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1. WO2000036638 - PROCEDE DE COMMANDE D'UN APPAREIL DE GRAVURE PAR PLASMA HAUTE DENSITE, DESTINE A DIMINUER TOUT ENDOMMAGEMENT D'UN DISPOSITIF A TRANSISTOR

US6255221Methods for running a high density plasma etcher to achieve reduced transistor device damage
Appl.Date 17.12.1998
N° de demande 09215020 Déposant Lam Research Corporation Related Type IC5
Priorité unique au sein de la famille.
Type de publication B1 Langue de publication en
Date de publication 03.07.2001
JP2002532899損傷の少ないトランジスタデバイスを達成する高密度プラズマエッチング装置の稼働方法
Appl.Date 13.12.1999
N° de demande 2000588796 Déposant ラム リサーチ コーポレイション Related Type IC2
Ouverture de la phase nationale d'une demande PCT.

Si cette demande n'est pas visible dans l'onglet Phase nationale de la demande PCT, sa relation avec la demande PCT est identifiée à l'aide des informations de ses données bibliographiques, relatives au dépôt ou à la publication PCT ou régional(e).

Type de publication A Langue de publication ja
Date de publication 02.10.2002
WO/2000/036638METHODS FOR RUNNING A HIGH DENSITY PLASMA ETCHER TO ACHIEVE REDUCED TRANSISTOR DEVICE DAMAGE
Appl.Date 13.12.1999
N° de demande PCT/US1999/029532 Déposant LAM RESEARCH CORPORATION Related Type IC1
Demande PCT à l'origine de la famille.
Type de publication A Langue de publication en
Date de publication 22.06.2000
US20020029853Methods for running a high density plasma etcher to achieve reduced transistor device damage
Appl.Date 30.05.2001
N° de demande 09870968 Déposant COOK JOEL M. Related Type IC2
Ouverture de la phase nationale d'une demande PCT.

Si cette demande n'est pas visible dans l'onglet Phase nationale de la demande PCT, sa relation avec la demande PCT est identifiée à l'aide des informations de ses données bibliographiques, relatives au dépôt ou à la publication PCT ou régional(e).

Type de publication A1 Langue de publication en
Date de publication 14.03.2002