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1. CN105075411 - 多层配线基板的制造方法

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[ ZH ]

权利要求书

1.一种多层配线基板的制造方法,其具有:
工序(1),将形成有内层配线的内层材、绝缘层和上层配线用金属箔层叠一体化,在所述上层配线用金属箔和绝缘层中设置从所述上层配线用金属箔到内层配线的直径小于或等于50μm的通孔用孔;
工序(2),在所述通孔用孔内和上层配线用金属箔上形成基底无电解镀层后,通过形成填充电镀层而将所述通孔用孔填埋,形成将所述上层配线用金属箔和内层配线连接的通孔;以及
工序(3),将形成所述填充电镀层后的上层配线用金属箔形成为配线,从而形成上层配线,
其中,在所述工序(2)中,通过形成填充电镀层而进行的通孔用孔的填埋分为两次以上来进行,
具有如下工序:在第二次或第二次以后的各次填充电镀层形成之前,将在先形成的通孔用孔内和上层配线用金属箔上的填充电镀层蚀刻。

2.如权利要求1所述的多层配线基板的制造方法,其中,工序(2)具有:
工序(2-1),在通孔用孔内和上层配线用金属箔上形成基底无电解镀层;
工序(2-2),形成不完全填埋通孔用孔程度的第一次填充电镀层;
工序(2-3),对所述工序(2-2)中形成的第一次填充电镀层表面进行蚀刻;以及
工序(2-4),在所述工序(2-3)中表面进行了蚀刻的第一次填充电镀层上,形成将所述通孔用孔完全填埋的第二次填充电镀层。

3.如权利要求1所述的多层配线基板的制造方法,具有如下工序:在第二次或第二次以后的各次填充电镀层形成之前,将在紧前形成的填充电镀层的表面蚀刻,蚀刻至在先形成的上层配线用金属箔上的填充电镀层厚度成为一半以下。

4.如权利要求2所述的多层配线基板的制造方法,在工序(2-3)中,蚀刻至在先形成的上层配线用金属箔上的填充电镀层厚度成为一半以下。