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1. (WO2019046630) SEMICONDUCTOR DEVICES, TRANSISTORS, AND RELATED METHODS FOR CONTACTING METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICES
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Nº de publicación: WO/2019/046630 Nº de la solicitud internacional: PCT/US2018/048936
Fecha de publicación: 07.03.2019 Fecha de presentación de la solicitud internacional: 30.08.2018
CIP:
H01L 29/786 (2006.01) ,H01L 29/66 (2006.01) ,H01L 27/105 (2006.01)
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
29
Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos
66
Tipos de dispositivos semiconductores
68
controlables únicamente por la corriente eléctrica suministrada, o la tensión eléctrica aplicada, a un electrodo que no transporta la corriente a rectificar, amplificar o conmutar
76
Dispositivos unipolares
772
Transistores de efecto de campo
78
estando producido el efecto de campo por una puerta aislada
786
Transistores de película delgada
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
29
Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos
66
Tipos de dispositivos semiconductores
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
27
Dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores o de otros componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común
02
incluyendo componentes semiconductores especialmente adaptados para rectificación, amplificación, generación de oscilaciones, conmutación y teniendo al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie.; incluyendo elementos de circuito pasivos integrados con al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie
04
el sustrato común es un cuerpo semiconductor
10
con una pluralidad de componentes individuales en una configuración repetitiva
105
comprendiendo componentes de efecto de campo
Solicitantes:
MICRON TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 8000 South Federal Way Mailstop 1-507 Boise, Idaho 83707, US
Personas inventoras:
RAMASWAMY, Durai Vishak Nirmal; US
GANDHI, Ramanathan; US
SILLS, Scott E.; US
Mandataria/o:
GUTKE, Steven W.; US
BACA, Andrew J.; US
ZIEGLER, Bailey M.; US
BEZDJIAN, Daniel J.; US
BAKER, Gregory C.; US
FLORES, Jesse M.; US
GUNN, J. Jeffrey; US
HAMER, Katherine A.; US
SCHIERMAN, Elizabeth Herbst; US
WALKOWSKI, Joseph A.; US
WHITLOCK, Nathan E.; US
WATSON, James C.; US
WOODHOUSE, Kyle M.; US
Datos de prioridad:
16/118,06430.08.2018US
62/552,80931.08.2017US
Título (EN) SEMICONDUCTOR DEVICES, TRANSISTORS, AND RELATED METHODS FOR CONTACTING METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICES
(FR) DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEUR, TRANSISTORS ET PROCÉDÉS ASSOCIÉS POUR METTRE EN CONTACT DES DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEUR À OXYDE MÉTALLIQUE
Resumen:
(EN) A semiconductor device is disclosed. The semiconductor device includes a transistor including a source contact, a drain contact, and a channel region including an oxide semiconductor material as the channel material. At least one of the drain contact or the source contact include a conductive material, such as Ruthenium, to reduce the Schottky effects at the interface with the channel material.
(FR) La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteur. Le dispositif à semi-conducteur comprend un transistor comprenant un contact de source, un contact de drain et une région de canal comprenant un matériau semi-conducteur à oxyde en tant que matériau de canal. Au moins l'un parmi le contact de drain ou le contact de source comprend un matériau conducteur, tel que le ruthénium, pour réduire les effets de Schottky à l'interface avec le matériau de canal.
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Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Oficina Eurasiática de Patentes (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Oficina Europea de Patentes (OEP) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organización Africana de la Propiedad Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Idioma de publicación: Inglés (EN)
Idioma de la solicitud: Inglés (EN)