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1. WO2021060595 - DISPOSITIF D'AFFICHAGE UTILISANT DES MICRO-DEL ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION

Numéro de publication WO/2021/060595
Date de publication 01.04.2021
N° de la demande internationale PCT/KR2019/012920
Date du dépôt international 02.10.2019
CIB
H01L 27/15 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
15comprenant des composants semi-conducteurs avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière
H01L 33/00 2010.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
H01L 21/768 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
71Fabrication de parties spécifiques de dispositifs définis en H01L21/7089
768Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
H01L 21/28 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
28Fabrication des électrodes sur les corps semi-conducteurs par emploi de procédés ou d'appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/268177
CPC
H01L 21/28
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
28Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
H01L 21/76838
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
768Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device ; comprising conductors and dielectrics
76838characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
H01L 21/76895
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
768Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device ; comprising conductors and dielectrics
76838characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
76895Local interconnects; Local pads, as exemplified by patent document EP0896365
H01L 2224/0344
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
03Manufacturing methods
034by blanket deposition of the material of the bonding area
0343in solid form
03436Lamination of a preform, e.g. foil, sheet or layer
0344by transfer printing
H01L 27/156
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
15including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission
153in a repetitive configuration, e.g. LED bars
156two-dimensional arrays
H01L 33/005
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
005Processes
Déposants
  • 엘지전자 주식회사 LG ELECTRONICS INC. [KR]/[KR]
Inventeurs
  • 박칠근 PARK, Chilkeun
  • 김정훈 KIM, Junghoon
  • 임충현 LIM, Chunghyun
Mandataires
  • 특허법인(유한)케이비케이 KBK & ASSOCIATES
Données relatives à la priorité
10-2019-011859326.09.2019KR
Langue de publication coréen (KO)
Langue de dépôt coréen (KO)
États désignés
Titre
(EN) DISPLAY DEVICE USING MICRO-LEDS AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF D'AFFICHAGE UTILISANT DES MICRO-DEL ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(KO) 마이크로 LED를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법
Abrégé
(EN)
The present specification provides a display device using semiconductor light-emitting diodes which are self-assembled in fluid, and a method for manufacturing same. Specifically, the semiconductor light-emitting diode comprises: a first-conductive-type electrode layer and a second-conductive-type electrode layer; a first-conductive-type semiconductor layer electrically connected to the first-conductive-type electrode layer; an active layer provided on the first-conductive-type semiconductor layer; and a second-conductive-type semiconductor layer provided on the active layer and electrically connected to the second-conductive-type electrode layer, wherein one surface of the second-conductive-type semiconductor layer comprises a mesa structure formed by etching a portion of the one surface, and the second-conductive-type electrode layer is provided on the one surface comprising the mesa structure of the second-conductive-type semiconductor layer.
(FR)
La présente invention concerne un dispositif d'affichage utilisant des diodes électroluminescentes à semi-conducteur qui sont auto-assemblées dans un fluide, et son procédé de fabrication. Spécifiquement, la diode électroluminescente à semi-conducteur comprend : une couche d'électrode de premier type de conductivité et une couche d'électrode de second type de conductivité ; une couche semi-conductrice de premier type de conductivité connectée électriquement à la couche d'électrode de premier type de conductivité ; une couche active disposée sur la couche semi-conductrice de premier type de conductivité ; et une couche semi-conductrice de second type de conductivité disposée sur la couche active et connectée électriquement à la couche d'électrode de second type de conductivité, une surface de la couche semi-conductrice de second type de conductivité comprenant une structure mesa formée par gravure d'une partie de ladite surface, et la couche d'électrode de second type de conductivité est disposée sur la première surface comprenant la structure mesa de la couche semi-conductrice de second type de conductivité.
(KO)
본 명세서에서는 유체 내에서 자가 조립되는 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법을 제공한다. 구체적으로 상기 반도체 발광 소자는, 제1 도전형 전극층 및 제2 도전형 전극층; 상기 제1 도전형 전극층과 전기적으로 연결되는 제1 도전형 반도체층; 상기 제1 도전형 반도체층 상에 위치하는 활성층; 및 상기 활성층 상에 위치하고, 상기 제2 도전형 전극층과 전기적으로 연결되는 제2 도전형 반도체층을 포함하고, 상기 제2 도전형 반도체층의 일면은 상기 일면의 일부가 식각되어 형성되는 메사 구조를 포함하고, 상기 제2 도전형 전극층은 상기 제2 도전형 반도체층의 메사 구조를 포함하는 상기 일면 상에 위치하는 것을 특징으로 한다.
Également publié en tant que
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