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1. WO2020160092 - GRAVURE PAR FAISCEAU D'IONS AVEC TRAITEMENT ET IMPULSION À GAZ

Numéro de publication WO/2020/160092
Date de publication 06.08.2020
N° de la demande internationale PCT/US2020/015587
Date du dépôt international 29.01.2020
CIB
H01L 43/12 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
43Dispositifs utilisant les effets galvanomagnétiques ou des effets magnétiques analogues; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
12Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou le traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
H01L 43/08 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
43Dispositifs utilisant les effets galvanomagnétiques ou des effets magnétiques analogues; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
08Résistances commandées par un champ magnétique
H01L 43/02 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
43Dispositifs utilisant les effets galvanomagnétiques ou des effets magnétiques analogues; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
02Détails
H01J 37/32 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
JTUBES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE OU LAMPES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE
37Tubes à décharge pourvus de moyens permettant l'introduction d'objets ou d'un matériau à exposer à la décharge, p.ex. pour y subir un examen ou un traitement
32Tubes à décharge en atmosphère gazeuse
CPC
H01J 37/32
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
H01L 43/02
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
43Devices using galvano-magnetic or similar magnetic effects; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof
02Details
H01L 43/08
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
43Devices using galvano-magnetic or similar magnetic effects; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof
08Magnetic-field-controlled resistors
H01L 43/12
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
43Devices using galvano-magnetic or similar magnetic effects; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof
12Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
Déposants
  • LAM RESEARCH CORPORATION [US]/[US]
Inventeurs
  • YUN, Seokmin
  • WAN, Zhimin
  • HUANG, Shuogang
  • LI, Weiyi
  • KAMARTHY, Gowri Channa
Mandataires
  • HO, Michael T.
  • WEAVER, Jeffrey K.
  • AUSTIN, James E.
  • VILLENEUVE, Joseph M.
  • SAMPSON, Roger S.
  • GRIFFITH, John F.
  • BERGIN, Denise S.
  • SCHOLZ, Christian D.
Données relatives à la priorité
62/800,05801.02.2019US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) ION BEAM ETCHING WITH GAS TREATMENT AND PULSING
(FR) GRAVURE PAR FAISCEAU D'IONS AVEC TRAITEMENT ET IMPULSION À GAZ
Abrégé
(EN)
One or more layers of a magnetic random access memory (MRAM) stack on a substrate are etched by ion beam etching. An ion beam of an inert gas is generated in an ion beam source chamber and applied to a substrate in a continuous or pulsed manner. Without passing through the ion beam source chamber, a reactive gas is flowed directly into a processing chamber in which the substrate is located, where the reactive gas is pulsed or continuously provided into the processing chamber. The reactive gas may include a carbon-containing gas having a hydroxyl group that is flowed towards the substrate to limit re-deposition of sputtered atoms on exposed surfaces of the substrate from ion beam etching.
(FR)
La présente invention concerne une ou plusieurs couches d'un empilement de mémoire vive magnétique (MRAM) sur un substrat gravées par gravure par faisceau d'ions. Un faisceau d'ions d'un gaz inerte est généré dans une chambre de source de faisceau d'ions et appliqué à un substrat d'une manière continue ou pulsée. Sans passer à travers la chambre de source de faisceau d'ions, un gaz réactif s'écoule directement dans une chambre de traitement dans laquelle se trouve le substrat, le gaz réactif étant pulsé ou fourni en continu dans la chambre de traitement. Le gaz réactif peut comprendre un gaz contenant du carbone ayant un groupe hydroxyle qui est amené à s'écouler vers le substrat pour limiter le re-dépôt d'atomes pulvérisés sur des surfaces exposées du substrat provenant de la gravure par faisceau d'ions.
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