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1. (WO2003061119) ELEMENT D'ONDE ACOUSTIQUE DE SURFACE ET PROCEDE DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2003/061119 N° de la demande internationale : PCT/JP2003/000362
Date de publication : 24.07.2003 Date de dépôt international : 17.01.2003
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 : 06.05.2003
CIB :
H03H 3/08 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
H
RÉSEAUX D'IMPÉDANCES, p.ex. CIRCUITS RÉSONNANTS; RÉSONATEURS
3
Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication de réseaux d'impédance, de circuits résonnants, de résonateurs
007
pour la fabrication de résonateurs ou de réseaux électromécaniques
08
pour la fabrication de résonateurs ou de réseaux utilisant des ondes acoustiques de surface
Déposants :
HATTORI, Wataru [JP/JP]; JP (UsOnly)
NEC CORPORATION [JP/JP]; 7-1, Shiba 5-chome Minato-ku, Tokyo 108-8001, JP (AllExceptUS)
Inventeurs :
HATTORI, Wataru; JP
Mandataire :
IKEDA, Noriyasu ; The 3rd Mori Building 4-10, Nishishinbashi 1-chome Minato-ku, Tokyo 105-0003, JP
Données relatives à la priorité :
2002-850117.01.2002JP
Titre (EN) SURFACE ACOUSTIC WAVE ELEMENT AND METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) ELEMENT D'ONDE ACOUSTIQUE DE SURFACE ET PROCEDE DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé :
(EN) A template (3) manufactured to have high−accuracy protrusions and recesses in advance by a lithography technology employing an electron beam is pressed against a resist film (2) applied onto a substrate (1) thus transferring a resist pattern (5). A thin metal film (6) for electrode is then formed on the resist pattern (5) formed by transfer and then it is stripped off by a lift−off method along with the resist film (2).
(FR) L'invention concerne un gabarit (3) présentant des protubérances et des évidements très précis que l'on obtient par la technologie de lithographie utilisant un faisceau électronique. Ledit gabarit est plaqué contre un film de protection (2) appliqué sur un substrat (1) transférant ainsi un motif de protection (5). Un film métallique mince (6) pour électrode est ensuite formé sur le motif de protection (5) obtenu par transfert, puis décapé par un procédé de retrait et grâce au film de protection (2).
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États désignés : CN, US
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)