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1. (WO2017198577) DISPOSITIF PHOTOVOLTAÏQUE EN COUCHES MINCES ET PROCÉDÉ DE FABRICATION ASSOCIÉ
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N° de publication :    WO/2017/198577    N° de la demande internationale :    PCT/EP2017/061514
Date de publication : 23.11.2017 Date de dépôt international : 12.05.2017
CIB :
H01L 31/0224 (2006.01), H01L 31/0749 (2012.01), H01L 31/0445 (2014.01)
Déposants : ELECTRICITE DE FRANCE [FR/FR]; 22-30 avenue de Wagram 75008 PARIS (FR).
PARIS SCIENCES ET LETTRES - QUARTIER LATIN [FR/FR]; 60 rue Mazarine 75006 PARIS (FR).
CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE - CNRS - [FR/FR]; 3, rue Michel Ange 75016 PARIS (FR)
Inventeurs : PAIRE, Myriam; (FR).
DUCHATELET, Aurélien; (FR).
GRAND, Pierre-Philippe; (FR).
JUTTEAU, Sébastien; (FR)
Mandataire : CABINET PLASSERAUD; 66 rue de la Chaussée d'Antin 75440 PARIS CEDEX 09 (FR)
Données relatives à la priorité :
1654559 20.05.2016 FR
Titre (EN) THIN-FILM PHOTOVOLTAIC DEVICE AND ASSOCIATED METHOD OF PRODUCTION
(FR) DISPOSITIF PHOTOVOLTAÏQUE EN COUCHES MINCES ET PROCÉDÉ DE FABRICATION ASSOCIÉ
Abrégé : front page image
(EN)A thin-film photovoltaic device (100) is proposed having one of the electrical contacts for which the layout is optimised. The device comprises a substrate (10). A first thin film forming a first electrical contact (1) of the photovoltaic device is arranged on the substrate. An absorber (3) is arranged on the first electrical contact. A second thin film forming a second electrical contact (2) of the photovoltaic device is arranged on the substrate. A transparent conductive layer (5) is arranged on the absorber. In addition, the second electrical contact is separated from the first electrical contact, and the transparent conductive layer is in contact with the absorber and the second electrical contact.
(FR)Il est proposé un dispositif photovoltaïque (100) en couches minces avec un des contacts électriques dont l'agencement est optimisé. Le dispositif comprend un substrat (10). Une première couche mince formant un premier contact électrique (1) du dispositif photovoltaïque est agencée sur le substrat. Un absorbeur (3) est agencé sur le premier contact électrique. Une deuxième couche mince formant un deuxième contact électrique (2) du dispositif photovoltaïque est agencée sur le substrat. Une couche transparente conductrice (5) est agencée sur l'absorbeur. En outre, le deuxième contact électrique est espacé du premier contact électrique et la couche transparente conductrice est en contact avec l'absorbeur et le deuxième contact électrique.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : français (FR)
Langue de dépôt : français (FR)