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1. (WO2019067084) RADIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER
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Nº de publicación: WO/2019/067084 Nº de la solicitud internacional: PCT/US2018/044516
Fecha de publicación: 04.04.2019 Fecha de presentación de la solicitud internacional: 31.07.2018
CIP:
H03F 1/02 (2006.01) ,H03F 1/30 (2006.01) ,H03F 3/195 (2006.01) ,H03F 3/24 (2006.01) ,H03F 3/72 (2006.01)
H ELECTRICIDAD
03
CIRCUITOS ELECTRONICOS BASICOS
F
AMPLIFICADORES
1
Detalles de amplificadores que tienen como elementos de amplificación solamente tubos de descarga, solamente dispositivos semiconductores o solamente componentes no especificados
02
Modificaciones de los amplificadores para aumentar su rendimiento, p. ej. etapas clase A de pendiente deslizante, utilización de una oscilación auxiliar
H ELECTRICIDAD
03
CIRCUITOS ELECTRONICOS BASICOS
F
AMPLIFICADORES
1
Detalles de amplificadores que tienen como elementos de amplificación solamente tubos de descarga, solamente dispositivos semiconductores o solamente componentes no especificados
30
Modificaciones de los amplificadores para reducir la influencia de las variaciones de temperatura o de la tensión de alimentación
H ELECTRICIDAD
03
CIRCUITOS ELECTRONICOS BASICOS
F
AMPLIFICADORES
3
Amplificadores que tienen como elementos de amplificación solamente tubos de descarga o solamente dispositivos de semiconductores
189
Amplificadores de alta frecuencia, p. ej. amplificadores de radiofrecuencia
19
únicamente con dispositivos de semiconductores
195
en circuitos integrados
H ELECTRICIDAD
03
CIRCUITOS ELECTRONICOS BASICOS
F
AMPLIFICADORES
3
Amplificadores que tienen como elementos de amplificación solamente tubos de descarga o solamente dispositivos de semiconductores
20
Amplificadores de potencia, p. ej. amplificador de clase B, de clase C
24
de etapas transmisoras de salida
H ELECTRICIDAD
03
CIRCUITOS ELECTRONICOS BASICOS
F
AMPLIFICADORES
3
Amplificadores que tienen como elementos de amplificación solamente tubos de descarga o solamente dispositivos de semiconductores
72
Amplificadores controlados, es decir, amplificadores puestos en servicio o fuera de servicio por medio de una señal de control
Solicitantes:
RAYTHEON COMPANY [US/US]; 870 Winter Street Waltham, Massachusetts 02451-1449, US
Personas inventoras:
LAIGHTON, Christopher, M.; US
BIELUNIS, Alan, J.; US
WATTERS, Edward, A.; US
Mandataria/o:
MOFFORD, Donald, F.; US
ROBINSON, Kermit; US
DURKEE, Paul, D.; US
MILMAN, Seth, A.; US
MOOSEY, Anthony, T.; US
DALY, Christopher, S.; US
CROWLEY, Judith, C.; US
DOWNING, Marianne, M.; US
FLINDERS, Matthew; US
BLAU, David, E.; US
SICARD, Keri, E.; US
DUBUC, Marisa, J.; US
LEE, Lewis, J.; US
DIMOV, Kiril, O.; US
Datos de prioridad:
15/718,50428.09.2017US
Título (EN) RADIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER
(FR) AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE RADIOFRÉQUENCE
Resumen:
(EN) An amplifier (10) having a Radio Frequency (RF) power level detector circuit (12) for producing a control signal in accordance with a power level of an RF input signal. The control signal indicates whether the power level of the input signal is within a predetermined range of power levels greater than zero. A bias circuit (16) is fed by the control signal, for producing a fixed bias voltage at a gate electrode of a field effect transistor (FET) to establish a predetermined quiescent current for the FET when the control signal indicates the power level of the RF input signal is within the predetermined range of power levels and to reduce the bias voltage to reduce the predetermined quiescent current when the control signal indicates the power level of the RF input signal is below the predetermined range of power levels.
(FR) La présente invention concerne un amplificateur (10) comprenant un circuit détecteur de niveau de puissance radiofréquence (RF) destiné à produire un signal de commande en fonction d'un niveau de puissance d'un signal d'entrée RF. Le signal de commande indique si le niveau de puissance du signal d'entrée se trouve dans une plage prédéterminée de niveaux de puissance supérieur à zéro. Un circuit de polarisation (16) est alimenté au moyen du signal de commande, de façon à produire une tension de polarisation fixe au niveau d'une électrode de grille d'un transistor à effet de champ (FET) afin d'établir un courant de repos prédéterminé destiné au FET lorsque le signal de commande indique que le niveau de puissance du signal d'entrée RF se trouve dans la plage prédéterminée de niveaux de puissance et de façon à réduire la tension de polarisation afin de réduire le courant de repos prédéterminé lorsque le signal de commande indique que le niveau de puissance du signal d'entrée RF est inférieur à la plage prédéterminée de niveaux de puissance.
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Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Oficina Eurasiática de Patentes (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Oficina Europea de Patentes (OEP) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organización Africana de la Propiedad Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Idioma de publicación: Inglés (EN)
Idioma de la solicitud: Inglés (EN)