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1. (WO2019066916) COMPLEMENTARY GROUP III-NITRIDE TRANSISTORS WITH COMPLEMENTARY POLARIZATION JUNCTIONS
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Nº de publicación: WO/2019/066916 Nº de la solicitud internacional: PCT/US2017/054380
Fecha de publicación: 04.04.2019 Fecha de presentación de la solicitud internacional: 29.09.2017
CIP:
H01L 29/778 (2006.01) ,H01L 21/8238 (2006.01) ,H01L 29/66 (2006.01)
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
29
Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos
66
Tipos de dispositivos semiconductores
68
controlables únicamente por la corriente eléctrica suministrada, o la tensión eléctrica aplicada, a un electrodo que no transporta la corriente a rectificar, amplificar o conmutar
76
Dispositivos unipolares
772
Transistores de efecto de campo
778
con un canal bidimensional de gas de portadores de carga, p. ej. transistores de efecto de campo con alta movilidad electrónica (HEMT)
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
21
Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas
70
Fabricación o tratamiento de dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes de estado sólido o de circuitos integrados formados en o sobre un sustrato común, o de partes constitutivas específicas de éstos; Fabricación de dispositivos de circuito integrado o de partes constitutivas específicas de éstos
77
Fabricación o tratamiento de dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes de estado sólido o circuitos integrados formados en o sobre un sustrato común
78
con una división ulterior del sustrato en una pluralidad de componentes individuales
82
para producir dispositivos, p. ej. circuitos integrados que consisten cada uno en una pluralidad de componentes
822
siendo el sustrato un semiconductor, utilizando tecnología de silicio
8232
Tecnología de efecto de campo
8234
Tecnología MIS
8238
Transistores de efecto de campo complementarios, p. ej. CMOS
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
29
Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos
66
Tipos de dispositivos semiconductores
Solicitantes:
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Blvd. Santa Clara, CA 95054, US
Personas inventoras:
THEN, Han Wui; US
DASGUPTA, Sansaptak; US
RADOSAVLJEVIC, Marko; US
Mandataria/o:
HOWARD, James M.; US
Datos de prioridad:
Título (EN) COMPLEMENTARY GROUP III-NITRIDE TRANSISTORS WITH COMPLEMENTARY POLARIZATION JUNCTIONS
(FR) TRANSISTORS AU NITRURE DU GROUPE III DE TYPE COMPLÉMENTAIRE À JONCTIONS DE POLARISATION COMPLÉMENTAIRES
Resumen:
(EN) Group III-N transistors of complementary conductivity type employing two polarization junctions of complementary type. Each III-N polarization junction may include two III-N material layers having opposite crystal polarities. The opposing polarities may induce a two-dimensional charge sheet within each of the two III-N material layers. Opposing crystal polarities may be induced through introduction of an intervening layer between two III-N material layers. A III-N heterostructure may include two III-N polarization junctions. A 2D electron gas (2DEG) is induced at a first polarization junction and a 2D hole gas (2DHG) is induced at the second polarization junction. Transistors of complementary type may utilize a separate one of the polarization junctions, enabling III-N transistors to implement CMOS circuitry.
(FR) L'invention concerne des transistors du groupe III-N du type à conductivité complémentaire faisant appel à deux jonctions de polarisation de type complémentaire. Chaque jonction de polarisation au III-N peut comprendre deux couches de matériau de III-N ayant des polarités cristallines contraires. Les polarités contraires peuvent induire une feuille de charge bidimensionnelle à l'intérieur de chacune des deux couches de matériau de III-N. Des polarités cristallines contraires peuvent être induites par une introduction d'une couche intermédiaire entre deux couches de matériau de III-N. Une hétérostructure au III-N peut comprendre deux jonctions de polarisation au III-N. Un gaz d'électrons 2D (2DEG) est induit au niveau d'une première jonction de polarisation et un gaz de trou 2D (2DHG) est induit au niveau de la seconde jonction de polarisation. Des transistors de type complémentaire peuvent faire appel à une jonction séparée parmi les jonctions de polarisation, permettant aux transistors au III-N de constituer des circuits CMOS.
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Oficina Eurasiática de Patentes (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
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Organización Africana de la Propiedad Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Idioma de publicación: Inglés (EN)
Idioma de la solicitud: Inglés (EN)