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1. (WO2019065233) ELECTROSTATIC CHUCK DEVICE
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Nº de publicación: WO/2019/065233 Nº de la solicitud internacional: PCT/JP2018/033773
Fecha de publicación: 04.04.2019 Fecha de presentación de la solicitud internacional: 12.09.2018
CIP:
H01L 21/683 (2006.01) ,H01L 21/3065 (2006.01)
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
21
Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas
67
Aparatos especialmente adaptados para el manejo de dispositivos semiconductores o eléctricos de estado sólido durante su fabricación o tratamiento; Aparatos especialmente adaptados para el manejo de obleas durante la fabricación o tratamiento de dispositivos o componentes semiconductores o eléctricos de estado sólido
683
para sostener o sujetar
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
21
Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas
02
Fabricación o tratamiento de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas
04
los dispositivos presentan al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie, p. ej. una unión PN, una región de empobrecimiento, o una región de concentración de portadores de cargas
18
los dispositivos tienen cuerpos semiconductores que incluyen elementos del cuarto grupo de la Tabla Periódica, o de compuestos AIIIBVcon o sin impurezas, p. ej. materiales de dopado
30
Tratamiento de cuerpos semiconductores utilizando procesos o aparatos no cubiertos por los gruposH01L21/20-H01L21/26204
302
para cambiar las características físicas de sus superficies o para cambiar su forma, p. ej. grabado, pulido, recortado
306
Tratamiento químico o eléctrico, p. ej. grabación electrolítica
3065
Grabado por plasma; Grabado mediante iones reactivos
Solicitantes:
住友大阪セメント株式会社 SUMITOMO OSAKA CEMENT CO., LTD. [JP/JP]; 東京都千代田区六番町6番地28 6-28, Rokuban-cho, Chiyoda-ku, Tokyo 1028465, JP
Personas inventoras:
小坂井 守 KOSAKAI Mamoru; JP
尾崎 雅樹 OZAKI Masaki; JP
前田 佳祐 MAEDA Keisuke; JP
Mandataria/o:
西澤 和純 NISHIZAWA Kazuyoshi; JP
佐藤 彰雄 SATO Akio; JP
萩原 綾夏 HAGIWARA Ayaka; JP
Datos de prioridad:
2017-18972029.09.2017JP
Título (EN) ELECTROSTATIC CHUCK DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE MANDRIN ÉLECTROSTATIQUE
(JA) 静電チャック装置
Resumen:
(EN) The purpose of the present invention is to reduce non-uniformity of etching in the plane of a wafer. This electrostatic chuck device is provided with: an electrostatic chuck unit which includes a sample mounting surface for mounting a sample and a first electrode for electrostatic suction; a cooling base unit which is mounted on the opposite side from the sample mounting surface with respect to the electrostatic chuck unit and which cools the electrostatic chuck unit; and an adhesive layer for adhering the electrostatic chuck unit and the cooling base unit to each other. The cooling base unit has the function of a second electrode which is an RF electrode. An RF electrode or a third electrode for LC adjustment is provided between the electrostatic chuck unit and the cooling base unit. The third electrode is adhered to the electrostatic chuck unit and the cooling base unit, and is insulated from the cooling base unit.
(FR) Le but de la présente invention est de réduire la non-uniformité de gravure dans le plan d'une tranche. Ce dispositif de mandrin électrostatique comprend : une unité de mandrin électrostatique qui comprend une surface de montage d'échantillon pour monter un échantillon et une première électrode pour une aspiration électrostatique ; une unité de base de refroidissement qui est montée sur le côté opposé à la surface de montage d'échantillon par rapport à l'unité de mandrin électrostatique et qui refroidit l'unité de mandrin électrostatique ; et une couche adhésive pour faire adhérer l'unité de mandrin électrostatique et l'unité de base de refroidissement l'une à l'autre. L'unité de base de refroidissement a la fonction d'une seconde électrode qui est une électrode RF. Une électrode RF ou une troisième électrode pour ajustement LC est disposée entre l'unité de mandrin électrostatique et l'unité de base de refroidissement. La troisième électrode est collée à l'unité de mandrin électrostatique et à l'unité de base de refroidissement, et est isolée de l'unité de base de refroidissement.
(JA) ウエハの面内のエッチングが不均一になってしまうことを軽減すること。静電チャック装置は、試料を載置する試料載置面を有するとともに静電吸着用の第1の電極を有する静電チャック部と、静電チャック部に対し試料載置面とは反対側に載置され静電チャック部を冷却する冷却ベース部と、静電チャック部と冷却ベース部とを接着する接着層と、を備え、冷却ベース部は、RF電極である第2の電極の機能を有しており、静電チャック部と冷却ベース部との間に、RF電極もしくはLC調整用の第3の電極を有しており、第3の電極は、静電チャック部及び冷却ベース部と接着され、冷却ベース部とは絶縁されている。
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Organización Africana de la Propiedad Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Idioma de publicación: Japonés (JA)
Idioma de la solicitud: Japonés (JA)