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1. (WO2012003821) COMPOSANT À TROIS PORTS À COMMANDE IONIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2012/003821    N° de la demande internationale :    PCT/DE2011/001167
Date de publication : 12.01.2012 Date de dépôt international : 03.06.2011
CIB :
H01L 39/14 (2006.01), H01L 39/22 (2006.01), H01L 45/00 (2006.01)
Déposants : FORSCHUNGSZENTRUM JÜLICH GMBH [DE/DE]; 52425 Jülich (DE) (Tous Sauf US).
POPPE, Ulrich [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
WEBER, Dieter [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
DIVIN, Yuriy [RU/DE]; (DE) (US Seulement).
FALEY, Mikhail [RU/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : POPPE, Ulrich; (DE).
WEBER, Dieter; (DE).
DIVIN, Yuriy; (DE).
FALEY, Mikhail; (DE)
Représentant
commun :
FORSCHUNGSZENTRUM JÜLICH GMBH [DE/DE]; Fachbereich Patente 52425 Jülich (DE)
Données relatives à la priorité :
10 2010 026 098.3 05.07.2010 DE
Titre (DE) IONISCH GESTEUERTES DREITORBAUELEMENT
(EN) IONICALLY CONTROLLED THREE-GATE COMPONENT
(FR) COMPOSANT À TROIS PORTS À COMMANDE IONIQUE
Abrégé : front page image
(DE)Die Erfindung betrifft ein Dreitorbauelement, welches durch die Bewegung von Ionen schaltbar ist. Dieses umfasst eine Source-Elektrode (3), eine Drain-Elektrode (3) und einen zwischen die Source-Elektrode und die Drain-Elektrode geschalteten Kanal (2) aus einem Material, dessen elektronische Leitfähigkeit durch Zu- und/oder Abführung von Ionen veränderlich ist. Erfindungsgemäß umfasst das Dreitorbauelement ein mit einer Gate-Elektrode (6) kontaktiertes lonenreservoir (5), welches derart in Verbindung mit dem Kanal steht, dass es bei Beaufschlagung der Gate-Elektrode mit einem Potential Ionen mit dem Kanal auszutauschen vermag. Es wurde erkannt, dass in der Verteilung der insgesamt in lonenreservoir und Kanal vorhandenen Ionen auf lonenreservoir und Kanal Information in dem Dreitorbauelement gespeichert werden kann. Die Verteilung der Ionen auf den Kanal und auf das lonenreservoir ändert sich dann und nur dann, wenn ein entsprechendes treibendes Potential an der Gate-Elektrode angelegt wird. Im Gegensatz zu RRAMs existiert daher kein "time-voltage dilemma".
(EN)The invention relates to a three-gate component which can be switched by the motion of ions. The three-gate component comprises a source electrode (3), a drain electrode (3), and a channel (2) which is connected between the source electrode and the drain electrode and which is made of a material having an electronic conductivity that can be changed by supplying and/or removing ions. According to the invention, the three-gate component has an ion reservoir (5) which is contacted by means of a gate electrode and is connected to the channel in such a way that the ion reservoir (5) can exchange ions with the channel when a potential is applied to the gate electrode. It has been recognized that information can be stored in the three-gate component in the distribution of the total ions present in the ion reservoir and in the channel between the ion reservoir and the channel. The distribution of the ions between the channel and the ion reservoir changes if and only if a corresponding driving potential is applied to the gate electrode. Therefore, in contrast to RRAMs, there is no time-voltage dilemma.
(FR)L'invention concerne un composant à trois ports, commutable par déplacement d'ions. Ce composant comprend une électrode source (3), une électrode drain (3) et un canal (2) relié à l'électrode source et à l'électrode drain, formé d'un matériau dont conductivité électronique peut être modifié par apport et/ou retrait d'ions. Selon l'invention, ce composant à trois ports comporte un réservoir d'ions (5) connecté à une électrode de grille (6) et raccordé au canal de telle manière que lorsqu'une tension est appliquée à l'électrode de grille (6), il devient capable d'échanger des ions avec le canal. On a découvert qu'il était possible d'utiliser la répartition des ions totaux présents entre le réservoir d'ions et le canal pour stocker des informations dans le composant à trois ports. La répartition des ions entre le canal et le réservoir d'ions est modifiée uniquement lorsqu'une tension d'attaque correspondante est appliqué à l'électrode de grille. Ainsi, à la différence des mémoires RRAM, il n'existe pas de "dilemme temps-tension".
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)