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1. WO1991007666 - CAPTEUR DE POTENTIEL UTILISANT UN CRISTAL ELECTRO-OPTIQUE ET PROCEDE DE MESURE DE POTENTIEL

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[ JA ]

請 求 の 範 囲

( 1 ) 低抵抗化合物半導体基板上にェピタキシャル成長によ り、高抵抗化合物半導体層を形成したことを特徴とする電気 光学結晶を用いた電位センサ。

( 2 ) 低抵抗化合物半導体及び高抵抗化合物半導体は、バン ドギャップを大きくしたことを特徴とする請求項 1記載の電 気光学結晶を用いた電位センサ。

( 3 ) 高抵抗化合物半導体層上に誘電体反射膜を形成したこ とを特徴とする請求項 1 または 2記載の電気光学結晶を用い た電位センサ。

( 4 ) 請求項 1〜 3のち何れか 1項記載のセンサを被測定体 に近接して対向配置するどともに低抵抗化合物半導体基板を 接地し、 直線偏光、楕円偏光、あるいは円偏光を照射して偏 光状態の変化から被測定体の電位を測定することを特徴とす る電位測定方法。