Parte del contenido de esta aplicación no está disponible en este momento.
Si esta situación persiste, contáctenos aComentarios y contacto
1. (WO2019046064) METHOD OF ETCHING MAGNETORESISTIVE STACK
Datos bibliográficos más recientes de la Oficina Internacional    Formular observación

Nº de publicación: WO/2019/046064 Nº de la solicitud internacional: PCT/US2018/047524
Fecha de publicación: 07.03.2019 Fecha de presentación de la solicitud internacional: 22.08.2018
CIP:
H01L 43/12 (2006.01)
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
43
Dispositivos que utilizan efectos galvanomagnéticos o efectos magnéticos análogos; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas
12
Procesos o aparatos específicos para la fabricación o tratamiento de estos dispositivos o de sus elementos
Solicitantes:
EVERSPIN TECHNOLOGIES, INC. [US/US]; 5670 West Chandler Blvd. Suite 100 Chandler, AZ 85226, US
Personas inventoras:
NAGEL, Kerry, Joseph; US
AGGARWAL, Sanjeev; US
DESHPANDE, Sarin, A.; US
Mandataria/o:
CHANDRAN, Biju; US
Datos de prioridad:
62/551,40029.08.2017US
Título (EN) METHOD OF ETCHING MAGNETORESISTIVE STACK
(FR) PROCÉDÉ DE GRAVURE DE PILE MAGNÉTORÉSISTIVE
Resumen:
(EN) Magnetoresistive bit fabrication includes etching through at least a portion of a thickness of a surface region including a hard mask to create a first set of exposed areas in the form of multiple parallel strips extending in a first direction, etching through at least a portion of a thickness of the surface region to create a second set of exposed areas in the form of multiple parallel strips extending in a second direction, preferably transverse to the first direction, and etching through at least a portion of the thickness of the magnetoresistive stack through the first and second sets of exposed areas.
(FR) Selon l'invention, la fabrication de fragments magnétorésistifs consiste à effectuer une gravure à travers au moins une partie d'une épaisseur d'une région de surface comprenant un masque dur pour créer un premier ensemble de zones exposées sous forme de multiples bandes parallèles s'étendant dans une première direction, à effectuer une gravure à travers au moins une partie d'une épaisseur de la région de surface pour créer un second ensemble de zones exposées sous forme de multiples bandes parallèles s'étendant dans une seconde direction, de préférence transversale à la première direction, et à effectuer une gravure à travers au moins une partie de l'épaisseur de l'empilement magnétorésistif à travers les premier et second ensembles de zones exposées.
front page image
Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Oficina Eurasiática de Patentes (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Oficina Europea de Patentes (OEP) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organización Africana de la Propiedad Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Idioma de publicación: Inglés (EN)
Idioma de la solicitud: Inglés (EN)