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1. US20160148701 - Read level grouping algorithms for increased flash performance

Oficina Estados Unidos de América
Número de solicitud 14549532
Fecha de la solicitud 20.11.2014
N.º de publicación 20160148701
Fecha de publicación 26.05.2016
Número de concesión 09583202
Fecha de concesión 28.02.2017
Tipo de publicación B2
CIP
G FISICA
11
REGISTRO DE LA INFORMACION
C
MEMORIAS ESTATICAS
16
Memorias de sólo lectura programables y borrables
02
programables eléctricamente
04
utilizando transistores de umbral variable, p. ej. FAMOS
G FISICA
11
REGISTRO DE LA INFORMACION
C
MEMORIAS ESTATICAS
16
Memorias de sólo lectura programables y borrables
02
programables eléctricamente
06
Circuitos auxiliares, p. ej. para escritura en la memoria
26
Circuitos de detección o de lectura; Circuitos de salida de datos
G FISICA
11
REGISTRO DE LA INFORMACION
C
MEMORIAS ESTATICAS
16
Memorias de sólo lectura programables y borrables
02
programables eléctricamente
06
Circuitos auxiliares, p. ej. para escritura en la memoria
34
Determinación del estado de programación, p.ej. tensión umbral, sobreprogramación o subprogramación, retención
G FISICA
11
REGISTRO DE LA INFORMACION
C
MEMORIAS ESTATICAS
11
Memorias digitales caracterizadas por la utilización de elementos de almacenamiento eléctricos o magnéticos particulares; Elementos de almacenamiento correspondientes
56
utilizando elementos de almacenamiento que tienen más de dos estados estables representados por escalones, p. ej. de tensión, de corriente, de fase, de frecuencia
G11C 16/04
G11C 16/26
G11C 16/34
G11C 11/56
CPC
G11C 16/26
G11C 11/5642
G11C 16/3427
Solicitantes HGST Netherlands B.V.
Western Digital Technologies, Inc.
Inventores Seyhan Karakulak
Anthony Dwayne Weathers
Richard David Barndt
Mandatarios McDermott Will & Emery LLP
Título
(EN) Read level grouping algorithms for increased flash performance
Resumen
(EN)

A plurality of flash memory wordlines of a flash storage device are divided into a plurality of wordline groups based on read error counts associated with the wordlines and a plurality of read level offsets. Each wordline group is associated with one of a plurality of read level offsets determined while dividing the plurality of flash memory wordlines, and associations between the plurality of read level offsets and the plurality of wordline groups are stored for use in connection with read levels to read the flash memory wordlines of the respective wordline groups.