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1. (WO2008081225) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FORMATION D'UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR

Pub. No.:    WO/2008/081225    International Application No.:    PCT/IB2007/000522
Publication Date: 10 juil. 2008 International Filing Date: 4 janv. 2007
IPC: H01L 29/78
H01L 21/336
H01L 29/08
H01L 29/423
Applicants: FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC.
STEFANOV, Evgueniy
DERAM, Alain
REYNES, Jean-Michel
Inventors: STEFANOV, Evgueniy
DERAM, Alain
REYNES, Jean-Michel
Title: DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FORMATION D'UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
Abstract:
Un procédé de formation d'un dispositif semi-conducteur comprend la fourniture d'un substrat (4), la fourniture d'une couche semi-conductrice (6) d'un premier type de conductivité sur le substrat (4), la formation d'une première région (8) du premier type de conductivité dans la couche semi-conductrice (6), et la formation d'une grille (26) sur la couche semi-conductrice (6) et sur une partie de la première région (8). La grille délimite une première partie (58) d'une surface (10) du dispositif d'un second type de conductivité, des dopants sont disposés sur la première partie délimitée (58) pour fournir une seconde région (12) dans la couche semi-conductrice (6). La première région (8) et la seconde région (12) sont entraînées dans la couche semi-conductrice de façon à former une région de précommande (8) du premier type de conductivité s'étendant sous une partie de la grille (26) et une région à corps étagé (12) du premier type de conductivité s'étendant sous la région de précommande (8). Une région de corps (14) est formée par la fourniture de dopants du second type de conductivité à la première partie délimitée (58).