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1. (WO2019045126) THIN FILM GETTER AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
Datos bibliográficos más recientes de la Oficina Internacional    Formular observación

Nº de publicación: WO/2019/045126 Nº de la solicitud internacional: PCT/KR2017/009389
Fecha de publicación: 07.03.2019 Fecha de presentación de la solicitud internacional: 28.08.2017
CIP:
H01L 21/322 (2006.01) ,H01L 21/02 (2006.01) ,H01L 21/324 (2006.01)
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
21
Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas
02
Fabricación o tratamiento de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas
04
los dispositivos presentan al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie, p. ej. una unión PN, una región de empobrecimiento, o una región de concentración de portadores de cargas
18
los dispositivos tienen cuerpos semiconductores que incluyen elementos del cuarto grupo de la Tabla Periódica, o de compuestos AIIIBVcon o sin impurezas, p. ej. materiales de dopado
30
Tratamiento de cuerpos semiconductores utilizando procesos o aparatos no cubiertos por los gruposH01L21/20-H01L21/26204
322
para modificar sus propiedades internas, p. ej. para producir defectos internos
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
21
Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas
02
Fabricación o tratamiento de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
21
Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas
02
Fabricación o tratamiento de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas
04
los dispositivos presentan al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie, p. ej. una unión PN, una región de empobrecimiento, o una región de concentración de portadores de cargas
18
los dispositivos tienen cuerpos semiconductores que incluyen elementos del cuarto grupo de la Tabla Periódica, o de compuestos AIIIBVcon o sin impurezas, p. ej. materiales de dopado
30
Tratamiento de cuerpos semiconductores utilizando procesos o aparatos no cubiertos por los gruposH01L21/20-H01L21/26204
324
Tratamiento térmico para modificar las propiedades de los cuerpos semiconductores, p. ej. recocido, sinterización
Solicitantes:
한양대학교에리카산학협력단 INDUSTRY-UNIVERSITY COOPERATION FOUNDATION HANYANG UNIVERSITY ERICA CAMPUS [KR/KR]; 경기도 안산시 상록구 한양대학로 55 55, Hanyangdaehak-ro Sangrok-gu Ansan-si Gyeonggi-do 15588, KR
Personas inventoras:
좌용호 CHOA, Yongho; KR
임효령 LIM, Hyoryoung; KR
엄누시아 EOM, Nusia; KR
Mandataria/o:
박상열 PARK, Sangyoul; KR
Datos de prioridad:
Título (EN) THIN FILM GETTER AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) GETTER EN COUCHE MINCE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(KO) 박막 게터, 및 그 제조 방법
Resumen:
(EN) A thin film getter is provided. The thin film getter comprises a substrate and an absorption layer on the substrate, wherein the absorption layer comprises a getter material for absorbing target gas and an auxiliary material for providing a moving path of the target gas, and the getter material can be divided into a plurality of getter regions by the auxiliary material.
(FR) La présente invention porte sur un getter en couche mince. Le getter en couche mince comprend un substrat et une couche d'absorption sur le substrat, la couche d'absorption comprenant un matériau getter pour absorber un gaz cible et un matériau auxiliaire pour fournir un trajet de déplacement du gaz cible, et le matériau getter peut être divisé en une pluralité de régions getter par le matériau auxiliaire.
(KO) 박막 게터가 제공된다. 기판, 및 상기 기판 상의 흡수층을 포함하되, 상기 흡수층은, 타겟 가스를 흡수하는 게터재, 및 상기 타겟 가스의 이동 경로를 제공하는 보조재를 포함하되, 상기 게터재는, 상기 보조재에 의해 복수의 게터 영역으로 구분될 수 있다.
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Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Oficina Eurasiática de Patentes (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Oficina Europea de Patentes (OEP) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organización Africana de la Propiedad Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Idioma de publicación: Coreano (KO)
Idioma de la solicitud: Coreano (KO)