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Análisis

1 / 63.225
1.WO/2010/004944LIGHT-EMITTING DEVICE AND ELECTRONIC DEVICE USING THE SAME
WO - 14.01.2010
Clasificación Internacional H05B 33/12
HELECTRICIDAD
05TECNICAS ELECTRICAS NO PREVISTAS EN OTRO LUGAR
BCALEFACCION ELECTRICA; ALUMBRADO ELECTRICO NO PREVISTO EN OTRO LUGAR
33Fuentes de luz electroluminiscente
12Fuentes de luz con elementos radiantes que tienen esencialmente dos dimensiones
 Nº de solicitud PCT/JP2009/062253 Solicitante SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. Inventor/a SEO, Satoshi
A lightweight flexible light-emitting device which is able to possess a curved display portion and display a full color image with high resolution and the manufacturing process thereof are disclosed. The light-emitting device comprises: a plastic substrate; an insulating layer with an adhesive interposed therebetween; a thin film transistor over the insulating layer; a protective insulating film over the thin film transistor; a color filter over the protective insulating film; and a white-emissive light-emitting element formed over and being in contact with the thin film transistor.
2.WO/2010/038820DISPLAY DEVICE
WO - 08.04.2010
Clasificación Internacional H01L 29/786
HELECTRICIDAD
01ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
LDISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
29Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos
66Tipos de dispositivos semiconductores
68controlables únicamente por la corriente eléctrica suministrada, o la tensión eléctrica aplicada, a un electrodo que no transporta la corriente a rectificar, amplificar o conmutar
76Dispositivos unipolares
772Transistores de efecto de campo
78estando producido el efecto de campo por una puerta aislada
786Transistores de película delgada
 Nº de solicitud PCT/JP2009/067119 Solicitante SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. Inventor/a YAMAZAKI, Shunpei
With an increase in the definition of a display device, the number of pixels is increased, and thus the numbers of gate lines and signal lines are increased. Due to the increase in the numbers of gate lines and signal lines, it is difficult to mount an IC chip having a driver circuit for driving the gate and signal lines by bonding or the like, which causes an increase in manufacturing costs. A pixel portion and a driver circuit for driving the pixel portion are formed over one substrate. At least a part of the driver circuit is formed using an inverted staggered thin film transistor in which an oxide semiconductor is used. The driver circuit as well as the pixel portion is provided over the same substrate, whereby manufacturing costs are reduced.
3.WO/2011/145666PULSE OUTPUT CIRCUIT, SHIFT REGISTER, AND DISPLAY DEVICE
WO - 24.11.2011
Clasificación Internacional H03K 19/0175
HELECTRICIDAD
03CIRCUITOS ELECTRONICOS BASICOS
KTECNICA DE IMPULSO
19Circuitos lógicos, es decir, teniendo al menos dos entradas que actúan sobre una salida; Circuitos de inversión
0175Disposiciones para el acoplamiento; Disposiciones para la interfase
 Nº de solicitud PCT/JP2011/061465 Solicitante SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. Inventor/a AMANO, Seiko
In a pulse output circuit in a shift register, a power source line which is connected to a transistor in an output portion connected to a pulse output circuit at the next stage is set to a low-potential drive voltage, and a power source line which is connected to a transistor in an output portion connected to a scan signal line is set to a variable potential drive voltage. The variable potential drive voltage is the low-potential drive voltage in a normal mode, and can be either a high-potential drive voltage or the low-potential drive voltage in a bath mode. In the batch mode, display scan signals can be output to a plurality of scan signal lines at the same timing in a batch.
4.WO/2011/034068LIGHT-EMITTING DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
WO - 24.03.2011
Clasificación Internacional G09F 9/30
GFISICA
09ENSEÑANZA; CRIPTOGRAFIA; PRESENTACION; PUBLICIDAD; PRECINTOS
FPRESENTACION; PUBLICIDAD; CARTELES; ETIQUETAS O PLACAS DE IDENTIFICACION; PRECINTOS
9Dispositivos de representación de información variable, en los que la información se forma sobre un soporte, por selección o combinación de elementos individuales
30en los que el o los caracteres deseados se forman por una combinación de elementos individuales
 Nº de solicitud PCT/JP2010/065887 Solicitante SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. Inventor/a EGUCHI, Shingo
An object of the invention is to improve the reliability of a light-emitting device. Another object of the invention is to provide flexibility to a light-emitting device having a thin film transistor using an oxide semiconductor film. A light-emitting device has, over one flexible substrate, a driving circuit portion including a thin film transistor for a driving circuit and a pixel portion including a thin film transistor for a pixel. The thin film transistor for a driving circuit and the thin film transistor for a pixel are inverted staggered thin film transistors including an oxide semiconductor layer which is in contact with a part of an oxide insulating layer.
5.WO/2011/055620SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
WO - 12.05.2011
Clasificación Internacional H01L 29/786
HELECTRICIDAD
01ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
LDISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
29Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos
66Tipos de dispositivos semiconductores
68controlables únicamente por la corriente eléctrica suministrada, o la tensión eléctrica aplicada, a un electrodo que no transporta la corriente a rectificar, amplificar o conmutar
76Dispositivos unipolares
772Transistores de efecto de campo
78estando producido el efecto de campo por una puerta aislada
786Transistores de película delgada
 Nº de solicitud PCT/JP2010/068105 Solicitante SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. Inventor/a YAMAZAKI, Shunpei
An object of an embodiment of the present invention is to manufacture a semiconductor device with high display quality and high reliability, which includes a pixel portion and a driver circuit portion capable of high-speed operation over one substrate, using transistors having favorable electric characteristics and high reliability as switching elements. Two kinds of transistors, in each of which an oxide semiconductor layer including a crystalline region on one surface side is used as an active layer, are formed in a driver circuit portion and a pixel portion. Electric characteristics of the transistors can be selected by choosing the position of the gate electrode layer which determines the position of the channel. Thus, a semiconductor device including a driver circuit portion capable of high-speed operation and a pixel portion over one substrate can be manufactured.
6.WO/2013/077686PHASED INFORMATION PROVIDING SYSTEM AND METHOD
WO - 30.05.2013
Clasificación Internacional G06F 3/01
GFISICA
06CALCULO; CONTEO
FPROCESAMIENTO ELECTRICO DE DATOS DIGITALES
3Disposiciones de entrada para la transferencia de datos destinados a ser procesados en una forma utilizable por el computador; Disposiciones de salida para la transferencia de datos desde la unidad de procesamiento a la unidad de salida, p. ej. disposiciones de interfaz
01Disposiciones de entrada o disposiciones combinadas de entrada y salida para la interacción entre el usuario y el computador
 Nº de solicitud PCT/KR2012/010021 Solicitante KIM, Si-Han Inventor/a KIM, Si-Han
The present invention relates to a terminal comprising a display, a central processing device and an input device. When an operation instruction for a phase of discriminating phases is input on the display, the input device outputs the operation instruction for the phase and the central processing device recognizes the phase of the operation instruction for the phase and outputs information relevant to the phase to the display. Thus, information relevant to the information being displayed on the current screen can be effectively displayed on the screen of the display even without executing several screen switching instructions.
7.WO/2011/046010LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND ELECTRONIC DEVICE INCLUDING THE LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE
WO - 21.04.2011
Clasificación Internacional H01L 29/786
HELECTRICIDAD
01ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
LDISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
29Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos
66Tipos de dispositivos semiconductores
68controlables únicamente por la corriente eléctrica suministrada, o la tensión eléctrica aplicada, a un electrodo que no transporta la corriente a rectificar, amplificar o conmutar
76Dispositivos unipolares
772Transistores de efecto de campo
78estando producido el efecto de campo por una puerta aislada
786Transistores de película delgada
 Nº de solicitud PCT/JP2010/066627 Solicitante SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. Inventor/a YAMAZAKI, Shunpei
In a liquid crystal display device including a plurality of pixels in a display portion and configured to performed display in a plurality of frame periods, each of the frame periods includes a writing period and a holding period, and after an image signal is input to each of the plurality of pixels in the writing period, a transistor included in each of the plurality of pixels is turned off and the image signal is held for at least 30 seconds in the holding period. The pixel includes a semiconductor layer including an oxide semiconductor layer, and the oxide semiconductor layer has a carrier concentration of less than 1 1014 /cm3.
8.WO/1996/015459MOUNTING SPRING ELEMENTS ON SEMICONDUCTOR DEVICES, AND WAFER-LEVEL TESTING METHODOLOGY
WO - 23.05.1996
Clasificación Internacional B23K 20/00
BTECNICAS INDUSTRIALES DIVERSAS; TRANSPORTES
23MAQUINAS-HERRAMIENTAS; TRABAJO DE METALES NO PREVISTO EN OTRO LUGAR
KSOLDADURA SIN FUSION O DESOLDEO; SOLDADURA; REVESTIMIENTO O CHAPADO POR SOLDADURA O SOLDADURA SIN FUSION; CORTE POR CALENTAMIENTO LOCALIZADO, p. ej. CORTE CON SOPLETE; TRABAJO POR RAYOS LASER
20Soldadura no eléctrica por percusión u otra forma de presión, con o sin calentamiento, p. ej. revestimiento o chapeado
 Nº de solicitud PCT/US1995/014885 Solicitante FORMFACTOR, INC. Inventor/a KHANDROS, Igor, Y.
Resilient contact structures (430) are mounted directly to bond pads (410) on semiconductor dies (402a, 402b), prior to the dies (402a, 402b) being singulated (separated) from a semiconductor wafer. This enables the semiconductor dies (402a, 402b) to be exercised (e.g., tested and/or burned-in) by connecting to the semiconductor dies (702, 704) with a circuit board (710) or the like having a plurality of terminals (712) disposed on a surface thereof. Subsequently, the semiconductor dies (402a, 402b) may be singulated from the semiconductor wafer, whereupon the same resilient contact structures (430) can be used to effect interconnections between the semiconductor dies and other electronic components (such as wiring substrates, semiconductor packages, etc.). Using the all-metallic composite interconnection elements (430) of the present invention as the resilient contact structures, burn-in (792) can be performed at temperatures of at least 150 °C, and can be completed in less than 60 minutes.
9.WO/2007/058329SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
WO - 24.05.2007
Clasificación Internacional H01L 21/336
HELECTRICIDAD
01ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
LDISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
21Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas
02Fabricación o tratamiento de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas
04los dispositivos presentan al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie, p. ej. una unión PN, una región de empobrecimiento, o una región de concentración de portadores de cargas
18los dispositivos tienen cuerpos semiconductores que incluyen elementos del Grupo IV de la Tabla Periódica, o de compuestos AIIIBVcon o sin impurezas, p. ej. materiales de dopado
334Procedimientos que comportan varias etapas para la fabricación de dispositivos de tipo unipolar
335Transistores de efecto de campo
336con puerta aislada
 Nº de solicitud PCT/JP2006/323042 Solicitante SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. Inventor/a AKIMOTO, Kengo
To provide a semiconductor device in which a defect or fault is not generated and a manufacturing method thereof even if a ZnO semiconductor film is used and a ZnO film to which an n-type or p-type impurity is added is used for a source electrode and a drain electrode. The semiconductor device includes a gate insulating film formed by using a silicon oxide film or a silicon oxynitride film over a gate electrode, an Al film or an Al alloy film over the gate insulating film, a ZnO film to which an n-type or p-type impurity is added over the Al film or the Al alloy film, and a ZnO semiconductor film over the ZnO film to which an n-type or p-type impurity is added and the gate insulating film.
10.WO/2010/071025METHOD FOR DRIVING LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE
WO - 24.06.2010
Clasificación Internacional G09G 3/36
GFISICA
09ENSEÑANZA; CRIPTOGRAFIA; PRESENTACION; PUBLICIDAD; PRECINTOS
GDISPOSICIONES O CIRCUITOS PARA EL CONTROL DE DISPOSITIVOS DE REPRESENTACION QUE UTILIZAN MEDIOS ESTATICOS PARA PRESENTAR UNA INFORMACION VARIABLE
3Disposiciones o circuitos de control que presentan interés únicamente para la representación utilizando medios de visualización que no sean tubos de rayos catódicos
20para la presentación de un conjunto de varios caracteres, p. ej. de una página, componiendo el conjunto por combinación de elementos individuales colocados en una matriz
34controlando la luz que proviene de una fuente independiente
36que utilizan cristales líquidos
 Nº de solicitud PCT/JP2009/070270 Solicitante SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. Inventor/a KIMURA, Hajime
A low-resolution image is displayed at high resolution and power consumption is reduced. Resolution is made higher by super-resolution processing. Then, display is performed with the luminance of a backlight controlled by local dimming after the super-resolution processing. By controlling the luminance of the backlight, power consumption can be reduced. Further, by performing the local dimming after the super-resolution processing, accurate display can be performed.
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