Parte del contenido de esta aplicación no está disponible en este momento.
Si esta situación persiste, contáctenos aComentarios y contacto
1. (US20060197129) Buried and bulk channel finFET and method of making the same

Oficina : Estados Unidos de América
Número de la solicitud: 11073330 Fecha de la solicitud: 03.03.2005
Número de publicación : 20060197129 Fecha de publicación: 07.09.2006
Tipo de publicación : A1
CIP:
H01L 29/66
H01L 29/94
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
29
Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos
66
Tipos de dispositivos semiconductores
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
29
Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos
66
Tipos de dispositivos semiconductores
86
controlables por la variación de la corriente eléctrica suministrada, o únicamente de la tensión aplicada a uno o varios de los electrodos que transportan la corriente a rectificar, amplificar, hacer oscilar o conmutar
92
Condensadores con barrera de potencial o barrera de superficie
94
Dispositivos de metal-aislante-semiconductor, p. ej. MOS
Solicitantes: TriQuint Semiconductor, Inc.
Personas inventoras: Wohlmuth Walter A.
Mandatarias/os: Mr. Joseph Pugh;TriQuint Semiconductor
Fecha de prioridad:
Título: (EN) Buried and bulk channel finFET and method of making the same
Resumen: front page image
(EN)

One embodiment of a fin-field effect transistor includes a material stack including a non-inverting su surface channel, a fin of semiconductor material positioned on the material stack, the fin including first and second opposing side surfaces, and a gate electrode positioned on the first and second opposing side surfaces of the fin.