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1. (WO2019067130) LOW PARASITIC CAPACITANCE LOW NOISE AMPLIFIER
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Nº de publicación: WO/2019/067130 Nº de la solicitud internacional: PCT/US2018/048128
Fecha de publicación: 04.04.2019 Fecha de presentación de la solicitud internacional: 27.08.2018
CIP:
H01L 27/12 (2006.01) ,H01L 21/84 (2006.01)
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
27
Dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores o de otros componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común
02
incluyendo componentes semiconductores especialmente adaptados para rectificación, amplificación, generación de oscilaciones, conmutación y teniendo al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie.; incluyendo elementos de circuito pasivos integrados con al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie
12
el sustrato es diferente de un cuerpo semiconductor, p. ej. un cuerpo aislante
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
21
Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas
70
Fabricación o tratamiento de dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes de estado sólido o de circuitos integrados formados en o sobre un sustrato común, o de partes constitutivas específicas de éstos; Fabricación de dispositivos de circuito integrado o de partes constitutivas específicas de éstos
77
Fabricación o tratamiento de dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes de estado sólido o circuitos integrados formados en o sobre un sustrato común
78
con una división ulterior del sustrato en una pluralidad de componentes individuales
82
para producir dispositivos, p. ej. circuitos integrados que consisten cada uno en una pluralidad de componentes
84
siendo el sustrato diferente a un cuerpo semiconductor, p. ej. un cuerpo aislante
Solicitantes:
QUALCOMM INCORPORATED [US/US]; ATTN: International IP Administration 5775 Morehouse Drive San Diego, California 92121-1714, US
Personas inventoras:
GOKTEPELI, Sinan; US
Mandataria/o:
LENKIN, Alan M.; US
LUTZ, Joseph; US
PARTOW-NAVID, Puya; US
FASHU-KANU, Alvin V.; US
Datos de prioridad:
15/976,71010.05.2018US
62/564,15527.09.2017US
Título (EN) LOW PARASITIC CAPACITANCE LOW NOISE AMPLIFIER
(FR) AMPLIFICATEUR À FAIBLE BRUIT À FAIBLE CAPACITÉ PARASITE
Resumen:
(EN) A low noise amplifier (LNA) device includes a first transistor on a semiconductor on insulator (SOI) layer. The first transistor includes a source region, a drain region, and a gate. The LNA device also includes a first-side gate contact coupled to the gate. The LNA device further includes a second-side source contact coupled to the source region. The LNA device also includes a second-side drain contact coupled to the drain region.
(FR) Un dispositif amplificateur à faible bruit (LNA) comprend un premier transistor sur une couche de semi-conducteur sur isolant (SOI). Le substrat comprend une région de source, une région de drain et une grille. Le dispositif LNA comprend également un contact de grille de premier côté couplé à la grille. Le dispositif LNA comprend en outre un contact de source de second côté couplé à la région de source. Le dispositif sans fil comprend également une première antenne couplée au premier multiplexeur.
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Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Oficina Eurasiática de Patentes (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Oficina Europea de Patentes (OEP) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organización Africana de la Propiedad Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Idioma de publicación: Inglés (EN)
Idioma de la solicitud: Inglés (EN)