato)aluminum (이하 "BAlq"로 약기함)을 5 nm 두께로 진공증착하여 정공저지층을 형성하고, 상기 정공저지층 상에 tris-(8-hydroxyquinoline)aluminum (이하 "Alq3"로 약기함)을 40 nm 두께로 진공증착하여 전자수송층을 형성하였다. 이후, LiF를 0.2 nm 두께로 증착하여 전자주입층을 형성하고, 이어서 Al을 150 nm의 두께로 증착하여 음극을 형성하였다.
[163]
[실시예 2] 내지 [실시예 13] 적색유기전기발광소자 (발광보조층)
[164]
발광보조층 물질로 본 발명의 화합물 P-1 대신 하기 표 4에 기재된 본 발명의 화합물을 사용한 점을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 유기전기발광소자를 제작하였다.
[165]
[비교예 1] 내지 [비교예 3]
[166]
발광보조층 물질로 본 발명의 화합물 P-1 대신 하기 비교화합물 A 내지 비교화합물 C를 각각 사용한 점을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 유기전기발광소자를 제작하였다.
[167]
<비교화합물 A> <비교화합물 B> <비교화합물 C>
[168]
[169]
본 발명의 실시예 1 내지 실시예 13 및 비교예 1 내지 비교예 3에 의해 제조된 유기전기발광소자에 순바이어스 직류전압을 가하여 포토리서치(photoresearch)사의 PR-650으로 전기발광(EL) 특성을 측정하였으며, 그 측정 결과 2500cd/m 2 기준 휘도에서 맥사이언스사에서 제조된 수명 측정 장비를 통해 T95 수명을 측정하였으며, 그 측정 결과는 하기 표 4와 같다.
[170]
[표 4]
[171]
[172]
상기 표 4의 결과로부터 알 수 있듯이, 본 발명의 유기전기소자용 재료를 발광보조층 재료로 사용하여 적색유기전기소자를 제작할 경우, 비교화합물 A 내지 비교화합물 C을 사용한 비교예보다 유기전기발광소자의 구동전압을 낮출 수 있을 뿐만 아니라 발광 효율과 수명 등이 현저히 개선된 것을 확인할 수 있다.
[173]
본 발명은 다이벤조실롤(dibenzosilole) 코어의 벤젠링 양쪽에 아민그룹이 결합되어 있다는 점에서는 동일하지만, 비교화합물과 달리 아민그룹에 다이벤조싸이오펜(dibenzothiophen)이나 다이벤조퓨란(dibenzofuran)과 같은 특정 치환기가 치환되어 있다. 다이벤조싸이오펜이나 다이벤조퓨란이 아미노그룹의 치환기로 도입될 경우 일반 아릴기 또는 비교화합물 B나 비교화합물 C와 같은 다른 치환기가 치환되었을 때보다 굴절률이 현저히 커지고 Tg 값 또한 커지기 때문에, 본 발명의 실시예에 따를 경우 발광 효율 및 열적 안정성이 향상되어 수명 등이 증가되는 것으로 보인다.
[174]
이는 동일한 코어일지라도 아미노그룹에 치환되는 치환기의 종류가 달라지면서 화합물의 물성이 달라지게 되고, 이러한 물성 차이는 화합물을 증착할 때 소자의 성능 향상에 주요인자로 작용하여 소자의 특성이 상이하게 될 수 있다는 것을 시사하고 있다.
[175]
이상, 본 발명을 예시적으로 설명하였으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가지는 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 명세서에 개시된 실시예들은 본 발명을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 사상과 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호범위는 아래의 청구범위에 의해서 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술은 본 발명의 권리범위에 포함하는 것으로 해석되어야 할 것이다.
[176]
CROSS-REFERENCE TO RELATED APPLICATION
[177]
본 특허출원은 2018년 01월 18일 한국에 출원한 특허출원번호 제10-2018-0006547호에 대해 미국 특허법 119조 내지 121조, 365조 (35 U.S.C §19조 내지 §121조, §365조)에 따라 우선권을 주장하며, 그 모든 내용은 참고문헌으로 본 특허출원에 병합된다. 아울러, 본 특허출원은 미국 이외에 국가에 대해서도 위와 동일한 이유로 우선권을 주장하면 그 모든 내용은 참고문헌으로 본 특허출원에 병합된다.

청구범위

[청구항 1]
하기 화학식 1로 표시되는 화합물: <화학식 1> 상기 화학식 1에서, Ar 1 및 Ar 2는 서로 독립적으로 C 6~C 60의 아릴기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C 2~C 60의 헤테로고리기; C 3~C 60의 지방족고리기; C 1~C 50의 알킬기; C 2~C 20의 알켄일기; C 2~C 20의 알킨일기; C 1~C 30의 알콕실기; C 6~C 30의 아릴옥시기; 및 -L'-N(R a)(R b);로 이루어진 군으로 선택되며, 이웃한 기와 서로 결합하여 Si를 포함하는 헤테로고리를 형성할 수 있으며, Ar 3 내지 Ar 6은 서로 독립적으로 C 6~C 60의 아릴기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C 2~C 60의 헤테로고리기; C 3~C 60의 지방족고리기; -L'-N(R a)(R b); 및 하기 화학식 1-1;로 이루어진 군으로 선택되며, 이웃한 기와 서로 결합하여 N을 포함하는 헤테로고리를 형성할 수 있으며, 단, Ar 3 내지 Ar 6 중 적어도 하나는 하기 화학식 1-1이며, <화학식 1-1> X는 O 또는 S이며, R 1 내지 R 4는 서로 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐; C 6~C 60의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로 원자를 포함하는 C 2~C 60의 헤테로고리기; C 3~C 60의 지방족고리기; C 1~C 50의 알킬기; C 2~C 20의 알켄일기; C 1~C 30의 알콕실기; C 6~C 30의 아릴옥시기; 및 -L'-N(R a)(R b);으로 이루어진 군에서 선택되며, 이웃한 기끼리 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있고, n, m 및 o는 각각 0~3의 정수이고, l은 0~4의 정수이며, 이들 각각이 2 이상의 정수인 경우 복수의 각 R 1, 복수의 각 R 2, 복수의 각 R 3, 복수의 각 R 4는 서로 같거나 상이하며, L 1, L 2 및 L은 서로 독립적으로 단일결합; C 6~C 60의 아릴렌기; 플루오렌일렌기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C 2~C 60의 헤테로 아릴렌기; 및 C 3~C 60의 지방족고리기;로 이루어진 군에서 선택되며, 상기 L'은 단일결합; C 6~C 60의 아릴렌기; 플루오렌일렌기; C 3~C 60의 지방족고리기; 및 C 2~C 60의 헤테로고리기;로 이루어진 군에서 선택되며, 상기 R a 및 R b 은 서로 독립적으로 C 6~C 60의 아릴기; 플루오렌일기; C 3~C 60의 지방족고리기; 및 O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C 2~C 60의 헤테로고리기;로 이루어진 군에서 선택되며, 상기 Ar 1 내지 Ar 6, R 1 내지 R 4, 이웃한 기끼리 서로 결합하여 형성한 고리, L 1, L 2, L, L', R a 및 R b는 각각 중수소; 할로겐; C 1-C 20의 알킬기 또는 C 6-C 20의 아릴기로 치환 또는 비치환된 실란기; 실록산기; 붕소기; 게르마늄기; 시아노기; 니트로기; C 1-C 20의 알킬기 또는 C 6-C 20의 아릴기로 치환 또는 비치환된 포스핀옥사이드기; C 1-C 20의 알킬싸이오기; C 1-C 20의 알콕실기; C 1-C 20의 알킬기; C 2-C 20의 알켄일기; C 2-C 20의 알킨일기; C 6-C 20의 아릴기; 중수소로 치환된 C 6-C 20의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P로 이루어진 군에서 선택된 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C 2-C 20의 헤테로고리기; C 3-C 20의 시클로알킬기; C 7-C 20의 아릴알킬기; 및 C 8-C 20의 아릴알켄일기;로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 치환기로 더 치환될 수 있다.
[청구항 2]
제 1항에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화학식 2 또는 화학식 3으로 표시되는 것을 특징으로 하는 화합물: <화학식 2> <화학식 3> 상기 화학식 2 또는 화학식 3에서, X, Ar 1 내지 Ar 5, R 1 내지 R 4, L 1, L 2, n, m, o 및 l은 제1항에서 정의된 것과 같다.
[청구항 3]
제 1항에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화학식 4 내지 화학식 7 중에서 하나로 표시되는 것을 특징으로 하는 화합물: <화학식 4> <화학식 5> <화학식 6> <화학식 7> 상기 화학식 4 내지 화학식 7에서, Ar 1 내지 Ar 6, R 1, R 2, L 1, L 2, n 및 m은 제1항에서 정의된 것과 같다.
[청구항 4]
제 1항에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화학식 8 내지 화학식 10 중에서 하나로 표시되는 것을 특징으로 하는 화합물: <화학식 8> <화학식 9> <화학식 10> 상기 화학식 8 내지 화학식 10에서, Ar 1 내지 Ar 6, R 1, R 2, L 1, L 2, n 및 m은 제1항에서 정의된 것과 같다.
[청구항 5]
제 1항에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화합물 중 하나인 것을 특징으로 하는 화합물: .
[청구항 6]
제 1전극; 제 2전극; 및 상기 제 1전극과 제 2전극 사이에 위치하는 유기물층;을 포함하는 유기전기소자에 있어서, 상기 유기물층은 제1항의 화학식 1로 표시되는 1종 단독 화합물 또는 2종 이상의 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전기소자.
[청구항 7]
제 6항에 있어서, 상기 유기물층은 정공주입층, 정공수송층, 발광보조층, 발광층, 전자수송보조층, 전자수송층 및 전자주입층 중 적어도 하나의 층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전기소자.
[청구항 8]
제 6항에 있어서, 상기 화합물은 정공수송층 또는 발광보조층에 포함되는 것을 특징으로 하는 유기전기소자.
[청구항 9]
제 6항에 있어서, 상기 유기물층은 스핀코팅 공정, 노즐 프린팅 공정, 잉크젯 프린팅 공정, 슬롯코팅 공정, 딥코팅 공정 또는 롤투롤 공정에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전기소자.
[청구항 10]
제 6항의 유기전기소자를 포함하는 디스플레이장치; 및 상기 디스플레이장치를 구동하는 제어부;를 포함하는 전자장치.
[청구항 11]
제 10항에 있어서, 상기 유기전계소자는 유기전기발광소자, 유기태양전지, 유기감광체, 유기트랜지스터, 단색 조명용 소자 및 퀀텀닷 디스플레이용 소자로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 전자장치.

도면

[도1]