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1. WO2019068012 - METHOD AND APPARATUS FOR SPECIFYING READ VOLTAGE OFFSETS FOR A READ COMMAND

N.º de publicación WO/2019/068012
Fecha de publicación 04.04.2019
Nº de la solicitud internacional PCT/US2018/053590
Fecha de presentación internacional 28.09.2018
CIP
G FISICA
11
REGISTRO DE LA INFORMACION
C
MEMORIAS ESTATICAS
16
Memorias de sólo lectura programables y borrables
02
programables eléctricamente
06
Circuitos auxiliares, p. ej. para escritura en la memoria
26
Circuitos de detección o de lectura; Circuitos de salida de datos
G FISICA
11
REGISTRO DE LA INFORMACION
C
MEMORIAS ESTATICAS
16
Memorias de sólo lectura programables y borrables
02
programables eléctricamente
06
Circuitos auxiliares, p. ej. para escritura en la memoria
30
Circuitos de alimentación
G FISICA
11
REGISTRO DE LA INFORMACION
C
MEMORIAS ESTATICAS
16
Memorias de sólo lectura programables y borrables
02
programables eléctricamente
04
utilizando transistores de umbral variable, p. ej. FAMOS
G11C 16/26 (2006.01)
G11C 16/30 (2006.01)
G11C 16/04 (2006.01)
CPC
G06F 3/0604
G06F 3/0629
G06F 3/0679
G11C 11/5642
G11C 16/0483
G11C 16/26
Solicitantes
  • INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054-1549, US
Inventores
  • MADRASWALA, Aliasgar S.; US
  • GUO, Xin; US
  • PRABHU, Naveen Vittal; US
  • DU, Yu; US
  • SULE, Purval Shyam; US
Mandatarios
  • CASPER, Derek; US
Datos de prioridad
15/721,35129.09.2017US
Idioma de publicación Inglés (EN)
Idioma de solicitud Inglés (EN)
Estados designados
Título
(EN) METHOD AND APPARATUS FOR SPECIFYING READ VOLTAGE OFFSETS FOR A READ COMMAND
(FR) PROCÉDÉ ET APPAREIL POUR SPÉCIFIER DES DÉCALAGES DE TENSION DE LECTURE POUR UNE COMMANDE DE LECTURE
Resumen
(EN)
In one embodiment, an apparatus comprises a memory array and a controller. The controller is to receive a first read command specifying a read voltage offset profile identifier; identify a read voltage offset profile associated with the read voltage offset profile identifier, the read voltage offset profile comprising at least one read voltage offset; and perform a first read operation specified by the first read command using at least one read voltage adjusted according to the at least one read voltage offset of the read voltage offset profile.
(FR)
Selon un mode de réalisation, l'invention concerne une matrice mémoire et un contrôleur. Le contrôleur est destiné à recevoir une première commande de lecture spécifiant un identifiant de profil de décalage de tension de lecture ; à identifier un profil de décalage de tension de lecture associé à l'identifiant de profil de décalage de tension de lecture, le profil de décalage de tension de lecture comprenant au moins un décalage de tension de lecture ; et à effectuer une première opération de lecture spécifiée par la première commande de lecture à l'aide d'au moins une tension de lecture ajustée selon le ou les décalages de tension de lecture du profil de décalage de tension de lecture.
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