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1. (WO2019063413) METHOD FOR PRODUCING A NITROGEN-FREE LAYER COMPRISING SILICON CARBIDE
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Nº de publicación: WO/2019/063413 Nº de la solicitud internacional: PCT/EP2018/075493
Fecha de publicación: 04.04.2019 Fecha de presentación de la solicitud internacional: 20.09.2018
CIP:
H01L 21/02 (2006.01) ,C01B 32/956 (2017.01)
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
21
Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas
02
Fabricación o tratamiento de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas
[IPC code unknown for C01B 32/956]
Solicitantes:
PSC TECHNOLOGIES GMBH [DE/DE]; Berchtesgadener Straße 8 10779 Berlin, DE
Personas inventoras:
GREULICH-WEBER, Siegmund; DE
Mandataria/o:
VON ROHR PATENTANWÄLTE PARTNERSCHAFT MBB; Dr. Alexander Freiherr von Foullon Rüttenscheider Straße 62 45130 Essen, DE
Datos de prioridad:
10 2017 122 708.329.09.2017DE
Título (DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER SILICIUMCARBID AUFWEISENDEN STICKSTOFFFREIEN SCHICHT
(EN) METHOD FOR PRODUCING A NITROGEN-FREE LAYER COMPRISING SILICON CARBIDE
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UNE COUCHE SANS AZOTE, PRÉSENTANT DU CARBURE DE SILICIUM
Resumen:
(DE) Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer dünnen stickstofffreien Schicht aus Siliciumcarbid mittels einer kohlenstoff- und siliciumhaltigen Lösung oder Dispersion.
(EN) The invention relates to a method for producing a thin nitrogen-free layer of silicon carbide by means of a solution or dispersion containing carbon and silicon.
(FR) La présente invention concerne un procédé pour produire une couche mince, sans azote, de carbure de silicium au moyen d'une solution ou d’une dispersion contenant du carbone et du silicium.
Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organización Regional Africana de la Propiedad Intelectual (ORAPI) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Organización Eurasiática de Patentes (OEAP) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Oficina Europea de Patentes (OEP) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organización Africana de la Propiedad Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Idioma de publicación: Alemán (DE)
Idioma de la solicitud: Alemán (DE)