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1. (WO2019050185) SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
Datos bibliográficos más recientes de la Oficina Internacional    Formular observación

Nº de publicación: WO/2019/050185 Nº de la solicitud internacional: PCT/KR2018/009356
Fecha de publicación: 14.03.2019 Fecha de presentación de la solicitud internacional: 14.08.2018
CIP:
H01L 31/0725 (2012.01) ,H01L 31/0376 (2006.01) ,H01L 31/0368 (2006.01) ,H01L 31/046 (2014.01) ,H01L 31/032 (2006.01) ,H01L 31/18 (2006.01) ,H01L 31/0224 (2006.01)
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
31
Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles
04
adaptados como dispositivos de conversión
06
caracterizados por al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie
072
siendo las barreras de potencial únicamente del tipo PN a heterounión
0725
Células solares a unión múltiple o tandem
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
31
Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles
0248
caracterizados por sus cuerpos semiconductores
036
caracterizados por su estructura cristalina o por la orientación particular de los planos cristalinos
0376
comprendiendo semiconductores amorfos
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
31
Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles
0248
caracterizados por sus cuerpos semiconductores
036
caracterizados por su estructura cristalina o por la orientación particular de los planos cristalinos
0368
comprendiendo semiconductores policristalinos
[IPC code unknown for H01L 31/046]
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
31
Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles
0248
caracterizados por sus cuerpos semiconductores
0256
caracterizados por los materiales
0264
Materiales inorgánicos
032
comprendiendo, aparte de los materiales de dopado u otras impurezas, únicamente compuestos no cubiertos por los gruposH01L31/0272-H01L31/0312225
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
31
Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles
18
Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
31
Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles
02
Detalles
0224
Electrodos
Solicitantes:
엘지전자 주식회사 LG ELECTRONICS INC. [KR/KR]; 서울시 영등포구 여의대로 128 128, Yeoui-daero Yeongdeungpo-gu Seoul 07336, KR
Personas inventoras:
이기원 LEE, Giwon; KR
권정효 KWON, Jeonghyo; KR
심구환 SHIM, Goo Hwan; KR
양영성 YANG, Youngsung; KR
Mandataria/o:
특허법인 대아 DAE-A INTELLECTUAL PROPERTY CONSULTING; 서울시 강남구 역삼로 123 한양빌딩 3층 3F, Hanyang Bldg., 123 Yeoksam-ro Gangnam-gu Seoul 06243, KR
Datos de prioridad:
10-2017-011346305.09.2017KR
10-2017-013404116.10.2017KR
Título (EN) SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) CELLULE SOLAIRE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(KO) 태양전지 및 그 제조 방법
Resumen:
(EN) The present invention relates to a solar cell wherein some of unit layers constituting the solar cell are simultaneously formed such that light transmittance is improved and a current leak is suppressed, through a tunnel junction technology, thereby enabling the solar cell to have excellent temperature characteristics and photoelectric conversion efficiency or materials of the unit layers constituting the solar cell are designed such that photoelectric conversion efficiency is maximized through current matching between solar cells.
(FR) La présente invention concerne une cellule solaire dans laquelle certaines des couches unitaires constituant la cellule solaire sont formées simultanément de manière à améliorer le facteur de transmission lumineuse et à supprimer une fuite de courant, au moyen d'une technologie de jonction tunnel, ce qui permet à la cellule solaire de présenter d'excellentes caractéristiques de température et un excellent rendement de conversion photoélectrique, ou des matériaux des couches unitaires constituant la cellule solaire sont conçus de manière à maximiser le rendement de conversion photoélectrique par adaptation de courant entre cellules solaires.
(KO) 본 발명은 태양전지를 구성하는 단위 층들의 일부를 동시에 형성함으로써 터널 접합 기술에 의해 광투과도를 향상시키고 누설전류를 억제하며 우수한 온도 특성 및 광전 변환 효율을 가지거나 또는 태양전지를 구성하는 단위 층들의 재료를 설계하여 각 태양전지들 사이의 전류 매칭을 통해 광전 변환 효율을 극대화 한 태양전지에 관한 것이다.
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Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Oficina Eurasiática de Patentes (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Oficina Europea de Patentes (OEP) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organización Africana de la Propiedad Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Idioma de publicación: Coreano (KO)
Idioma de la solicitud: Coreano (KO)