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1. CN103578523 - Memory device, memory system, and method of controlling read voltage of the memory device

Oficina China
Número de solicitud 201310311596.2
Fecha de la solicitud 23.07.2013
N.º de publicación 103578523
Fecha de publicación 12.02.2014
Número de concesión 103578523
Fecha de concesión
Tipo de publicación A
CIP
G FISICA
11
REGISTRO DE LA INFORMACION
C
MEMORIAS ESTATICAS
7
Disposiciones para escribir una información o para leer una información en una memoria digital
10
Disposiciones de interfaz para entrada/salida (E/S) de datos, p.ej. circuitos de control de entrada/salida (E/S) de datos, memorias intermedias de entrada/salida (E/S) de datos
G FISICA
11
REGISTRO DE LA INFORMACION
C
MEMORIAS ESTATICAS
11
Memorias digitales caracterizadas por la utilización de elementos de almacenamiento eléctricos o magnéticos particulares; Elementos de almacenamiento correspondientes
21
que utilizan elementos eléctricos
34
que utilizan dispositivos de semiconductores
40
que utilizan transistores
401
formando celdas que necesiten un refresco o una regeneración de la carga, es decir celdas dinámicas
4063
Circuitos auxiliares, p. ej. para el direccionamiento, la descodificación, el accionamiento, la escritura, la lectura o la sincronización
G FISICA
11
REGISTRO DE LA INFORMACION
C
MEMORIAS ESTATICAS
11
Memorias digitales caracterizadas por la utilización de elementos de almacenamiento eléctricos o magnéticos particulares; Elementos de almacenamiento correspondientes
21
que utilizan elementos eléctricos
34
que utilizan dispositivos de semiconductores
40
que utilizan transistores
41
formando celdas con realimentación positiva, es decir, celdas que no necesitan refresco o regeneración de la carga, p. ej. multivibrador biestable, disparador de Schmitt
413
Circuitos auxiliares, p. ej. para el direccionamiento, la decodificación, el control, la escritura, la lectura, la sincronización o la reducción del consumo
G FISICA
11
REGISTRO DE LA INFORMACION
C
MEMORIAS ESTATICAS
16
Memorias de sólo lectura programables y borrables
02
programables eléctricamente
06
Circuitos auxiliares, p. ej. para escritura en la memoria
G11C 7/10
G11C 11/4063
G11C 11/413
G11C 16/06
CPC
G11C 11/5642
G11C 16/00
G11C 16/0483
G11C 16/26
G11C 16/3431
G11C 29/021
Solicitantes SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
Inventores MYUNG-HOON CHOI
JAE-YONG JEONG
KI-TAE PARK
Mandatarios chen yuan zhang fan
Datos de prioridad 10-2012-0080247 23.07.2012 KR
Título
(EN) Memory device, memory system, and method of controlling read voltage of the memory device
(ZH) 存储器件、存储系统及控制存储器件的读取电压的方法
Resumen
(EN)
The invention provides a memory device, a memory system and a method of controlling read voltage of the memory device. The memory device includes a memory cell array having a plurality of memory cells, and a page buffer unit including a plurality of page buffers configured to store a plurality of pieces of data sequentially read from some of the plurality of memory cells at different read voltage levels, respectively, and to perform logic operation on the plurality of pieces of data, respectively. The memory device further includes a counting unit configured to count the number of memory cells that exist in each of a plurality of sections defined by the different read voltage levels, based on results of the logic operation.

(ZH)

本发明提供了存储器件、存储系统及控制存储器件的读取电压的方法。所述存储器件包括:具有多个存储器单元的存储器单元阵列;以及包括多个页面缓冲器的页面缓冲单元,所述多个页面缓冲器配置为对以不同的读取电压电平分别从所述多个存储器单元中的一些存储器单元中顺序读取的多个数据片段进行存储,并且所述多个页面缓冲器配置为对所述多个数据片段分别执行逻辑操作。所述存储器件还包括计数单元,该计数单元配置为基于所述逻辑操作的结果来对由所述不同的读取电压电平所限定的多个段中的每一段内存在的存储器单元的数量进行计数。