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1. (EP0561386) Semiconductor device.

Oficina : Oficina Europea de Patentes (OEP)
Número de la solicitud: 93104360 Fecha de la solicitud: 17.03.1993
Número de publicación : 0561386 Fecha de publicación: 22.09.1993
Tipo de publicación : A1
Estados designados: DE,FR,GB
CIP:
H 03K
H03K 17/0812
H03K 17/082
H03K 17/16
H ELECTRICIDAD
03
CIRCUITOS ELECTRONICOS BASICOS
K
TECNICA DE IMPULSO
17
Conmutación o apertura de puerta electrónica, es decir, por otros medios distintos al cierre y apertura de contactos
08
Modificaciones para proteger el circuito de conmutación contra la sobreintensidad o sobretensión
H ELECTRICIDAD
03
CIRCUITOS ELECTRONICOS BASICOS
K
TECNICA DE IMPULSO
17
Conmutación o apertura de puerta electrónica, es decir, por otros medios distintos al cierre y apertura de contactos
08
Modificaciones para proteger el circuito de conmutación contra la sobreintensidad o sobretensión
081
sin retroacción del circuito de salida hacia el circuito de control
0812
por medidas tomadas en el circuito de control
H ELECTRICIDAD
03
CIRCUITOS ELECTRONICOS BASICOS
K
TECNICA DE IMPULSO
17
Conmutación o apertura de puerta electrónica, es decir, por otros medios distintos al cierre y apertura de contactos
08
Modificaciones para proteger el circuito de conmutación contra la sobreintensidad o sobretensión
082
por retroacción del circuito de salida hacia el circuito de control
H ELECTRICIDAD
03
CIRCUITOS ELECTRONICOS BASICOS
K
TECNICA DE IMPULSO
17
Conmutación o apertura de puerta electrónica, es decir, por otros medios distintos al cierre y apertura de contactos
16
Modificaciones para eliminar las tensiones o corrientes parásitas
CPC:
H03K 17/0828
H03K 17/08128
H03K 17/0822
H03K 17/168
H03K 17/18
Solicitantes: FUJI ELECTRIC CO LTD
Personas inventoras: OGAWA SHOGO
MIYASAKA TADASHI
KOBAYASHI SHINICHI
KUWABARA KESANOBU
Fecha de prioridad: 12521492 19.05.1992 JP
6225492 18.03.1992 JP
6596092 24.03.1992 JP
Título: (DE) Halbleiteranordnung.
(EN) Semiconductor device.
(FR) Dispositif semi-conducteur.
Resumen: front page image
(EN) A semiconductor device includes an insulated gate semiconductor portion (2) having a gate electrode (2g); an overcurrent limiting portion (12,13) for judging an overcurrent state of the insulated gate semiconductor portion (2) to make it possible to change a gate voltage applied to the gate electrode (2g); and a driving portion (30) for driving the insulated gate semiconductor portion (2). The driving portion (30) includes a driving section (20) for supplying a control voltage to the insulated gate semiconductor device (2) correspondingly to an input signal (I) supplied to the driving portion; and a comparing section (40) for comparing the gate voltage (VG) with a predetermined reference voltage (Vo). The semiconductor device may further include a gate control relaxation section (141) for relaxing a rate of change of the gate voltage (VG) applied to the gate electrode.