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1. WO1995007543 - FABRICATION ET STRUCTURE DE DISPOSITIFS EMETTEURS D'ELECTRONS POSSEDANT UNE DENSITE D'INTEGRATION ELEVEE

Numéro de publication WO/1995/007543
Date de publication 16.03.1995
N° de la demande internationale PCT/US1994/009762
Date du dépôt international 08.09.1994
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 07.04.1995
CIB
H01J 1/304 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
JTUBES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE OU LAMPES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE
1Détails des électrodes, des moyens de commande magnétiques, des écrans, ou du montage ou de l'espacement de ces éléments, communs au moins à deux types de base de tubes ou lampes à décharge
02Electrodes principales
30Cathodes froides
304Cathodes à émission d'électrons de champ
H01J 3/02 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
JTUBES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE OU LAMPES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE
3Détails des dispositifs électronoptiques ou ionoptiques ou des pièges à ions, communs au moins à deux types de base de tubes ou de lampes à décharge
02Canons à électrons
H01J 9/02 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
JTUBES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE OU LAMPES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE
9Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication de tubes à décharge électrique, de lampes à décharge électrique ou de leurs composants; Récupération de matériaux à partir de tubes ou de lampes à décharge
02Fabrication des électrodes ou des systèmes d'électrodes
CPC
B82Y 10/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
82NANOTECHNOLOGY
YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
10Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
H01J 1/3042
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
1Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
02Main electrodes
30Cold cathodes, e.g. field-emissive cathode
304Field-emissive cathodes
3042microengineered, e.g. Spindt-type
H01J 2201/30403
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
2201Electrodes common to discharge tubes
30Cold cathodes
304Field emission cathodes
30403characterised by the emitter shape
H01J 2201/30457
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
2201Electrodes common to discharge tubes
30Cold cathodes
304Field emission cathodes
30446characterised by the emitter material
30453Carbon types
30457Diamond
H01J 2201/319
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
2201Electrodes common to discharge tubes
30Cold cathodes
319Circuit elements associated with the emitters by direct integration
H01J 3/022
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
3Details of electron-optical or ion-optical arrangements or of ion traps common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
02Electron guns
021Electron guns using a field emission, photo emission, or secondary emission electron source
022with microengineered cathode, e.g. Spindt-type
Déposants
  • SILICON VIDEO CORPORATION [US]/[US]
Inventeurs
  • MACAULAY, John, M.
  • SPINDT, Christopher, J.
  • SEARSON, Peter, C.
  • DUBOC, Robert, M., Jr.
Mandataires
  • MEETIN, Ronald, J.
Données relatives à la priorité
118,49008.09.1993US
158,10224.11.1993US
269,22929.06.1994US
Langue de publication Anglais (en)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) FABRICATION AND STRUCTURE OF ELECTRON-EMITTING DEVICES HAVING HIGH EMITTER PACKING DENSITY
(FR) FABRICATION ET STRUCTURE DE DISPOSITIFS EMETTEURS D'ELECTRONS POSSEDANT UNE DENSITE D'INTEGRATION ELEVEE
Abrégé
(EN) Electron-emissive elements in area electron emitters suitable for flat-panel displays are fabricated at high packing density. The electron-emissive elements have various shapes such as filaments (30A, 30B, or 30/88D1), cones (1181 or 142D), and cone-topped pedestals (92/1021). A typical emitter contains a substrate (20) that provides structural support. A patterned lower non-insulating region (22) formed with parallel lines is provided over insulating material of the substrate. Electron-emissive filaments (30A, 30B, or 30/88D1) are formed in pores (281) extending through an insulating layer (24) furnished over the lower non-insulating region. A patterned non-insulating gate layer (34B, 40B, or 46B) is typically provided over the insulating layer to form a gated device. Charged-particle tracks (261 or 50A1/50B1) are preferably employed to define locations for electron-emissive features. Usage of charged-particle tracks enables the electron-emissive features to be quite small and spaced closely together.
(FR) Des éléments émetteurs d'électrons d'émetteurs d'électrons à groupe s'utilisant dans des affichages par panneau sont fabriqués à une densité d'intégration élevée. Ces éléments présentent différentes formes telles que des filaments (30A, 30B ou 30/88D1), des cônes (118, ou 142D) et des socles à sommet conique (92/1021). Un émetteur typique contient un substrat (20) constituant un support de structure. Une région inférieure non isolante à motifs (22) comportant des lignes parallèles se trouve au-dessus du matériau isolant du substrat. Des filaments émetteurs d'électrons (30A, 30B ou 30/88D1) se trouvent dans les pores (281) s'étendant à travers une couche isolante (24) située au-dessus de la zone inférieure non isolante. Une couche porte non isolante à motifs (34B, 40B ou 46B) se trouve au-dessus de la couche isolante, de façon à constituer un dispositif commandé par porte. Des pistes à particules chargées (261 ou 50A1/50B1) s'utilisent de préférence pour définir des emplacements présentant des caractéristiques d'émission d'électrons. L'utilisation de ces pistes permet aux dispositifs d'émission d'électrons d'être de petite dimension et serrés les uns par rapport aux autres.
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