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1. KR1020170105515 - 연마용 조성물

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[ KO ]
청구의 범위
청구항 1
pH 6 이하의 연마용 조성물이며,실리카 입자의 표면에 술폰산이 고정화되어 이루어지는 술폰산 수식 콜로이달 실리카와, 물을 함유하고,이 때, 상기 술폰산 수식 콜로이달 실리카는, 주사형 전자 현미경을 사용한 화상 해석에 의한 Heywood 직경(원 상당 직경)에 기초하는 체적 평균 입자 직경의 40% 이하의 입경을 갖는 미소 입자의 개수 분포 비율이 10% 이하인 원료 콜로이달 실리카를, 화학적으로 술폰산기로 변환 가능한 관능기를 갖는 실란 커플링제의 존재 하에서 가열하여 반응물을 얻는 제1 반응 공정과,상기 반응물을 처리함으로써 상기 관능기를 술폰산기로 변환시키는 제2 반응 공정을 포함하는 제조 방법에 의해 제조된 술폰산 수식 수성 음이온 실리카졸 유래의 것인, 연마용 조성물.
청구항 2
제1항에 있어서,

상기 제조 방법은, 유기 용매 농도가 1질량% 이상인 콜로이달 실리카 중의 잔류 유기 용매 농도가 1질량% 미만으로 되도록, 콜로이달 실리카와 공존하고 있는 유기 용매를 pH 7 이상의 조건 하에서 증류 제거하여 상기 원료 콜로이달 실리카를 얻는 유기 용매 증류 제거 공정을 더 포함하는, 연마용 조성물.
청구항 3
제1항 또는 제2항에 있어서,

상기 관능기가 머캅토기인, 연마용 조성물.
청구항 4
제3항에 있어서,

상기 처리가 과산화수소를 사용한 산화 처리인, 연마용 조성물.
청구항 5
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,

상기 산화제의 첨가량이 상기 실란 커플링제의 첨가량에 대하여 3 내지 5몰배이며, 얻어진 수성 음이온 실리카졸 중의 잔류 산화제 농도가 500질량ppm 이하인, 연마용 조성물.
청구항 6
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,

상기 제조 방법은, 상기 제1 반응 공정 전에, 상기 원료 콜로이달 실리카에 알칼리 용액 또는 유기 용매를 첨가함으로써, 상기 원료 콜로이달 실리카의 점도를 저하시키는 공정을 더 포함하는, 연마용 조성물.
청구항 7
제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,

상기 제조 방법에 있어서,

상기 제1 반응 공정을, 90℃ 이상의 온도 조건을 30분간 이상 계속시키는 조건에서 실시하는, 연마용 조성물.
청구항 8
제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,

질화규소를 연마하는 용도로 사용되는, 연마용 조성물.
청구항 9
질화규소를 연마하는 용도로 사용되는, pH 6 이하의 연마용 조성물이며,실리카 입자의 표면에 술폰산이 고정화되어 이루어지는 술폰산 수식 콜로이달 실리카를 함유하고,이 때, 상기 술폰산 수식 콜로이달 실리카는, pH 2의 조건 하에서 SiN 웨이퍼에 침지 처리를 실시하고, 계속해서 순수로 세정했을 때에, 상기 SiN 웨이퍼의 표면에 부착되는 체적 평균 입자 직경의 40% 미만의 입경을 갖는 입자의 개수가, 동일하게 부착되는 체적 평균 입자 직경의 40% 이상의 입경을 갖는 입자의 개수에 대하여 50% 이하인, 술폰산 수식 수성 음이온 실리카졸 유래의 것인, 연마용 조성물.
청구항 10
제9항에 있어서,

상기 술폰산 수식 콜로이달 실리카에 있어서의 금속 불순물의 합계 함유량이 1 질량ppm 이하인, 연마용 조성물.
청구항 11
제9항 또는 제10항에 있어서,

상기 술폰산 수식 콜로이달 실리카는, 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 기재된 제조 방법에 의해 제조된 것인, 연마용 조성물.