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1. US20170169891 - Dynamically adjusting read voltage in a NAND flash memory

Oficina Estados Unidos de América
Número de solicitud 15065779
Fecha de la solicitud 09.03.2016
N.º de publicación 20170169891
Fecha de publicación 15.06.2017
Número de concesión 09691488
Fecha de concesión 27.06.2017
Tipo de publicación B1
CIP
G FISICA
11
REGISTRO DE LA INFORMACION
C
MEMORIAS ESTATICAS
11
Memorias digitales caracterizadas por la utilización de elementos de almacenamiento eléctricos o magnéticos particulares; Elementos de almacenamiento correspondientes
56
utilizando elementos de almacenamiento que tienen más de dos estados estables representados por escalones, p. ej. de tensión, de corriente, de fase, de frecuencia
G FISICA
11
REGISTRO DE LA INFORMACION
C
MEMORIAS ESTATICAS
16
Memorias de sólo lectura programables y borrables
02
programables eléctricamente
06
Circuitos auxiliares, p. ej. para escritura en la memoria
26
Circuitos de detección o de lectura; Circuitos de salida de datos
G FISICA
11
REGISTRO DE LA INFORMACION
C
MEMORIAS ESTATICAS
16
Memorias de sólo lectura programables y borrables
02
programables eléctricamente
06
Circuitos auxiliares, p. ej. para escritura en la memoria
10
Circuitos de programación o de entrada de datos
G11C 11/56
G11C 16/26
G11C 16/10
CPC
G11C 16/26
G11C 16/10
Solicitantes International Business Machines Corporation
Inventores Thomas J. Griffin
Steven J. Hnatko
Mandatarios Martin & Associates, LLC
Derek P. Martin
Título
(EN) Dynamically adjusting read voltage in a NAND flash memory
Resumen
(EN)

A NAND flash memory device detects the occurrence of Cell Voltage Distribution Disruption Events (CVDDEs), such as a Partial Block Program (PBP) and Program-Read-Immediate (PRI), and provides a way to dynamically adjust read voltage to account for CVDDEs. A read command includes extended addressing bits that are used when a CVDDE has occurred to access registers that indicate an adjustment to read voltage that is needed to accommodate the CVDDE. The read voltage is then dynamically adjusted to accommodate the CVDDE. When the CVDDE is no longer an issue, the read voltage is adjusted to its previous value before the CVDDE.