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Paramétrages

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1. JP2007238989 - METHOD FOR MANUFACTURING DIAMOND ELECTRODE

Office
Japon
Numéro de la demande 2006060975
Date de la demande 07.03.2006
Numéro de publication 2007238989
Date de publication 20.09.2007
Type de publication A
CIB
C23C 16/27
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
23REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
CREVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
16Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD)
22caractérisé par le dépôt de matériaux inorganiques, autres que des matériaux métalliques
26Dépôt uniquement de carbone
27Le diamant uniquement
C30B 29/04
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
29Monocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée caractérisés par leurs matériaux ou par leur forme
02Eléments
04Diamant
CPC
C02F 1/46109
CCHEMISTRY; METALLURGY
02TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
FTREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
1Treatment of water, waste water, or sewage
46by electrochemical methods
461by electrolysis
46104Devices therefor; Their operating or servicing
46109Electrodes
C02F 1/4672
CCHEMISTRY; METALLURGY
02TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
FTREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
1Treatment of water, waste water, or sewage
46by electrochemical methods
461by electrolysis
467by electrochemical disinfection; by electrooxydation or by electroreduction
4672by electrooxydation
C02F 2001/46138
CCHEMISTRY; METALLURGY
02TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
FTREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
1Treatment of water, waste water, or sewage
46by electrochemical methods
461by electrolysis
46104Devices therefor; Their operating or servicing
46109Electrodes
46133characterised by the material
46138Electrodes comprising a substrate and a coating
C02F 2001/46147
CCHEMISTRY; METALLURGY
02TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
FTREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
1Treatment of water, waste water, or sewage
46by electrochemical methods
461by electrolysis
46104Devices therefor; Their operating or servicing
46109Electrodes
46133characterised by the material
46138Electrodes comprising a substrate and a coating
46147Diamond coating
C02F 2201/4617
CCHEMISTRY; METALLURGY
02TREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
FTREATMENT OF WATER, WASTE WATER, SEWAGE, OR SLUDGE
2201Apparatus for treatment of water, waste water or sewage
46Apparatus for electrochemical processes
461Electrolysis apparatus
46105Details relating to the electrolytic devices
4616Power supply
4617DC only
C23C 16/271
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
22characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
26Deposition of carbon only
27Diamond only
271using hot filaments
Déposants EBARA CORP
株式会社荏原製作所
DIACCON GMBH
ディアコン ゲーエムベーハー
Inventeurs SERIKAWA ROBERUTO MASAHIRO
芹川 ロベルト 正浩
SASAKI KENICHI
佐々木 賢一
RUEFFER MARTIN
ルファー,マルティン
FORETA MICHAEL
フォレタ,ミカエル
Mandataires 大野 聖二
森田 耕司
田中 玲子
北野 健
Titre
(EN) METHOD FOR MANUFACTURING DIAMOND ELECTRODE
(JA) ダイヤモンド電極の製造方法
Abrégé
(EN)

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a diamond electrode having excellent stability and a method for manufacturing the diamond electrode at a low cost.

SOLUTION: The manufacturing method comprises controlling a CVD process in such a manner that pressure below 2.0 mBar and methane concentration below 2% can be attained, thereby forming the diamond electrode having a single and uniform layer composed of polyacrystalline diamond of <1 m grain size and exhibiting Raman quality exceeding 50%. Also, the method includes a process of using diamond of a nanosize as a seed crystal prior to the CVD process.

COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT


(JA)

【課題】安定性に優れたダイヤモンド電極、および低コストで該ダイヤモンド電極を製造する方法の提供。
【解決手段】CVD工程を20mBar未満の圧力および2%未満のメタン濃度になるように制御することにより、粒子サイズが1μm未満の多結晶ダイヤモンドからなる単一で均一な層を有し、50%を超えるラマン品質を示すダイヤモンド電極を形成する。また、CVD工程の前にナノサイズのダイヤモンドを種結晶として用いる工程を含む。
【選択図】図2


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