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1. (WO2019046197) SEMICONDUCTOR DIE WITH DIFFERENT MAGNETIC TUNNEL JUNCTIONS IN DIFFERENT MAGNETO-RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY ARRAYS
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Nº de publicación: WO/2019/046197 Nº de la solicitud internacional: PCT/US2018/048158
Fecha de publicación: 07.03.2019 Fecha de presentación de la solicitud internacional: 27.08.2018
CIP:
H01L 27/22 (2006.01) ,H01L 43/08 (2006.01) ,H01L 43/12 (2006.01)
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
27
Dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores o de otros componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común
22
con componentes que utilizan los efectos galvanomagnéticos, p. ej. efecto Hall; que utilizan los efectos de campos magnéticos análogos
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
43
Dispositivos que utilizan efectos galvanomagnéticos o efectos magnéticos análogos; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas
08
Resistencias controladas por un campo magnético
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
43
Dispositivos que utilizan efectos galvanomagnéticos o efectos magnéticos análogos; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas
12
Procesos o aparatos específicos para la fabricación o tratamiento de estos dispositivos o de sus elementos
Solicitantes:
QUALCOMM INCORPORATED [US/US]; ATTN: International IP Administration 5775 Morehouse Drive San Diego, California 92121-1714, US
Personas inventoras:
LI, Xia; US
CHEN, Wei-Chuan; US
HSU, Wah Nam; US
KANG, Seung, Hyuk; US
Mandataria/o:
TERRANOVA, Steven, N.; US
Datos de prioridad:
15/688,21228.08.2017US
Título (EN) SEMICONDUCTOR DIE WITH DIFFERENT MAGNETIC TUNNEL JUNCTIONS IN DIFFERENT MAGNETO-RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY ARRAYS
(FR) PUCE SEMI-CONDUCTRICE AYANT DES JONCTIONS À EFFET TUNNEL MAGNÉTIQUES DIFFÉRENTES DANS DES RÉSEAUX DE MÉMOIRE VIVE MAGNÉTO-RÉSISTIVE DIFFÉRENTS
Resumen:
(EN) The energy barrier of a magnetic tunnel junction (MTJ) affects its write performance as the amount of current required to switch the magnetic orientation of a free layer of the MTJ is a function of its energy barrier. Thus, by varying the energy barriers of MTJ stacks (204) in different magneto-resistive random access memory (MRAM) arrays (208) in a semiconductor die (200), different MRAM arrays may be used for different types of memory provided in the semiconductor die while still achieving distinct performance specifications. The energy barriers can be varied by varying the materials, heights, widths, and/or other characteristics of the MTJ stacks.
(FR) Dans la présente invention, la barrière énergétique d'une jonction à effet tunnel magnétique (MTJ) a une incidence sur sa performance d'écriture étant donné que la quantité de courant nécessaire à la commutation de l'orientation magnétique d'une couche libre de la MTJ dépend de sa barrière énergétique. Ainsi, par variation des barrières énergétiques d'empilements MTJ (204) dans des réseaux de mémoire vive magnéto-résistive (MRAM) (208) différents dans une puce semi-conductrice (200), des réseaux de MRAM différents peuvent être utilisés pour des types de mémoire différents compris dans la puce semi-conductrice tout en assurant des spécifications de performance distinctes. On peut faire varier les barrières énergétiques par variation des matériaux, des hauteurs, des largeurs et/ou d'autres caractéristiques des empilements MTJ.
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Organización Regional Africana de la Propiedad Intelectual (ORAPI) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Organización Eurasiática de Patentes (OEAP) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Oficina Europea de Patentes (OEP) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organización Africana de la Propiedad Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Idioma de publicación: Inglés (EN)
Idioma de la solicitud: Inglés (EN)