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1. DE112007001522 - Verfahren zum Ausbilden eines Mikroelektronikbauelements in Form eines Transistors und ein gemäß dem Verfahren ausgebildeter Transistor

Office
Allemagne
Numéro de la demande 112007001522
Date de la demande 26.06.2007
Numéro de publication 112007001522
Date de publication 26.01.2012
Type de publication B4
CIB
H01L 21/336
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
334Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type unipolaire
335Transistors à effet de champ
336à grille isolée
H01L 29/78
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66Types de dispositifs semi-conducteurs
68commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76Dispositifs unipolaires
772Transistors à effet de champ
78l'effet de champ étant produit par une porte isolée
B82Y 99/00
BTECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
82NANOTECHNOLOGIE
YUTILISATION OU APPLICATIONS SPÉCIFIQUES DES NANOSTRUCTURES; MESURE OU ANALYSE DES NANOSTRUCTURES; FABRICATION OU TRAITEMENT DES NANOSTRUCTURES
99Matière non prévue dans les autres groupes de la présente sous-classe
CPC
H01L 21/76834
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
768Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device ; comprising conductors and dielectrics
76801characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
76829characterised by the formation of thin functional dielectric layers, e.g. dielectric etch-stop, barrier, capping or liner layers
76834formation of thin insulating films on the sidewalls or on top of conductors
H01L 21/76897
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
768Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device ; comprising conductors and dielectrics
76897Formation of self-aligned vias or contact plugs, i.e. involving a lithographically uncritical step
H01L 29/78
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
68controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
76Unipolar devices ; , e.g. field effect transistors
772Field effect transistors
78with field effect produced by an insulated gate
Déposants Intel Corporation
Inventeurs Change Peter L. D.
Mandataires BOEHMERT & BOEHMERT
Données relatives à la priorité 11478251 28.06.2006 US
Titre
(DE) Verfahren zum Ausbilden eines Mikroelektronikbauelements in Form eines Transistors und ein gemäß dem Verfahren ausgebildeter Transistor
Abrégé
(DE)

Mikroelektronikbauelement mit:
einem Transistorgate;
einem ersten Abstandselement und einem zweiten Abstandselement, welche einer ersten Seite bzw. einer zweiten Seite des Gates benachbart sind;
einer Diffusionsschicht, welche von unten an das Gate angrenzt;
Kontaktbereichen, welche von oben an die Diffusionsschicht angrenzen und dem ersten Abstandselement und dem zweiten Abstandselement benachbart sind; und
einer Schutzkappe, welche von oben an das Gate angrenzt und zwischen den Kontaktbereichen ausgebildet ist, wobei die Schutzkappe dazu eingerichtet ist, die Vorrichtung vor Kurzschlüssen zwischen dem Gate und den Kontaktbereichen zu schützen, und
einer ersten ILD-Schicht, wobei die Schutzkappe ausgebildet ist durch:
Bereitstellen einer Opferkappe auf dem Gate;
Bereitstellen einer zweiten ILD-Schicht, welche die Opferkappe umfasst und von oben an die erste ILD-Schicht angrenzt;
Definieren einer Schutzkappenausnehmung durch Entfernen der Opferkappe aus der zweiten ILD-Schicht;
Ausbilden eines Schutzkappenkörpers durch...