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1. (WO2019065710) ELECTROSTATIC CHUCK DEVICE
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Nº de publicación: WO/2019/065710 Nº de la solicitud internacional: PCT/JP2018/035627
Fecha de publicación: 04.04.2019 Fecha de presentación de la solicitud internacional: 26.09.2018
CIP:
H01L 21/683 (2006.01) ,H01L 21/3065 (2006.01)
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
21
Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas
67
Aparatos especialmente adaptados para el manejo de dispositivos semiconductores o eléctricos de estado sólido durante su fabricación o tratamiento; Aparatos especialmente adaptados para el manejo de obleas durante la fabricación o tratamiento de dispositivos o componentes semiconductores o eléctricos de estado sólido
683
para sostener o sujetar
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
21
Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas
02
Fabricación o tratamiento de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas
04
los dispositivos presentan al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie, p. ej. una unión PN, una región de empobrecimiento, o una región de concentración de portadores de cargas
18
los dispositivos tienen cuerpos semiconductores que incluyen elementos del cuarto grupo de la Tabla Periódica, o de compuestos AIIIBVcon o sin impurezas, p. ej. materiales de dopado
30
Tratamiento de cuerpos semiconductores utilizando procesos o aparatos no cubiertos por los gruposH01L21/20-H01L21/26204
302
para cambiar las características físicas de sus superficies o para cambiar su forma, p. ej. grabado, pulido, recortado
306
Tratamiento químico o eléctrico, p. ej. grabación electrolítica
3065
Grabado por plasma; Grabado mediante iones reactivos
Solicitantes:
住友大阪セメント株式会社 SUMITOMO OSAKA CEMENT CO., LTD. [JP/JP]; 東京都千代田区六番町6番地28 6-28, Rokuban-cho, Chiyoda-ku, Tokyo 1028465, JP
Personas inventoras:
小坂井 守 KOSAKAI Mamoru; JP
尾崎 雅樹 OZAKI Masaki; JP
前田 佳祐 MAEDA Keisuke; JP
Mandataria/o:
西澤 和純 NISHIZAWA Kazuyoshi; JP
佐藤 彰雄 SATO Akio; JP
萩原 綾夏 HAGIWARA Ayaka; JP
Datos de prioridad:
2017-18971829.09.2017JP
2017-18971929.09.2017JP
Título (EN) ELECTROSTATIC CHUCK DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE PORTE-SUBSTRAT ÉLECTROSTATIQUE
(JA) 静電チャック装置
Resumen:
(EN) This electrostatic chuck device is provided with: an electrostatic chuck part that has a sample placement surface on which a sample is placed, and that has a first electrode for electrostatic attraction; a cooling base part that cools the electrostatic chuck part, and that is positioned on the opposite side of the electrostatic chuck part from the sample placement surface; and an adhesive layer that bonds the electrostatic chuck part and the cooling base part. The electrostatic chuck part has recesses and protrusions on the adhesive layer side, and the surface resistance value of the first electrode is greater than 1.0 Ω/□ and lower than 1.0x1010 Ω/□.
(FR) Le dispositif de porte-substrat électrostatique selon l'invention comporte: une partie porte-substrat électrostatique possédant une première électrode pour attraction électrostatique et possédant également une surface destinée à supporter un échantillon; une partie base de refroidissement pour refroidir la partie porte-substrat électrostatique située à l'opposé de la surface destinée à supporter un échantillon de la partie porte-substrat électrostatique; et une couche adhésive pour joindre la partie porte-substrat électrostatique et la partie base de refroidissement. La partie porte-substrat électrostatique est en relief côté couche adhésive, et la valeur de résistance superficielle de la première électrode est supérieure à 1,0Ω/□ et inférieure à 1,0X1010Ω/□.
(JA) 静電チャック装置は、試料を載置する試料載置面を有するとともに静電吸着用の第1の電極を有する静電チャック部と、静電チャック部に対し試料載置面とは反対側に載置され静電チャック部を冷却する冷却ベース部と、静電チャック部と前記冷却ベース部とを接着する接着層と、を備え、静電チャック部は、接着層の側に凹凸を有しており、第1の電極の面抵抗値が1.0Ω/□よりも高く1.0×1010Ω/□よりも低い。
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Organización Africana de la Propiedad Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Idioma de publicación: Japonés (JA)
Idioma de la solicitud: Japonés (JA)