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1. (WO2019045435) LIGHT EMITTING DIODE APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
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Nº de publicación: WO/2019/045435 Nº de la solicitud internacional: PCT/KR2018/009954
Fecha de publicación: 07.03.2019 Fecha de presentación de la solicitud internacional: 29.08.2018
CIP:
H01L 33/00 (2010.01) ,H01L 33/36 (2010.01) ,H01L 33/10 (2010.01) ,H01L 33/62 (2010.01)
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
33
Dispositivos semiconductores que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie especialmente adaptados para la emisión de luz; Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Detalles
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
33
Dispositivos semiconductores que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie especialmente adaptados para la emisión de luz; Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Detalles
36
caracterizados por los electrodos
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
33
Dispositivos semiconductores que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie especialmente adaptados para la emisión de luz; Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Detalles
02
caracterizados por los cuerpos de semiconductores
10
con una estructura reflectante, p. ej. reflector de Bragg de semiconductor
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
33
Dispositivos semiconductores que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie especialmente adaptados para la emisión de luz; Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Detalles
48
caracterizados por el empaquetamiento del cuerpo de semiconductores
62
Disposiciones para llevar la corriente eléctrica a o desde el cuerpo de semiconductores, p. ej. leadframes, hilos de conexión o bolas de soldadura
Solicitantes:
SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. [KR/KR]; 129, Samsung-ro, Yeongtong-gu Suwon-si Gyeonggi-do 16677, KR
Personas inventoras:
KIM, Jae-seok; KR
KANG, Jin-hee; KR
KANG, Ji-hoon; KR
Mandataria/o:
KIM, Tae-hun; KR
JEONG, Hong-sik; KR
Datos de prioridad:
10-2017-011208601.09.2017KR
Título (EN) LIGHT EMITTING DIODE APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
(FR) APPAREIL À DIODES ÉLECTROLUMINESCENTES ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Resumen:
(EN) A method of manufacturing a light emitting diode is provided. The method includes forming a semiconductor layer on a substrate, forming a mask layer including a plurality of grooves on the semiconductor layer, forming a plurality of nanostructures in the plurality of grooves, respectively, forming an etched region by etching an outer region of the semiconductor layer and an inner region of the semiconductor layer different from the outer region, forming a first electrode on the etched region of the semiconductor layer, forming an insulation layer on the first electrode, and forming a second electrode on the insulation layer and the plurality of nanostructures.
(FR) L'invention concerne un procédé de fabrication de diode électroluminescente. Le procédé consiste à : former une couche semi-conductrice sur un substrat, former une couche de masque comprenant une pluralité de rainures sur la couche semi-conductrice, former une pluralité de nanostructures dans la pluralité de rainures, respectivement, former une région gravée par gravure d'une région externe de la couche semi-conductrice et d'une région interne de la couche semi-conductrice différente de la région externe, former une première électrode sur la région gravée de la couche semi-conductrice, former une couche d'isolation sur la première électrode, et former une seconde électrode sur la couche d'isolation et la pluralité de nanostructures.
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Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Oficina Eurasiática de Patentes (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Oficina Europea de Patentes (OEP) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organización Africana de la Propiedad Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Idioma de publicación: Inglés (EN)
Idioma de la solicitud: Inglés (EN)