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1. WO2020160358 - DISPOSITIF DE MÉMOIRE MAGNÉTIQUE UTILISANT UNE COUCHE DE SEMI-CONDUCTEUR DOPÉ

Numéro de publication WO/2020/160358
Date de publication 06.08.2020
N° de la demande internationale PCT/US2020/016028
Date du dépôt international 31.01.2020
CIB
B82Y 25/00 2011.1
BTECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
82NANOTECHNOLOGIE
YUTILISATION OU APPLICATIONS SPÉCIFIQUES DES NANOSTRUCTURES; MESURE OU ANALYSE DES NANOSTRUCTURES; FABRICATION OU TRAITEMENT DES NANOSTRUCTURES
25Nanomagnétisme, p.ex. magnéto-impédance, magnétorésistance anisotropique, magnétorésistance géante ou magnétorésistance à effet tunnel
G11B 5/39 2006.1
GPHYSIQUE
11ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
BENREGISTREMENT DE L'INFORMATION BASÉ SUR UN MOUVEMENT RELATIF ENTRE LE SUPPORT D'ENREGISTREMENT ET LE TRANSDUCTEUR
5Enregistrement par magnétisation ou démagnétisation d'un support d'enregistrement; Reproduction par des moyens magnétiques; Supports d'enregistrement correspondants
127Structure ou fabrication des têtes, p.ex. têtes à variation d'induction
33Structure ou fabrication de têtes sensibles à un flux
39utilisant des dispositifs magnétorésistifs
G11C 11/15 2006.1
GPHYSIQUE
11ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
CMÉMOIRES STATIQUES
11Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants
02utilisant des éléments magnétiques
14utilisant des éléments à pellicules minces
15utilisant des couches magnétiques multiples
G11C 11/16 2006.1
GPHYSIQUE
11ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
CMÉMOIRES STATIQUES
11Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants
02utilisant des éléments magnétiques
16utilisant des éléments dans lesquels l'effet d'emmagasinage est basé sur l'effet de spin
H01F 10/32 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
FAIMANTS; INDUCTANCES; TRANSFORMATEURS; EMPLOI DE MATÉRIAUX SPÉCIFIÉS POUR LEURS PROPRIÉTÉS MAGNÉTIQUES
10Pellicules magnétiques minces, p.ex. de structure à un domaine
32Multicouches couplées par échange de spin, p.ex. superréseaux à structure nanométrique
H01L 43/12 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
43Dispositifs utilisant les effets galvanomagnétiques ou des effets magnétiques analogues; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
12Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou le traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
CPC
B82Y 25/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
82NANOTECHNOLOGY
YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
25Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
G11B 5/39
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
5Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
127Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
33Structure or manufacture of flux-sensitive heads, ; i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
39using magneto-resistive devices ; or effects
G11C 11/15
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
11Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
02using magnetic elements
14using thin-film elements
15using multiple magnetic layers
G11C 11/16
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
11Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
02using magnetic elements
16using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
H01F 10/32
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
FMAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
10Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
32Spin-exchange-coupled multilayers, e.g. nanostructured superlattices
H01L 43/12
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
43Devices using galvano-magnetic or similar magnetic effects; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof
12Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
Déposants
  • NORTHWESTERN UNIVERSITY [US]/[US]
Inventeurs
  • AMIRI, Pedram Khalili
  • RAZEGHI, Manijeh
Mandataires
  • POREMBSKI, N. Meredith
  • BELL, Callie M.
  • KALAFUT, Christopher
  • MANNING, Michelle
Données relatives à la priorité
62/799,68531.01.2019US
Langue de publication Anglais (en)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) MAGNETIC MEMORY DEVICE USING DOPED SEMICONDUCTOR LAYER
(FR) DISPOSITIF DE MÉMOIRE MAGNÉTIQUE UTILISANT UNE COUCHE DE SEMI-CONDUCTEUR DOPÉ
Abrégé
(EN) Magnetic memory devices are provided. The devices comprise a first ferromagnetic layer, a second ferromagnetic layer, and a tunnel barrier layer composed of a doped semiconductor (instead of an insulator or a dielectric) between the first and second ferromagnetic layers and forming at least one ferromagnetic-doped semiconductor interface.
(FR) Cette invention concerne des dispositifs de mémoire magnétique. Les dispositifs comprennent une première couche ferromagnétique, une seconde couche ferromagnétique, et une couche barrière à effet tunnel composée d'un semi-conducteur dopé (au lieu d'un isolant ou d'un diélectrique) entre les première et seconde couches ferromagnétiques et formant au moins une interface de semi-conducteur dopé ferromagnétique.
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