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1. (US20110318857) Nitride semiconductor light emitting device and fabrication method thereof

Oficina : Estados Unidos de América
Número de la solicitud: 13219118 Fecha de la solicitud: 26.08.2011
Número de publicación : 20110318857 Fecha de publicación: 29.12.2011
Número de concesión: 09343622 Fecha de concesión : 17.05.2016
Tipo de publicación : B2
CIP:
H01L 33/12
H01L 33/00
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
33
Dispositivos semiconductores que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie especialmente adaptados para la emisión de luz; Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Detalles
02
caracterizados por los cuerpos de semiconductores
12
con una estructura de relajación de esfuerzo, p. ej. capa tope
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
33
Dispositivos semiconductores que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie especialmente adaptados para la emisión de luz; Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Detalles
Solicitantes: Suk Hun Lee
LG INNOTEK CO., LTD.
Personas inventoras: Suk Hun Lee
Mandatarias/os: Saliwanchik, Lloyd & Eisenschenk
Fecha de prioridad: 10-2004-0111085 23.12.2004 KR
Título: (EN) Nitride semiconductor light emitting device and fabrication method thereof
Resumen: front page image
(EN)

Provided is a nitride semiconductor light emitting device including: a substrate; a first buffer layer formed above the substrate; an indium-containing second buffer layer formed above the first buffer layer; an indium-containing third buffer layer formed above the second buffer layer; a first nitride semiconductor layer formed above the third buffer layer; an active layer formed above the first nitride semiconductor layer; and a second nitride semiconductor layer formed above the active layer. According to the present invention, the crystal defects are further suppressed, so that the crystallinity of the active layer is enhanced, and the optical power and the operation reliability are enhanced.


También publicado como:
EP1829122JP2008526012US20080142781CN101073161IN772/MUMNP/2007WO/2006/068374