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1. (WO2019049780) SEMICONDUCTOR MODULE BONDING STRUCTURE AND BONDING METHOD
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Nº de publicación: WO/2019/049780 Nº de la solicitud internacional: PCT/JP2018/032339
Fecha de publicación: 14.03.2019 Fecha de presentación de la solicitud internacional: 31.08.2018
CIP:
H02M 7/48 (2007.01) ,H01L 23/48 (2006.01) ,H01R 4/02 (2006.01) ,H01R 43/02 (2006.01)
H ELECTRICIDAD
02
PRODUCCION, CONVERSION O DISTRIBUCION DE LA ENERGIA ELECTRICA
M
APARATOS PARA LA TRANSFORMACION DE CORRIENTE ALTERNA EN CORRIENTE ALTERNA, DE CORRIENTE ALTERNA EN CORRIENTE CONTINUA O DE CORRIENTE CONTINUA EN CORRIENTE CONTINUA Y UTILIZADOS CON LAS REDES DE DISTRIBUCION DE ENERGIA O SISTEMAS DE ALIMENTACION SIMILARES; TRANSFORMACION DE UNA POTENCIA DE ENTRADA EN CORRIENTE CONTINUA O ALTERNA EN UNA POTENCIA DE SALIDA DE CHOQUE; SU CONTROL O REGULACION
7
Transformación de una potencia de entrada en corriente alterna en una potencia de salida en corriente continua; Transformación de una potencia de entrada en corriente continua en una potencia de salida en corriente alterna
42
Transformación de una potencia de entrada en corriente continua en una potencia de salida en corriente alterna sin posibilidad de reversibilidad
44
por convertidores estáticos
48
utilizando tubos de descarga con electrodo de control o dispositivos semiconductores con electrodo de control
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
23
Detalles de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido
48
Disposiciones para conducir la corriente eléctrica hacia o desde el cuerpo de estado sólido durante su funcionamiento, p. ej. hilos de conexión o bornes
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
R
CONEXIONES CONDUCTORAS DE ELECTRICIDAD; ASOCIACION ESTRUCTURAL DE UNA PLURALIDAD DE ELEMENTOS DE CONEXION ELECTRICA AISLADOS UNOS DE OTROS; DISPOSITIVOS DE ACOPLAMIENTO; COLECTORES DE CORRIENTE
4
Conexiones conductoras de electricidad entre varios órganos conductores de contacto directo, es decir, que se tocan el uno al otro; Medios para realizar o mantener tales contactos; Conexiones conductoras de electricidad entre varios órganos conductores de contacto directo, es decir, que se tocan el uno al otro; medios para realizar o mantener tales contactos; conexiones conductoras de electricidad con dos o más emplazamientos de conexión espaciados para los conductores y utilizando órganos de contacto que penetran en el aislamiento
02
Conexiones soldadas
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
R
CONEXIONES CONDUCTORAS DE ELECTRICIDAD; ASOCIACION ESTRUCTURAL DE UNA PLURALIDAD DE ELEMENTOS DE CONEXION ELECTRICA AISLADOS UNOS DE OTROS; DISPOSITIVOS DE ACOPLAMIENTO; COLECTORES DE CORRIENTE
43
Aparatos o procedimientos especialmente adaptados a la fabricación, montaje, entretenimiento o la reparación de conectores de líneas o de colectores de corriente o para acoplar conductores eléctricos
02
para conexiones soldadas
Solicitantes:
株式会社デンソー DENSO CORPORATION [JP/JP]; 愛知県刈谷市昭和町1丁目1番地 1-1, Showa-cho, Kariya-city, Aichi 4488661, JP
Personas inventoras:
原田 脩央 HARADA Naohisa; JP
近藤 浩 KONDO Hiroshi; JP
石川 喬介 ISHIKAWA Kyosuke; JP
川出 篤 KAWADE Atsushi; JP
Mandataria/o:
特許業務法人あいち国際特許事務所 AICHI, TAKAHASHI, IWAKURA & ASSOCIATES; 愛知県名古屋市中村区名駅3丁目26番19号 名駅永田ビル Meieki Nagata Building, 26-19, Meieki 3-chome, Nakamura-ku, Nagoya-shi, Aichi 4500002, JP
Datos de prioridad:
2017-17040405.09.2017JP
Título (EN) SEMICONDUCTOR MODULE BONDING STRUCTURE AND BONDING METHOD
(FR) STRUCTURE DE LIAISON DE MODULE À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE LIAISON
(JA) 半導体モジュールの接合構造及び接合方法
Resumen:
(EN) A semiconductor module bonding structure (4a) comprises: a semiconductor module (11) including a semiconductor element (12) and a positive electrode terminal (12p) serving as a plate-like power terminal electrically connected to the semiconductor element (12); and a main P-bus bar (6) serving as a bus bar including a plate-like bonding portion (7) bonded to the positive electrode terminal (12p) of the semiconductor module (11). The positive electrode terminal (12p) of the semiconductor module (11) and the bonding portion (7) of the main P-bus bar (6) are configured such that the positive electrode terminal (12p), which has a relatively smaller plate thickness, has a plate width greater than a plate width of the bonding portion (7), which has a relatively greater plate thickness. The positive electrode terminal (12p) and the bonding portion (7) are bonded to each other by performing fusion-welding in an arrangement in which the respective plate thickness directions are orthogonal to each other.
(FR) L'invention concerne une structure de liaison de module à semi-conducteur (4a) comprenant : un module à semi-conducteur (11) comprenant un élément semi-conducteur (12) et une borne d'électrode positive (12p) servant de borne électrique tabulaire connectée électriquement à l'élément semi-conducteur (12) ; et une barre omnibus P principale (6) servant de barre omnibus comprenant une partie de liaison tabulaire (7) liée à la borne d'électrode positive (12p) du module à semi-conducteur (11). La borne d'électrode positive (12p) du module à semi-conducteur (11) et la partie de liaison (7) de la barre omnibus P principale (6) sont conçues de telle sorte que la borne d'électrode positive (12p), dont l'épaisseur de plaque est relativement plus petite, présente une largeur de plaque supérieure à une largeur de plaque de la partie de liaison (7), dont l'épaisseur de plaque est relativement plus grande. La borne d'électrode positive (12p) et la partie de liaison (7) sont liées l'une à l'autre par réalisation d'un soudage par fusion dans un agencement dans lequel les directions d'épaisseur de plaque respectives sont orthogonales l'une à l'autre.
(JA) 半導体モジュールの接合構造(4a)は、半導体素子(12)と、半導体素子(12)に電気的に接続された板状のパワー端子としての正極端子(12p)と、を有する半導体モジュール(11)と、半導体モジュール(11)の正極端子(12p)に接合された板状の接合部(7)を有するバスバーとしての主Pバスバー(6)と、を備え、半導体モジュール(11)の正極端子(12p)と主Pバスバー(6)の接合部(7)は、相対的に板厚の小さい方である正極端子(12p)の板幅が相対的に板厚の大きい方である接合部(7)の板幅を上回るように構成され、且つそれぞれの板厚方向が互いに直交するように配置された状態で溶融溶接によって接合されている。
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Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Oficina Eurasiática de Patentes (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
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Organización Africana de la Propiedad Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Idioma de publicación: Japonés (JA)
Idioma de la solicitud: Japonés (JA)