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1. (WO2019063967) OFET-BASED ETHYLENE GAS SENSOR
Datos bibliográficos más recientes de la Oficina Internacional    Formular observación

Nº de publicación: WO/2019/063967 Nº de la solicitud internacional: PCT/GB2018/052584
Fecha de publicación: 04.04.2019 Fecha de presentación de la solicitud internacional: 12.09.2018
CIP:
G01N 27/414 (2006.01)
G FISICA
01
METROLOGIA; ENSAYOS
N
INVESTIGACION O ANALISIS DE MATERIALES POR DETERMINACION DE SUS PROPIEDADES QUIMICAS O FISICAS
27
Investigación o análisis de materiales mediante el empleo de medios eléctricos, electroquímicos o magnéticos
26
investigando variables electroquímicas; utilizando la electrólisis o la electroforesis
403
Conjuntos de células y de electrodos
414
Transistores de efecto de campo sensibles a los iones o a los agentes químicos, es decir ISFETS o CHEMFETS
Solicitantes:
CAMBRIDGE DISPLAY TECHNOLOGY LIMITED [GB/GB]; Unit 12 Cardinal Park, Cardinal Way,, Godmanchester Godmanchester Cambridgeshire PE29 2XG, GB (MG)
SUMITOMO CHEMICAL COMPANY LIMITED [JP/JP]; Floor 18, Sumitomo Twin Buildings, 27-1 Shinkawa 2-chome,, Chuo-ku Tokyo, 104-8260, JP
Personas inventoras:
GODDARD, Simon; GB
DARTNELL, Nicholas; GB
Mandataria/o:
GAHLINGS, Steven; GB
Datos de prioridad:
1715683.728.09.2017GB
Título (EN) OFET-BASED ETHYLENE GAS SENSOR
(FR) CAPTEUR DE GAZ ÉTHYLÈNE CONTITUÉ D'UN TEC ORGANIQUE
Resumen:
(EN) An ethylene gas sensor based on an organic field-effect transistor that includes an organic semiconductor layer incorporating a non-conducting polymer. The non-conducting polymer enhances the response of the organic field-effect transistor to presence of ethylene.
(FR) L'invention concerne un capteur de gaz éthylène constitué d'un transistor à effet de champ organique qui comprend une couche semi-conductrice organique contenant un polymère non conducteur. Le polymère non conducteur améliore la réponse du transistor à effet de champ organique à la présence d'éthylène.
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Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Oficina Eurasiática de Patentes (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Oficina Europea de Patentes (OEP) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organización Africana de la Propiedad Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Idioma de publicación: Inglés (EN)
Idioma de la solicitud: Inglés (EN)