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1. FR3033927 - GROUPEMENT DES NIVEAUX DE LECTURE POUR DES PERFORMANCES DE MEMOIRE FLASH ACCRUES

Oficina Francia
Número de solicitud 1652158
Fecha de la solicitud 15.03.2016
N.º de publicación 3033927
Fecha de publicación 23.09.2016
Número de concesión 3033927
Fecha de concesión 11.10.2019
Tipo de publicación B1
CIP
G FISICA
11
REGISTRO DE LA INFORMACION
C
MEMORIAS ESTATICAS
16
Memorias de sólo lectura programables y borrables
02
programables eléctricamente
06
Circuitos auxiliares, p. ej. para escritura en la memoria
26
Circuitos de detección o de lectura; Circuitos de salida de datos
G FISICA
11
REGISTRO DE LA INFORMACION
C
MEMORIAS ESTATICAS
8
Disposiciones para seleccionar una dirección en una memoria digital
08
Circuitos de control de líneas de palabras, p.ej. circuitos de excitación, de potencia, de arrastre hacía arriba (pull-up), de empuje hacía abajo (pull-down), circuitos de precarga, circuitos de igualación, para líneas de palabras
G FISICA
11
REGISTRO DE LA INFORMACION
C
MEMORIAS ESTATICAS
16
Memorias de sólo lectura programables y borrables
02
programables eléctricamente
06
Circuitos auxiliares, p. ej. para escritura en la memoria
08
Circuitos de direccionamiento; Descodificadores; Circuitos de control de líneas de palabras
G11C 16/26
G11C 8/08
G11C 16/08
CPC
G11C 16/26
G11C 16/3427
G11C 8/12
G11C 8/14
G11C 16/08
G11C 16/34
Solicitantes HGST NETHERLANDS BV
Inventores KARAKULAK SEYHAN
WEATHERS ANTHONY DWAYNE
BARNDT RICHARD DAVID
Datos de prioridad 201514664768 20.03.2015 US
Título
(FR) GROUPEMENT DES NIVEAUX DE LECTURE POUR DES PERFORMANCES DE MEMOIRE FLASH ACCRUES
Resumen
(FR)
L'invention concerne une table de décomptes d'erreurs qui est générée en se basant sur la lecture de lignes de mots d'un dispositif à mémoire flash, la table stockant un décompte d'erreurs pour chaque combinaison de ligne de mots et de tension de niveau de lecture respective utilisée pour lire les lignes de mots. Une pluralité de groupes de lignes de mots décalés sont générés en se basant sur la table de décomptes d'erreurs, chaque groupe associant une tension de décalage de niveau de lecture différente à une pluralité d'adresses de ligne de mots. Un dispositif de stockage est configuré pour lire les cellules de mémoire en utilisant une tension de décalage de niveau de lecture d'un groupe de lignes de mots décalé généré associé à une adresse de ligne de mots des cellules de mémoire à lire. Après un point prédéterminé dans un cycle de vie d'un bloc de mémoire respectif, la table est régénérée et une pluralité de groupes de lignes de mots décalés sont régénérés en se basant sur la table de décomptes d'erreurs régénérée.

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