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Análisis

1 / 494.934
1.WO/1993/013548WAFER SUSCEPTOR
WO - 08.07.1993
Clasificación Internacional H01L 21/00
HELECTRICIDAD
01ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
LDISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
21Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas
 Nº de solicitud PCT/JP1988/000067 Solicitante OHMI, Tadahiro Inventor/a OHMI, Tadahiro
The present invention relates to a wafer susceptor for supporting and heating semiconductor wafers that is provided in a reaction chamber of an apparatus for fabricating semiconductors. The wafer susceptor comprises a heat-generating support member for supporting and heating the wafer, and a fine coating deposited on the heat-generating support member, said coating having opening(s) through which impurity gases are released from the heat-generating support member.
2.WO/1993/017233METHOD AND DEVICE FOR JUDGING MISFIRE OF INTERNAL COMBUSTION ENGINE
WO - 02.09.1993
Clasificación Internacional F02D 41/14
FMECANICA; ILUMINACION; CALEFACCION; ARMAMENTO; VOLADURA
02MOTORES DE COMBUSTION; PLANTAS MOTRICES DE GASES CALIENTES O DE PRODUCTOS DE COMBUSTION
DCONTROL DE LOS MOTORES DE COMBUSTION
41Control eléctrico de la alimentación de mezcla combustible o de sus constituyentes
02Disposiciones de los circuitos para producir señales de control
14introduciendo las correcciones en bucle cerrado
 Nº de solicitud PCT/JP1990/000693 Solicitante OHSAKI, Masanobu Inventor/a OHSAKI, Masanobu
A device for performing the feedback control of the air-fuel ratio based on the detection signal of an air-fuel ratio sensor in a specified state of operation and the feedforward control of the air-fuel ratio in other state of operation, wherein a misfire is judged from the signal of the air-fuel ratio sensor at the time of the feedforward control to give a warning.
3.WO/1993/017458SOI-TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF PRODUCING THE SAME
WO - 02.09.1993
Clasificación Internacional H01L 21/74
HELECTRICIDAD
01ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
LDISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
21Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas
70Fabricación o tratamiento de dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes de estado sólido o de circuitos integrados formados en o sobre un sustrato común, o de partes constitutivas específicas de éstos; Fabricación de dispositivos de circuito integrado o de partes constitutivas específicas de éstos
71Fabricación de partes constitutivas específicas de dispositivos definidos en el grupo H01L21/70114
74Realización de regiones profundas de alta concentración de impurezas, p. ej. capas colectoras profundas, conexiones internas
 Nº de solicitud PCT/JP1990/001124 Solicitante YOSHIDA, Tohru Inventor/a YOSHIDA, Tohru
An SOI-type semiconductor device having a semiconductor film (15) of a reduced thickness formed on an insulating film (12). The SOI-type semiconductor device has a semiconductor substrate (11), the insulating film (12) that has recessed portions (13a, 13b) and that is formed on the semiconductor substrate (11), and electrically conductive members (14a, 14b) buried in the recessed portions (13a, 13b). The device further has the semiconductor film (15) formed on the insulating film (12) and impurity regions (16) that are formed in the semiconductor film (15) and that are electrically connected to the electrically conductive members (14a, 14b).
4.WO/1993/013203HYBRID CELLS PRODUCING AN ANTIGEN CHARACTERISTIC OF THE HEPATITIS B VIRUS
WO - 08.07.1993
Clasificación Internacional A61K 39/00
ANECESIDADES CORRIENTES DE LA VIDA
61CIENCIAS MEDICAS O VETERINARIAS; HIGIENE
KPREPARACIONES DE USO MEDICO, DENTAL O PARA EL ASEO
39Preparaciones medicinales que contienen antígenos o anticuerpos
 Nº de solicitud PCT/FR1986/000147 Solicitante CHENCINER, Nicole Inventor/a CHENCINER, Nicole
The invention discloses hybrid cells transformed or transformable by a cloned ADN containing the sequence coding for the HBs antigen. Said cells are characterized in that they contain at least part of the monkey hepatocyte cell gene pool and also a genetic marker enabling them to grow in a selective medium or a medium containing an active principle which is normally lethal for the VERO cells from which the hybrid is obtained, but capable of being inactivated by the polypeptide expressed by the said genetic marker.
5.WO/1993/012948CONTROLLER FOR RUNNING VEHICLE AT CONSTANT SPEED
WO - 08.07.1993
Clasificación Internacional B60K 31/04
BTECNICAS INDUSTRIALES DIVERSAS; TRANSPORTES
60VEHICULOS EN GENERAL
KDISPOSICIONES O MONTAJE DE CONJUNTOS DE PROPULSION O DE TRANSMISIONES SOBRE VEHICULOS; DISPOSICIONES O MONTAJE DE VARIOS MOTORES PRINCIPALES DIFERENTES EN VEHÍCULOS; ACCIONAMIENTOS AUXILIARES PARA VEHICULOS; INSTRUMENTACION O TABLEROS DE A BORDO DE VEHICULOS; DISPOSICIONES DE CONJUNTOS DE PROPULSION SOBRE VEHICULOS, RELATIVAS A LA REFRIGERACION, A LA ADMISION DE AIRE, AL ESCAPE DE GASES O A LA ALIMENTACION DE CARBURANTE
31Accesorios actuantes únicamente sobre una sola subunidad, para el control automático de la velocidad, p.ej. prevenir que la velocidad sobrepase un valor determinado o mantener una velocidad particular, seleccionada por el conductor del vehículo
02que comprenden un servomecanismo accionado eléctricamente
04y medios para comparar una variable eléctrica, p. ej. voltaje, impulso, forma de onda, flujo o similar con otra variable de la misma clase, los medios de comparación desarrollan una señal eléctrica con la que se alimentan los medios de control
 Nº de solicitud PCT/JP1987/000616 Solicitante NAITOU, Yasuo Inventor/a NAITOU, Yasuo
A running speed signal (V) detected is input to a running speed detect means (3), and is permitted to pass through the second smoothing means which has smoothing characteristics similar to the speedometer indication independently of a running speed signal (Vs) smoothed by the first smoothing means (10) that is used for control. Thus, when a target speed set signal (Vr) is input, a target speed signal generation means (14) generates a second smoothed running speed signal which allows approximate agreement with a target speed desired by a driver.
6.WO/1993/014991FALTHÜLLE
WO - 05.08.1993
Clasificación Internacional B65D 71/00
BTECNICAS INDUSTRIALES DIVERSAS; TRANSPORTES
65TRANSPORTE; EMBALAJE; ALMACENADO; MANIPULACION DE MATERIALES DELGADOS O FILIFORMES
DRECIPIENTES PARA EL ALMACENAMIENTO O EL TRANSPORTE DE OBJETOS O MATERIALES, p. ej. SACOS, BARRILES, BOTELLAS, CAJAS, LATAS, CARTONES, ARCAS, BOTES, BIDONES, TARROS, TANQUES; ACCESORIOS O CIERRES PARA RECIPIENTES; ELEMENTOS DE EMBALAJE; PAQUETES
71Paquetes de objetos mantenidos juntos por elementos de embalaje por conveniencias de almacenamiento o transporte, p. ej. paquetes con compartimientos para llevar de la mano varios recipientes tales como latas de cerveza o botellas de bebidas gaseosas; Balas o fardos de material
 Nº de solicitud PCT/EP1989/000276 Solicitante KRAUS, Rudolf Inventor/a KRAUS, Rudolf
Falthülle (1) für mehrere in zwei Reihen nebeneinander angebrachte Gegenstände, mit einer Deckfläche (2), zwei Seitenwänden (3, 4) und einem Boden, der aus zwei Abschnitten (7, 8) besteht. Im einen Bodenabschnitt (7) sind Lappen (9) ausgestanzt, welche in Ausnehmungen (11) des anderen Bodenabschnittes (8) eingreifen und dort an weiteren Lappen (12, 13) verhakt werden.
7.WO/1993/013563METHOD OF MANUFACTURING A SEMI-CONDUCTOR STRUCTURE CAPABLE OF PROVIDING A MULTIPLE WAVELENGTH LASER EFFECT, AND DEVICE SO OBTAINED
WO - 08.07.1993
Clasificación Internacional H01L 27/15
HELECTRICIDAD
01ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
LDISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
27Dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores o de otros componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común
15con componentes semiconductores con al menos una barrera de potencial o de superficie, adaptados para la emisión de luz
 Nº de solicitud PCT/FR1987/000414 Solicitante MENIGAUX, Louis Inventor/a MENIGAUX, Louis
A stack having a double heterostructure comprising confinement layers (CC) surrounding active layers (CA) is formed on the substrate S, for example N+ type gallium arsenide. Selective etching is carried out to expose the confinement layers at different levels, for example at CC4, CC3, CC2. The confinement layers first receive the contact layers (CP, P type gallium arsenide). Regions R1, R2, R3 are formed through these layers and establish junctions with the respective next higher active layer (CA1, CA2, CA3). Valleys (V10, V21, V32) are made to isolate the basic stacks defined. A multiple wavelength laser device is obtained after formation of the metal contact deposit and optical preparation of the end surfaces.
8.WO/1993/013578SEMICONDUCTOR LASER DEVICE
WO - 08.07.1993
Clasificación Internacional H01L 21/306
HELECTRICIDAD
01ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
LDISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
21Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas
02Fabricación o tratamiento de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas
04los dispositivos presentan al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie, p. ej. una unión PN, una región de empobrecimiento, o una región de concentración de portadores de cargas
18los dispositivos tienen cuerpos semiconductores que incluyen elementos del Grupo IV de la Tabla Periódica, o de compuestos AIIIBVcon o sin impurezas, p. ej. materiales de dopado
30Tratamiento de cuerpos semiconductores utilizando procesos o aparatos no cubiertos por los grupos H01L21/20-H01L21/26150
302para cambiar las características físicas de sus superficies o para cambiar su forma, p. ej. grabado, pulido, recortado
306Tratamiento químico o eléctrico, p. ej. grabación electrolítica
 Nº de solicitud PCT/JP1989/000303 Solicitante MIYAZAWA, Seiichi Inventor/a MIYAZAWA, Seiichi
In a semiconductor laser device, a semiconductor layer that serves as a substrate on which various semiconductor layers will be stacked has a groove or a protuberance of a trapezoidal shape in cross section that extends in the direction of the resonator. Amphoteric impurities are contained in at least one of the semiconductor layers located on the upstream portion of the active layer of current path through which a current flows when a forward bias voltage is applied to the electrodes.
9.WO/1993/017263HERMETIC SEALING DEVICE
WO - 02.09.1993
Clasificación Internacional F16J 15/32
FMECANICA; ILUMINACION; CALEFACCION; ARMAMENTO; VOLADURA
16ELEMENTOS O CONJUNTOS DE TECNOLOGIA; MEDIDAS GENERALES PARA ASEGURAR EL BUEN FUNCIONAMIENTO DE LAS MAQUINAS O INSTALACIONES; AISLAMIENTO TERMICO EN GENERAL
JPISTONES; CILINDROS; RECIPIENTES A PRESION EN GENERAL; JUNTAS DE ESTANQUEIDAD
15Juntas de estanqueidad
16entre dos superficies móviles la una con relación a la otra
32con juntas elásticas, p. ej. juntas tóricas
 Nº de solicitud PCT/JP1991/000193 Solicitante HEINZEN, Stephen, Raymond Inventor/a HEINZEN, Stephen, Raymond
A hermetic sealing device provided with a main sealing part (S1) for sealing an object to be hermetically sealed and an auxiliary sealing part (S2) disposed on the side opposite to the object of the main sealing part (S1) so as to intercept the entrance of foreign matters, between a first sealing member (10) fluid-tightly fixed to the inner periphery of the shaft bore in the housing (2) and a second sealing member (20) fluid-tightly fixed to the shaft (3) to be inserted into the shaft bore (4) in the housing (2) rotatably relatively thereto, wherein the auxiliary sealing part (S2) is composed of a minute gap having a spiral fluid passage (5) acting as a screw pump for discharging foreign matter to the opposite side of the main sealing part (S1) by the relative rotation of both sealing members for the purpose of increasing sealing capability against foreign matter while allowing dynamic eccentricity. The first sealing member (10) is provided with a flange part (16) to abut on the edge surface (2a) of said housing and a buffer (80) is disposed between the flange part (16) and a radially extended part of the second sealing member (20) and in a position radially outer than the vicinity of bent parts of the outer peripheral fitting part (13) of the first sealing member (10) high in rigidity and of the flange part (16), whereby the first sealing member (10) is resistant to deformation to be caused by an axial load and heat generated in the buffer (80) is prevented from being transmitted to the main sealing part (S1).
10.WO/1993/014376STRUCTURE OF SEMICONDUCTOR ELEMENT FOR DETECTING IMAGE POSITION AND METHOD OF DETECTING IMAGE POSITION
WO - 22.07.1993
Clasificación Internacional H01L 27/144
HELECTRICIDAD
01ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
LDISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
27Dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores o de otros componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común
14con componentes semiconductores sensibles a los rayos infrarrojos, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas o a la radiación corpuscular, y adaptados para convertir la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien como dispositivos de control de la energía eléctrica por tales radiaciones
144Dispositivos controlados por radiación
 Nº de solicitud PCT/JP1988/000662 Solicitante IDESAWA, Masanori Inventor/a IDESAWA, Masanori
A semiconductor element for detecting image position having a photo-electric film and a resistance layer superposed on the layer, wherein the region for detecting image position is divided into a plurality of sections and an output electrode is provided at the boundaries between the sections. Output electrodes across the plurality of sections help first determine the sections in which image exists and which are narrower than said plurality of sections, and the output electrodes across the sections in which the image exists help detect the position of image in the sections, enabling the position of image to be determined from the sections in which the image exists. Resolution for detecting the position of image can be improved nearly in proportion to the number of sections.
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