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1. (WO2019045652) PHOTODETECTOR
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Nº de publicación: WO/2019/045652 Nº de la solicitud internacional: PCT/SG2018/050446
Fecha de publicación: 07.03.2019 Fecha de presentación de la solicitud internacional: 04.09.2018
CIP:
H01L 31/0232 (2014.01) ,H01L 31/0304 (2006.01) ,H01L 31/105 (2006.01)
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
31
Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles
02
Detalles
0232
Elementos o disposiciones ópticas asociados al dispositivo
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
31
Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles
0248
caracterizados por sus cuerpos semiconductores
0256
caracterizados por los materiales
0264
Materiales inorgánicos
0304
comprendiendo, aparte de los materiales de dopado u otras impurezas, únicamente compuestos AIIIBV
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
31
Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles
08
en los que la radiación controla el flujo de corriente a través del dispositivo, p. ej. fotorresistencias
10
caracterizados por al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie, p. ej. fototransistores
101
Dispositivos sensibles a la radiación infrarroja, visible o ultravioleta
102
caracterizados por una sola barrera de potencial o de superficie
105
siendo la barrera de potencial de tipo PIN
Solicitantes:
NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY [SG/SG]; 50 Nanyang Avenue, Singapore 639798, SG
THALES SOLUTIONS ASIA PTE LTD [SG/SG]; 21 Changi North Rise, Singapore 498788, SG
CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE [FR/FR]; 3 rue Michel-Ange, 75794 Paris Cedex 16, FR
Personas inventoras:
ZHANG, Dao Hua; SG
TONG, Jinchao; SG
TOBING, Landobasa Yosef Mario Alexander Lumban; SG
QIU, Shupeng; SG
Mandataria/o:
ONG, Jean Li, Magdelene; SG
Datos de prioridad:
10201707146W04.09.2017SG
Título (EN) PHOTODETECTOR
(FR) PHOTODÉTECTEUR
Resumen:
(EN) A photodetector (10) is provided. The photodetector (10) includes a substrate (12), a p-type semiconductor region (14) on the substrate (12), an intrinsic semiconductor region (16) on the p-type semiconductor region (14), an n-type semiconductor region (18) on the intrinsic semiconductor region (16), a surface plasmonic structure (20) on the n-type semiconductor region (18), a cathode (22) electrically connected to the n-type semiconductor region (18), and an anode (24) electrically connected to the p-type semiconductor region (14).
(FR) L'invention concerne un photodétecteur (10). Le photodétecteur (10) comprend un substrat (12), une région semi-conductrice de type p (14) sur le substrat (12), une région semi-conductrice intrinsèque (16) sur la région semi-conductrice de type p (14), une région semi-conductrice de type n (18) sur la région semi-conductrice intrinsèque (16), une structure plasmonique de surface (20) sur la région semi-conductrice de type n (18), une cathode (22) connectée électriquement à la région semi-conductrice de type n (18), et une anode (24) connectée électriquement à la région semi-conductrice de type p (14).
front page image
Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Oficina Eurasiática de Patentes (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Oficina Europea de Patentes (OEP) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organización Africana de la Propiedad Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Idioma de publicación: Inglés (EN)
Idioma de la solicitud: Inglés (EN)