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Análisis

1 / 74.038
1.WO/1993/001545HIGH-PERFORMANCE RISC MICROPROCESSOR ARCHITECTURE
WO - 21.01.1993
Clasificación Internacional G06F 9/30
GFISICA
06CALCULO; CONTEO
FPROCESAMIENTO ELECTRICO DE DATOS DIGITALES
9Disposiciones para el control por programa, p. ej. unidades de control
06que utilizan programas almacenados, es decir que utilizan una unidad de almacenamiento interna del equipo de procesamiento para recibir o conservar programas
30Disposiciones para ejecutar instrucciones de máquinas, p. ej. decodificación de instrucciones
 Nº de solicitud PCT/JP1992/000868 Solicitante SEIKO EPSON CORPORATION Inventor/a NGUYEN, Le Trong
The high-performance, RISC core based microprocessor architecture permits concurrent execution of instructions obtained from memory through an instruction prefetch unit having multiple prefetch paths allowing for the main program instruction stream, a target conditional branch instruction stream and a procedural instruction stream. The target conditional branch prefetch path allows both possible instruction streams for a conditional branch instruction to be prefetched. The procedural instruction prefetch path allows a supplementary instruction stream to be accessed without clearing the main or target prefetch buffers. Each instruction set includes a plurality of fixed length instructions. An instruction FIFO is provided for buffering instruction sets in a plurality of instruction set buffers including a first buffer and a second buffer. An instruction execution unit including a register file and a plurality of functional units is provided with an instruction control unit capable of examining the instruction sets within the first and second buffers and scheduling any of the instructions for execution by available functional units. Multiple data paths between the functional units and the register file allow multiple independent accesses to the register file by the functional units as necessary for the execution of the respective instructions.
2.WO/2012/005541PORTABLE DISPLAY DEVICE
WO - 12.01.2012
Clasificación Internacional G06F 3/14
GFISICA
06CALCULO; CONTEO
FPROCESAMIENTO ELECTRICO DE DATOS DIGITALES
3Disposiciones de entrada para la transferencia de datos destinados a ser procesados en una forma utilizable por el computador; Disposiciones de salida para la transferencia de datos desde la unidad de procesamiento a la unidad de salida, p. ej. disposiciones de interfaz
14Salida digital hacia un dispositivo de visualización
 Nº de solicitud PCT/KR2011/005017 Solicitante KIM, Si-Han Inventor/a KIM, Si-Han
The present invention relates to a portable display device which includes at least two panel housings, and the panel housings are provided with respective displays, such that the displays are interconnected to form a single screen when the panel housings are unfolded. The entire screen of the display device can be displayed as being divided in a vertical or horizontal direction by the first display and the second display. The first display and the second display contact each other. The portable display device includes a first input device corresponding to the information outputted on the first display and a second input device corresponding to the information outputted on the second display. The first input device and the second input device also contact each other, such that the two input devices can be used as a single input device.
3.WO/2010/004944LIGHT-EMITTING DEVICE AND ELECTRONIC DEVICE USING THE SAME
WO - 14.01.2010
Clasificación Internacional H05B 33/12
HELECTRICIDAD
05TECNICAS ELECTRICAS NO PREVISTAS EN OTRO LUGAR
BCALEFACCION ELECTRICA; ALUMBRADO ELECTRICO NO PREVISTO EN OTRO LUGAR
33Fuentes de luz electroluminiscente
12Fuentes de luz con elementos radiantes que tienen esencialmente dos dimensiones
 Nº de solicitud PCT/JP2009/062253 Solicitante SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. Inventor/a SEO, Satoshi
A lightweight flexible light-emitting device which is able to possess a curved display portion and display a full color image with high resolution and the manufacturing process thereof are disclosed. The light-emitting device comprises: a plastic substrate; an insulating layer with an adhesive interposed therebetween; a thin film transistor over the insulating layer; a protective insulating film over the thin film transistor; a color filter over the protective insulating film; and a white-emissive light-emitting element formed over and being in contact with the thin film transistor.
4.WO/2013/109358COEFFICIENT CODING HARMONIZATION IN HEVC
WO - 25.07.2013
Clasificación Internacional H04N 7/12
HELECTRICIDAD
04TECNICA DE LAS COMUNICACIONES ELECTRICAS
NTRANSMISION DE IMAGENES, p. ej. TELEVISION
7Sistemas de televisión
12Sistemas en los cuales la señal de televisión es transmitida vía uno o varios canales paralelos, siendo el ancho de banda de cada canal inferior al ancho de banda de la señal de televisión
 Nº de solicitud PCT/US2012/069022 Solicitante SONY CORPORATION Inventor/a XU, Jun
Coefficient coding for transform units (TUs) during high efficiency video coding (HEVC), and similar standards, toward simplifying design while enhancing efficiency. Elements of the invention include coefficient coding for TUs with up-right diagonal scans being modified, and selectively applying multi-level significance map coding.
5.WO/2011/145666PULSE OUTPUT CIRCUIT, SHIFT REGISTER, AND DISPLAY DEVICE
WO - 24.11.2011
Clasificación Internacional H03K 19/0175
HELECTRICIDAD
03CIRCUITOS ELECTRONICOS BASICOS
KTECNICA DE IMPULSO
19Circuitos lógicos, es decir, teniendo al menos dos entradas que actúan sobre una salida; Circuitos de inversión
0175Disposiciones para el acoplamiento; Disposiciones para la interfase
 Nº de solicitud PCT/JP2011/061465 Solicitante SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. Inventor/a AMANO, Seiko
In a pulse output circuit in a shift register, a power source line which is connected to a transistor in an output portion connected to a pulse output circuit at the next stage is set to a low-potential drive voltage, and a power source line which is connected to a transistor in an output portion connected to a scan signal line is set to a variable potential drive voltage. The variable potential drive voltage is the low-potential drive voltage in a normal mode, and can be either a high-potential drive voltage or the low-potential drive voltage in a bath mode. In the batch mode, display scan signals can be output to a plurality of scan signal lines at the same timing in a batch.
6.WO/2001/047294METHOD AND APPARATUS FOR A SPECTRALLY COMPLIANT CELLULAR COMMUNICATION SYSTEM
WO - 28.06.2001
Clasificación Internacional H04W 72/04
HELECTRICIDAD
04TECNICA DE LAS COMUNICACIONES ELECTRICAS
WREDES DE COMUNICACION INALAMBRICAS
72Gestión de recursos locales, p. ej. selección o reserva de recursos inalámbricos o planificación de tráfico inalámbrico
04Reserva de recursos inalámbricos
 Nº de solicitud PCT/US2000/034353 Solicitante TANTIVY COMMUNICATIONS, INC. Inventor/a AMALFITANO, Carlo
A system for wireless data transmission that uses a channel bandwidth, channel separation, and radio frequency power spectrum which is compatible with existing deployments of wireless voice services. The transmitted waveforms are thus compatible with existing cellular networks. However, the time domain digital coding, modulation, and power control schemes are optimized for data transmission. Existing cellular network sites can thus be used to provide a high speed service optimized for wireless data traffic without the need for new radio frequency planning, and without interfering with existing voice service deployments.
7.WO/2011/004755SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
WO - 13.01.2011
Clasificación Internacional H01L 21/336
HELECTRICIDAD
01ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
LDISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
21Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas
02Fabricación o tratamiento de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas
04los dispositivos presentan al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie, p. ej. una unión PN, una región de empobrecimiento, o una región de concentración de portadores de cargas
18los dispositivos tienen cuerpos semiconductores que incluyen elementos del Grupo IV de la Tabla Periódica, o de compuestos AIIIBVcon o sin impurezas, p. ej. materiales de dopado
334Procedimientos que comportan varias etapas para la fabricación de dispositivos de tipo unipolar
335Transistores de efecto de campo
336con puerta aislada
 Nº de solicitud PCT/JP2010/061221 Solicitante SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. Inventor/a YAMAZAKI, Shunpei
It is an object to manufacture and provide a highly reliable display device including a thin film transistor with a high aperture ratio which has stable electric characteristics. In a manufacturing method of a semiconductor device having a thin film transistor in which a semiconductor layer including a channel formation region is formed using an oxide semiconductor film, a heat treatment for reducing moisture and the like which are impurities and for improving the purity of the oxide semiconductor film (a heat treatment for dehydration or dehydrogenation) is performed. Further, an aperture ratio is improved by forming a gate electrode layer, a source electrode layer, and a drain electrode layer using conductive films having light transmitting properties.
8.WO/2017/222611INTERACTIVE GAMING AMONG A PLURALITY OF PLAYERS SYSTEMS AND METHODS
WO - 28.12.2017
Clasificación Internacional G07F 17/32
GFISICA
07DISPOSITIVOS DE CONTROL
FAPARATOS ACCIONADOS POR MONEDAS O APARATOS SIMILARES
17Aparatos accionados por monedas para el alquiler de artículos; Instalaciones o servicios accionados por monedas
32para juegos, juguetes, deportes o distracciones
 Nº de solicitud PCT/US2017/020950 Solicitante AG 18, LLC Inventor/a FRENKEL, Brian
A system for interactive gaming among a plurality of players includes a host computer system and a plurality of player terminals communicably coupled to the host computer system or gaming platform via a network. The plurality of player terminals may be located at a plurality of licensed gaming locations. The plurality of player terminals may be configured to engage the plurality of players in a common interactive game operated by the host computer system. The plurality of player terminals can include means for dispensing player winnings from the player terminal.
9.WO/2011/096263SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
WO - 11.08.2011
Clasificación Internacional H01L 29/786
HELECTRICIDAD
01ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
LDISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
29Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos
66Tipos de dispositivos semiconductores
68controlables únicamente por la corriente eléctrica suministrada, o la tensión eléctrica aplicada, a un electrodo que no transporta la corriente a rectificar, amplificar o conmutar
76Dispositivos unipolares
772Transistores de efecto de campo
78estando producido el efecto de campo por una puerta aislada
786Transistores de película delgada
 Nº de solicitud PCT/JP2011/050612 Solicitante SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. Inventor/a YAMAZAKI, Shunpei
A more convenient and highly reliable semiconductor device which has a transistor including an oxide semiconductor with higher impact resistance used for a variety of applications is provided. A semiconductor device has a bottom-gate transistor including a gate electrode layer, a gate insulating layer, and an oxide semiconductor layer over a substrate, an insulating layer over the transistor, and a conductive layer over the insulating layer. The insulating layer covers the oxide semiconductor layer and is in contact with the gate insulating layer. In a channel width direction of the oxide semiconductor layer, end portions of the gate insulating layer and the insulating layer are aligned with each other over the gate electrode layer, and the conductive layer covers a channel formation region of the oxide semiconductor layer and the end portions of the gate insulating layer and the insulating layer and is in contact with the gate electrode layer.
10.WO/2011/058866SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
WO - 19.05.2011
Clasificación Internacional H01L 29/786
HELECTRICIDAD
01ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
LDISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
29Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos
66Tipos de dispositivos semiconductores
68controlables únicamente por la corriente eléctrica suministrada, o la tensión eléctrica aplicada, a un electrodo que no transporta la corriente a rectificar, amplificar o conmutar
76Dispositivos unipolares
772Transistores de efecto de campo
78estando producido el efecto de campo por una puerta aislada
786Transistores de película delgada
 Nº de solicitud PCT/JP2010/068795 Solicitante SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. Inventor/a YAMAZAKI, Shunpei
An object is to provide a semiconductor device with a novel structure and favorable characteristics. A semiconductor device includes an oxide semiconductor layer, a source electrode and a drain electrode electrically connected to the oxide semiconductor layer, a gate insulating layer covering the oxide semiconductor layer, the source electrode, and the drain electrode, and a gate electrode over the gate insulating layer. The source electrode and the drain electrode include an oxide region formed by oxidizing a side surface thereof. Note that the oxide region of the source electrode and the drain electrode is preferably formed by plasma treatment with a high frequency power of 300 MHz to 300 GHz and a mixed gas of oxygen and argon.
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