Parte del contenido de esta aplicación no está disponible en este momento.
Si esta situación persiste, contáctenos aComentarios y contacto
1. (WO2019045880) WAFERS HAVING III-NITRIDE AND DIAMOND LAYERS
Datos bibliográficos más recientes de la Oficina Internacional    Formular observación

Nº de publicación: WO/2019/045880 Nº de la solicitud internacional: PCT/US2018/041172
Fecha de publicación: 07.03.2019 Fecha de presentación de la solicitud internacional: 08.07.2018
CIP:
H01L 21/02 (2006.01) ,H01L 21/78 (2006.01)
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
21
Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas
02
Fabricación o tratamiento de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
21
Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas
70
Fabricación o tratamiento de dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes de estado sólido o de circuitos integrados formados en o sobre un sustrato común, o de partes constitutivas específicas de éstos; Fabricación de dispositivos de circuito integrado o de partes constitutivas específicas de éstos
77
Fabricación o tratamiento de dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes de estado sólido o circuitos integrados formados en o sobre un sustrato común
78
con una división ulterior del sustrato en una pluralidad de componentes individuales
Solicitantes:
RFHIC CORPORATION [US/US]; 920 Morrisville Pkwy Morrisville, North Carolina 27560, US
Personas inventoras:
CHO, Sam Yul; US
LEE, Won Sang; US
Mandataria/o:
PARK, Chung Sik; US
Datos de prioridad:
15/693,33331.08.2017US
Título (EN) WAFERS HAVING III-NITRIDE AND DIAMOND LAYERS
(FR) PLAQUETTES AYANT DES COUCHES DE NITRURE III ET DE DIAMANT
Resumen:
(EN) Wafers (1309) including a diamond layer (1306) and a semiconductor layer (1310) having III-Nitride compounds and methods for fabricating the wafers (1309) are provided. A first SiC layer (1304) is formed on a silicon substrate (1302), and using a carbon containing gas, a surface of the first SiC layer (1304) is carbonized to form carbon particles on the SiC layer. Then, a diamond layer (1306) is grown on the carbonized surface, where the carbon atoms act as seed particles for growing the diamond layer. A second SiC layer (1308) is formed on the diamond layer (1306) and a semiconductor layer (1310) having III-Nitride compounds is formed on the second SiC layer (1308). Then, the silicon substrate (1302) and the first SiC layer (1304) are removed.
(FR) L'invention concerne des plaquettes (1309) comprenant une couche de diamant (1306) et une couche semi-conductrice (1310) ayant des composés de nitrure III, et des procédés de fabrication des plaquettes (1309). Une première couche de SiC (1304) est formée sur un substrat de silicium (1302), et à l'aide d'un gaz contenant du carbone, une surface de la première couche de SiC (1304) est carbonisée pour former des particules de carbone sur la couche de SiC. Ensuite, une couche de diamant (1306) est développée sur la surface carbonisée, où les atomes de carbone agissent en tant que particules de germe pour faire croître la couche de diamant. Une seconde couche de SiC (1308) est formée sur la couche de diamant (1306), et une couche semi-conductrice (1310) ayant des composés de nitrure III est formée sur la seconde couche de SiC (1308). Ensuite, le substrat de silicium (1302) et la première couche de SiC (1304) sont retirés.
front page image
Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Oficina Eurasiática de Patentes (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Oficina Europea de Patentes (OEP) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organización Africana de la Propiedad Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Idioma de publicación: Inglés (EN)
Idioma de la solicitud: Inglés (EN)