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1. WO2014166166 - SUBSTRAT EN RÉSEAU, PANNEAU D'AFFICHAGE À CRISTAUX LIQUIDES ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE

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[ ZH ]
阵列基板、液晶显示面板及显示装置

技术领域

本发明的实施例涉及一种阵列基板、液晶显示面板及显示装置。

背景技术

在平板显示装置中,薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display, TFT-LCD )具有体积小、功耗低、制造成本相对较低和无辐 射等特点,在当前的平板显示器市场中占据了主导地位。目前, TFT-LCD的 显示模式主要有扭曲向列(Twisted Nematic, TN )模式、垂直取向(Vertical Alignment, VA )模式、平面方向转换(In-Plane Switching, IPS )模式和高 级超维场转换( ADvanced Super Dimension Switch, AD-SDS或 ADS )模式 等。

ADS模式是平面电场宽视角核心技术-高级超维场转换技术(ADvanced

Super Dimension Switch ) , 其核心技术特性描述为:通过同一平面内狭缝电 极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电 场,使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向的液晶分子都能够产生旋 转,从而提高了液晶的工作效率并增大了透光效率。高级超维场转换技术可 以提高 TFT-LCD产品的画面品质,使其具有高分辨率、高透过率、低功耗、 宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹(push Mura )等优点。针对不同 应用, ADS技术的改进技术有高透过率 I-ADS技术、高开口率 H-ADS和高 分辨率 S-ADS技术等。

如图 1所示,图 1为现有技术中的阵列基板的俯视图,现有技术中 ADS 模式的阵列基板上形成有栅线 31和数据线 30, 相邻的栅线 31和数据线 30 限定了亚像素区,每一个亚像素区内形成有一个薄膜晶体管(TFT ) 、条形 公共电极 32和像素电极 33, 公共电极 32与像素电极 33之间形成有绝缘层 (俯视图中未示出)。在无电压时,公共电极 32和像素电极 33之间无电场, 位于阵列基板和彩膜基板之间的液晶分子 34不发生偏转;当施加电压时,公 共电极 32和像素电极 33之间形成水平电场,液晶分子 34沿着电场的方向发

生偏转,从而在宽视角的前提下,实现了较高的透光效率。

现有技术的缺陷在于,如图 2所示,图 2为现有技术中的液晶显示面板 的显示效果图,由于 ADS模式的液晶显示面板 20中像素单元的液晶分子受 到数据线产生的侧向电场的影响,导致像素单元边缘的液晶分子不规则排列, 当液晶显示面板受到外力的情况下(指压 /指划等),像素单元边缘的不规则 排列的液晶分子会带动像素区域内电场相对较弱部分的液晶分子的排列发生 变化,最终表现为液晶显示面板上的压痕或划痕不消失的现象。

发明内容

在本发明的一个实施例中,提供了一种阵列基板,其包括:基板;设置 在所述基板上的第一透明导电层;设置在所述第一导电层上的绝缘层;设置 在所述绝缘层上且与所述第一透明导电层形成水平电场的第二透明导电层; 所述第二透明导电层包括多条透明电极,相邻透明电极之间具有狭缝结构, 且所述每个透明电极的两端分别具有弯折结构。

在本发明的另一个实施例中,提供了一种液晶显示面板,其包括上述阵 列基板。

在本发明的另一个实施例中,提供了一种显示装置,其包括上述阵列基 板。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案,下面将对实施例的附图作 筒单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅涉及本发明的一些实施例, 而非对本发明的限制。

图 1为现有技术中的阵列基板的俯视图;

图 2为现有技术中的液晶显示面板的显示效果图;

图 3为本发明实施例提供的阵列基板的结构示意图;以及

图 4为透明电极端部的弯折结构的结构示意图。

附图标记:

10-基板 11-第一透明导电层 12-绝缘层

13-第二透明导电层 14-透明电极 15-狭缝结构

16-弯折结构 20-液晶显示面板 21-暗线

30-数据线 31-栅线 32-公共电极

33-像素电极 34-液晶分子

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本发 明实施例的附图,对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然, 所描述的实施例是本发明的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于所描 述的本发明的实施例,本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获 得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。

为了提高液晶显示面板的显示效果,本发明实施例提供了一种阵列基板、 液晶显示面板及显示装置。在本发明的技术方案中,通过在透明电极的两端 采用弯折结构,使得透明电极两端的电场与中间电场形成强弱互补的关系, 阻挡了数据线形成的侧电场对正常显示区域内液晶分子的影响,从而提高了 液晶显示面板的显示效果。

如图 3和图 4所示,图 3为本发明实施例提供的阵列基板的结构示意图, 图 4为透明电极端部的弯折结构的结构示意图。

本发明实施例提供了一种阵列基板,其包括:

基板 10;

设置在所述基板 10上的第一透明导电层 11;

设置在所述第一导电层 11上的绝缘层 12;

设置在所述绝缘层 12上且与所述第一透明导电层 11形成水平电场的第 二透明导电层 13; 所述第二透明导电层 13包括多条透明电极 14, 相邻透明 电极 14之间具有狭缝结构 15,且所述每个透明电极 14的两端分别具有弯折 结构 16。

下面将描述本发明实施例提供的阵列基板在液晶显示面板显示画面时的 工作原理。

当阵列基板通电开始工作时,第二透明导电层 13与第一透明导电层 11 在狭缝结构 15之间形成水平电场,从而使设置在阵列基板上方的液晶分子在 水平电场中发生偏转,在通电时,设置在阵列基板上的数据线也会产生侧电 场,从而对位于像素单元边缘的液晶分子的偏转造成影响,此时,增设的弯 折结构 16与第一透明导电层 11形成的水平电场与中间电场形成强弱互补的 关系,边缘弯折区域内电场相对较强的位置与正常显示区域内电场相对较弱 的位置处于同一水平线上,从而阻止了数据线产生的侧电场对正常显示区域 内液晶分子的影响,使液晶分子保持一致的偏转,从而使整个液晶层中液晶 分子的光透过率保持一致。

在本发明实施例提供的阵列基板中,增设的弯折结构 16与第一透明导电 层 11形成的水平电场与中间电场形成强弱互补的关系,·!氏消了数据线形成的 侧电场对像素单元边缘的液晶分子的影响,从而保证了整个液晶层中的液晶 分子的光透过率保持一致,提高了液晶显示面板的显示效果。

在上述实施例中,透明电极 14两端的弯折结构 16的弯折方向可以保持 一致,也可以选择不同,只需保证形成的弯折结构 16与第一透明导电层 11 形成的水平电场能够抵消数据线形成的侧电场对像素单元边缘的液晶分子的 影响即可。在本发明的一些实施例中,例如,所述透明电极 14两端的弯折结 构 16的弯折方向相同,从而在生产阵列基板时便于弯折结构 16的刻蚀。

在上述实施例中,为了进一步降低数据线产生的侧电场对像素单元边缘 的液晶分子的影响,例如,每个透明电极 14的两个弯折结构 16端部的顶点 连线位于相邻两个透明电极 14之间时,为该相邻两个透明电极 14之间的狭 缝结构 15的中心线。这保证了弯折区域内电场相对较强的位置与正常显示区 域内电场相对较弱的位置处于同一水平线上,从而能够抵消数据线形成的侧 电场对显示区域内液晶分子的影响。

在上述实施例中,多条透明电极 14的排列方式可以选择多种,例如,所 述多条透明电极 14呈两两对称的八字形辐射排列。在采用八字形辐射排列的 情况下,能够最大限度的降低本发明实施例对生产条件的要求,便于本发明 实施例的生产。

在上述实施例中,为了使阵列基板形成的电场比较均匀,从而使位于阵 列基板上方的液晶分子在受到电场影响时偏转方向保持一致,例如,所述任 两个透明电极 14的宽度相同,且任两个狭缝结构 15的宽度相同。此外,在 采用此种结构的情况下,在生产阵列基板时还便于透明电极 14的刻蚀生成。

在图 3所示的实施例中,所述第一透明导电层 11为像素电极,所述第二 透明导电层 13为公共电极,所述绝缘层 12设置在公共电极下方,在本实施 例中,公共电极具有多个狭缝结构 15, 且公共电极中的每个单个电极的两端 分别具有弯折结构 16。

在本发明另一实施例中,所述第一透明导电层 11为公共电极,所述第二 透明导电层 13为像素电极,所述绝缘层 12在像素电极下方,则在本实施例 中,像素电极具有多个狭缝结构 15, 且像素电极中的单个电极的两端分别具 有弯折结构 16。

本发明实施例还提供了一种液晶显示面板,其包括上述任一种阵列基板 以及设置在阵列基板上的液晶层。在本发明实施例提供的液晶显示面板中, 通过增设的弯折结构 16与第一透明导电层 11形成的水平电场与中间电场形 成强弱互补的关系,边缘弯折区域内电场相对较强的位置与正常显示区域内 电场相对较弱的位置处于同一水平线上,从而阻止了数据线产生的侧电场对 正常显示区域内液晶分子的影响,使液晶分子保持一致的偏转,从而提高了 液晶显示面板具有较佳的显示效果。

本发明实施例还提供了一种显示装置,其包括上述任一种阵列基板。在 本发明实施例提供的显示装置中,通过增设的弯折结构 16与第一透明导电层 11形成的水平电场与中间电场形成强弱互补的关系,边缘弯折区域内电场相 对较强的位置与正常显示区域内电场相对较弱的位置处于同一水平线上,从 而阻止了数据线产生的侧电场对正常显示区域内液晶分子的影响,使液晶分 子保持一致的偏转,提高了显示装置具有较佳的显示效果。

以上实施例仅用以说明本发明的技术方案,而非对其限制;尽管参照前 述实施例对本发明进行了详细的说明,本领域的普通技术人员应当理解:其 依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术 特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离 本发明各实施例技术方案的精神和范围。