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1. WO2020155887 - PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRAT DE RÉSEAU, ET SUBSTRAT DE RÉSEAU

Numéro de publication WO/2020/155887
Date de publication 06.08.2020
N° de la demande internationale PCT/CN2019/125208
Date du dépôt international 13.12.2019
CIB
H01L 21/48 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
48Fabrication ou traitement de parties, p.ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes H01L21/06-H01L21/326218
H01L 23/498 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
48Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
488formées de structures soudées
498Connexions électriques sur des substrats isolants
CPC
G02F 1/136227
GPHYSICS
02OPTICS
FDEVICES OR ARRANGEMENTS, THE OPTICAL OPERATION OF WHICH IS MODIFIED BY CHANGING THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIUM OF THE DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF THE INTENSITY, COLOUR, PHASE, POLARISATION OR DIRECTION OF LIGHT, e.g. SWITCHING, GATING, MODULATING OR DEMODULATING; TECHNIQUES OR PROCEDURES FOR THE OPERATION THEREOF; FREQUENCY-CHANGING; NON-LINEAR OPTICS; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
1Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
01for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
13based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
1362Active matrix addressed cells
136227Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer
H01L 21/48
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
48Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
H01L 21/76804
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
768Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device ; comprising conductors and dielectrics
76801characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
76802by forming openings in dielectrics
76804by forming tapered via holes
H01L 23/498
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; ; Selection of materials therefor
488consisting of soldered ; or bonded; constructions
498Leads, ; i.e. metallisations or lead-frames; on insulating substrates, ; e.g. chip carriers
H01L 23/5329
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
52Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another ; , i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
522including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
532characterised by the materials
5329Insulating materials
H01L 27/124
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
12the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
1214comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
124with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
Déposants
  • 京东方科技集团股份有限公司 BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD. [CN]/[CN]
  • 合肥鑫晟光电科技有限公司 HEFEI XINSHENG OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. [CN]/[CN]
Inventeurs
  • 程磊磊 CHENG, Leilei
  • 方金钢 FANG, Jingang
  • 丁录科 DING, Luke
  • 刘军 LIU, Jun
  • 李伟 LI, Wei
  • 周斌 ZHOU, Bin
Mandataires
  • 中科专利商标代理有限责任公司 CHINA SCIENCE PATENT & TRADEMARK AGENT LTD.
Données relatives à la priorité
201910108116.X02.02.2019CN
Langue de publication chinois (ZH)
Langue de dépôt chinois (ZH)
États désignés
Titre
(EN) ARRAY SUBSTRATE MANUFACTURING METHOD, AND ARRAY SUBSTRATE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRAT DE RÉSEAU, ET SUBSTRAT DE RÉSEAU
(ZH) 阵列基板的制作方法以及阵列基板
Abrégé
(EN)
Disclosed are an array substrate manufacturing method, and an array substrate. The array substrate manufacturing method comprises: successively forming a first metal layer and an insulating layer on a base, wherein the insulating layer covers the first metal layer (201); forming an etching stop layer on the insulating layer (202); etching the etching stop layer and the insulating layer multiple times, wherein during each etching process, an effective stop region of the etching stop layer for etching is gradually reduced, so as to form a connection hole penetrating through the insulating layer, the connection hole comprises a plurality of via holes successively in communication with each other, and the slope angle of a hole wall of each via hole is less than a pre-set slope angle (203); and forming a second metal layer, wherein the second metal layer is connected to the first metal layer via the connection hole (204).
(FR)
La présente invention porte sur un procédé de fabrication de substrat de réseau et sur un substrat de réseau. Le procédé de fabrication de substrat de réseau comprend : la formation successive d'une première couche métallique et d'une couche isolante sur une base, la couche isolante recouvrant la première couche métallique (201) ; la formation d'une couche d'arrêt de gravure sur la couche isolante (202) ; la gravure de la couche d'arrêt de gravure et de la couche isolante plusieurs fois, pendant chaque processus de gravure, une région d'arrêt efficace de la couche d'arrêt de gravure pour gravure est progressivement réduite, de manière à former un trou de connexion pénétrant à travers la couche isolante, le trou de connexion comprend une pluralité de trous d'interconnexion successivement en communication les uns avec les autres, et l'angle de pente d'une paroi de trou de chaque trou d'interconnexion est inférieur à un angle de pente prédéfini (203) ; et la formation d'une seconde couche métallique, la seconde couche métallique étant reliée à la première couche métallique par l'intermédiaire du trou de connexion (204).
(ZH)
一种阵列基板的制作方法以及阵列基板。阵列基板的制作方法包括在衬底上依次形成第一金属层和绝缘层,所述绝缘层覆盖所述第一金属层(201);在所述绝缘层上形成刻蚀阻挡层(202);对所述刻蚀阻挡层和所述绝缘层进行多次刻蚀,每次刻蚀时所述刻蚀阻挡层对刻蚀的有效阻挡区域逐次减小,形成贯穿所述绝缘层的连接孔,其中,所述连接孔包括多个依次连通的过孔,且每个过孔的孔壁的坡度角均小于预设坡度角(203);形成第二金属层,所述第二金属层通过所述连接孔与所述第一金属层连接(204)。
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