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1. WO1984001240 - STRUCTURE DE TRAVERSEE POUR DISPOSITIFS MICROELECTRONIQUES TRIDIMENSIONNELS

Numéro de publication WO/1984/001240
Date de publication 29.03.1984
N° de la demande internationale PCT/US1983/001389
Date du dépôt international 08.09.1983
CIB
H01L 21/768 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
71Fabrication de parties spécifiques de dispositifs définis en H01L21/7089
768Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
H01L 23/48 2006.1
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
48Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
CPC
H01L 21/743
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
74Making of ; localized; buried regions, e.g. buried collector layers, internal connections ; substrate contacts
743Making of internal connections, substrate contacts
H01L 21/76898
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
768Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device ; comprising conductors and dielectrics
76898formed through a semiconductor substrate
H01L 23/481
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; ; Selection of materials therefor
481Internal lead connections, e.g. via connections, feedthrough structures
H01L 2924/0002
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2924Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
0001Technical content checked by a classifier
0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Déposants
Inventeurs
Données relatives à la priorité
null30.12.1899null
Langue de publication Anglais (en)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) FEEDTHROUGH STRUCTURE FOR THREE DIMENSIONAL MICROELECTRONIC DEVICES
(FR) STRUCTURE DE TRAVERSEE POUR DISPOSITIFS MICROELECTRONIQUES TRIDIMENSIONNELS
Abrégé
(EN) A method and structure for reducing the surface area occupied by feedthrough in a semiconductor substrate. A buried horizontal conducting path (30) is laid down on a major surface (12) of a substrate (10), with one end (32) of the conducting path (30) in electrical and physical contact with the feedthrough (20) (e.g. a thermal gradient zone melt TGZM). An epitaxial layer (40) is put down over the TGZM and over the buried horizontal conducting path (30). Electrical contact is made to the distal end (31) of the buried horizontal conducting path (30) by diffusion through the newly put down epitaxial layer (40) or by etching to the conducting path. The diffused region (50) is of the same dopant characteristics and conductivity type as are the horizontal path (30) and TGZM. The cross-sectional area of the diffusion region (50) is 25 to 30 square microns compared to the 507 to 2027 square microns area of the TGZM. This results in substantial reduction of the surface area occupied by feedthrough structures and allows more devices to be fabricated on the surface of the substrate.
(FR) Procédé et structure permettant de réduire la surface spécifique occupée par une traversée dans un substrat semiconducteur. Un chemin conducteur horizontal noyé (30) est disposé sur une surface principale (12) du substrat (10), une extrémité (32) du chemin conducteur (30) étant en contact électrique et physique avec la traversée (20) (par exemple le résultat d"une fusion en zones à radient thermique TGZM). Une couche épitaxiale (40) est déposée sur le TGZM et sur le chemin conducteur horizontal noyé (30). On effectue un contact électrique sur l"extrémité distale (31) du chemin conducteur horizontal noyé (30) par diffusion au travers de la couche épitaxiale (40) qu"on vient de déposer ou par gravure du chemin conducteur. La région diffusée (50) présente les mêmes caractéristiques de dopant et le même type de conductivité que le chemin horizontal (30) et le TGZM. La zone de section transversale de la région de la diffusion (50) mesure entre 25 et 30 microns carrés comparée à la zone mesurant entre 507 et 2027 microns carrés du TGZM. Cela se traduit par une réduction considérable de la surface spécifique occupée par les structures de traversée et permet de réaliser davantage de dispositifs sur la surface du substrat.
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