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1. (CN101796720) Input circuitry for transistor power amplifier and method for designing such circuitry

Oficina : China
Número de la solicitud: 200880105804.0 Fecha de la solicitud: 21.07.2008
Número de publicación : 101796720 Fecha de publicación: 04.08.2010
Tipo de publicación : A
Referencia PCT: Número de solicitud:PCTUS2008070622; Número de publicación:2009035767 Pulse para ver los datos
CIP:
H03F 1/56
H03H 7/38
H03H 11/28
H03F 3/19
H03F 3/193
H ELECTRICIDAD
03
CIRCUITOS ELECTRONICOS BASICOS
F
AMPLIFICADORES
1
Detalles de amplificadores que tienen como elementos de amplificación solamente tubos de descarga, solamente dispositivos semiconductores o solamente componentes no especificados
56
Modificaciones de las impedancias de entrada o de salida, no previstas en otro lugar
H ELECTRICIDAD
03
CIRCUITOS ELECTRONICOS BASICOS
H
REDES DE IMPEDANCIA, p. ej. CIRCUITOS RESONANTES; RESONADORES
7
Redes de varios accesos que tienen como componentes únicamente elementos eléctricos pasivos
38
Redes de adaptación de impedancia
H ELECTRICIDAD
03
CIRCUITOS ELECTRONICOS BASICOS
H
REDES DE IMPEDANCIA, p. ej. CIRCUITOS RESONANTES; RESONADORES
11
Redes que utilizan elementos activos
02
Redes de varios accesos
28
Redes de adaptación de impedancia
H ELECTRICIDAD
03
CIRCUITOS ELECTRONICOS BASICOS
F
AMPLIFICADORES
3
Amplificadores que tienen como elementos de amplificación solamente tubos de descarga o solamente dispositivos de semiconductores
189
Amplificadores de alta frecuencia, p. ej. amplificadores de radiofrecuencia
19
únicamente con dispositivos de semiconductores
H ELECTRICIDAD
03
CIRCUITOS ELECTRONICOS BASICOS
F
AMPLIFICADORES
3
Amplificadores que tienen como elementos de amplificación solamente tubos de descarga o solamente dispositivos de semiconductores
189
Amplificadores de alta frecuencia, p. ej. amplificadores de radiofrecuencia
19
únicamente con dispositivos de semiconductores
193
con dispositivos de efecto de campo
CPC:
H03F 1/565
H03F 3/1935
H03F2200/222
H03F2200/228
H03F2200/249
H03F2200/252
H03F2200/451
H03F2200/99
H03H 7/38
Solicitantes: Raytheon Co.
雷声公司
Personas inventoras: Tremblay John C.
C·S·惠兰
Whelan Colin S.
J·C·特伦布莱
Mandatarias/os: liu yu wang yang
永新专利商标代理有限公司 72002
永新专利商标代理有限公司 72002
Fecha de prioridad: 11851425 07.09.2007 US
Título: (EN) Input circuitry for transistor power amplifier and method for designing such circuitry
(ZH) 晶体管功率放大器的输入电路和设计这种电路的方法
Resumen: front page image
(EN) A circuit having: an input matching network, a transistor (14) coupled to an output of the input matching network; and wherein the input matching network (12) has a first input impedance when such input matching network (12) is fed with an input signal having a relatively low power level and wherein the input matching network (12) has an input impedance different from the first input impedance when such input matching network (12) is fed with an input signal having a relatively high power level.
(ZH)

一种电路具有:输入匹配网络;晶体管(14),其耦合到所述输入匹配网络的输出;并且其中,当向所述输入匹配网络(12)馈送具有相对低的功率电平的输入信号时,所述输入匹配网络(12)具有第一输入阻抗,并且其中,当向所述输入匹配网络(12)馈送具有相对高的功率电平的输入信号时,所述输入匹配网络(12)具有不同于所述第一输入阻抗的输入阻抗。


También publicado como:
KR1020100063767EP2203974IN887/KOLNP/2010WO/2009/035767