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1. (WO2019060999) INITIATING AND MONITORING THE EVOLUTION OF SINGLE ELECTRONS WITHIN ATOM-DEFINED STRUCTURES
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Nº de publicación: WO/2019/060999 Nº de la solicitud internacional: PCT/CA2018/051224
Fecha de publicación: 04.04.2019 Fecha de presentación de la solicitud internacional: 28.09.2018
CIP:
B82B 3/00 (2006.01) ,G06N 3/08 (2006.01) ,G01Q 60/24 (2010.01) ,G01Q 60/04 (2010.01)
B TECNICAS INDUSTRIALES DIVERSAS; TRANSPORTES
82
NANOTECNOLOGIA
B
NANOESTRUCTURAS FORMADAS POR MANIPULACION DE ATOMOS O MOLECULAS INDIVIDUALES, O COLECCIONES LIMITADAS DE ATOMOS O MOLECULAS COMO UNIDADES DISCRETAS;; SU FABRICACION O TRATAMIENTO
3
Fabricación o tratamiento de nanoestructuras por manipulación de átomos o moléculas individuales, colecciones limitadas de átomos o moléculas como unidades discretas.
G FISICA
06
COMPUTO; CALCULO; CONTEO
N
SISTEMAS DE COMPUTADORES BASADOS EN MODELOS DE CALCULO ESPECIFICOS
3
Sistemas de computadores basados en modelos biológicos
02
que utilizan modelos de redes neuronales
08
Métodos de aprendizaje
G FISICA
01
METROLOGIA; ENSAYOS
Q
TECNICAS O APARATOS DE SONDA DE BARRIDO; APLICACIONES DE TECNICAS DE SONDA DE BARRIDO, p. ej. MICROSCOPIA POR SONDA DE BARRIDO [SMP]
60
Tipos particulares de microscopía por sonda de barrido [SPM] o aparatos empleados; Componentes esenciales al efecto
24
AFM [Microscopía de Fuerza Atómica] o aparatos empleados, p. ej. sondas AFM
G FISICA
01
METROLOGIA; ENSAYOS
Q
TECNICAS O APARATOS DE SONDA DE BARRIDO; APLICACIONES DE TECNICAS DE SONDA DE BARRIDO, p. ej. MICROSCOPIA POR SONDA DE BARRIDO [SMP]
60
Tipos particulares de microscopía por sonda de barrido [SPM] o aparatos empleados; Componentes esenciales al efecto
02
Microscopía por sonda de barrido [SPM] que emplea dos o más técnicas distintas
04
STM [Microscopía de Efecto Túnel] combinada con AFM [Microscopía de Fuerza Atómica]
Solicitantes:
QUANTUM SILICON INC. [CA/CA]; 11421 Saskatchewan Drive Edmonton, Alberta T6G 2M9, CA
Personas inventoras:
WOLKOW, Robert; CA
RASHIDI, Mohammad; CA
VINE, Wyatt; CA
DIENEL, Thomas; CA
LIVADARU, Lucian; CA
HUFF, Taleana; CA
RETALLICK, Jacob; CA
WALUS, Konrad; CA
Mandataria/o:
RIDOUT & MAYBEE LLP; 5500 North Service Road Suite 101 Burlington, Ontario L7L 6W6, CA
LEACH, Steven; CA
Datos de prioridad:
62/564,73428.09.2017US
Título (EN) INITIATING AND MONITORING THE EVOLUTION OF SINGLE ELECTRONS WITHIN ATOM-DEFINED STRUCTURES
(FR) INITIATION ET SURVEILLANCE DE L'ÉVOLUTION D'ÉLECTRONS INDIVIDUELS DANS DES STRUCTURES DÉFINIES PAR UN ATOME
Resumen:
(EN) A method for the patterning and control of single electrons on a surface is provided that includes implementing scanning tunneling microscopy hydrogen lithography with a scanning probe microscope to form charge structures with one or more confined charges; performing a series of field-free atomic force microscopy measurements on the charge structures with different tip heights, where interaction between the tip and the confined charge are elucidated; and adjusting tip heights to controllably position charges within the structures to write a given charge state. The present disclose also provides a Gibb's distribution machine formed with the method for the patterning and control of single electrons on a surface. A multi bit true random number generator and neural network learning hardware formed with the above described method are also provided.
(FR) L'invention concerne un procédé destiné à la formation de motifs et la commande d'électrons individuels sur une surface, qui comprend la mise en œuvre d'une lithographie à l'hydrogène par microscopie à effet tunnel à balayage utilisant un microscope à sonde à balayage pour former des structures de charge comptant au moins une charge confinée ; la réalisation d'une série de mesures de microscopie à force atomique sans champ sur les structures de charge selon différentes hauteurs de pointe, l'interaction entre la pointe et la charge confinée étant élucidée ; et le réglage de hauteurs de pointe pour positionner de manière réglable des charges à l'intérieur des structures, pour écrire un état de charge donné. La présente invention concerne également une machine de distribution de Gibb, formée selon le procédé de formation de motifs et de commande d'électrons individuels sur une surface. L'invention concerne également un générateur de nombres aléatoires vrais multi-bits et un matériel d'apprentissage de réseau neuronal formé selon le procédé décrit ci-dessus.
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Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Oficina Eurasiática de Patentes (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Oficina Europea de Patentes (OEP) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organización Africana de la Propiedad Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Idioma de publicación: Inglés (EN)
Idioma de la solicitud: Inglés (EN)