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1. (WO2019045088) HIGH FREQUENCY MODULE AND METHOD FOR PRODUCING SAME
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Nº de publicación: WO/2019/045088 Nº de la solicitud internacional: PCT/JP2018/032529
Fecha de publicación: 07.03.2019 Fecha de presentación de la solicitud internacional: 03.09.2018
CIP:
H01L 23/00 (2006.01) ,H01L 21/56 (2006.01) ,H01L 23/02 (2006.01) ,H01L 25/04 (2014.01) ,H01L 25/065 (2006.01) ,H01L 25/07 (2006.01) ,H01L 25/18 (2006.01) ,H05K 1/02 (2006.01) ,H05K 3/00 (2006.01) ,H05K 3/28 (2006.01) ,H05K 9/00 (2006.01)
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
23
Detalles de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
21
Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas
02
Fabricación o tratamiento de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas
04
los dispositivos presentan al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie, p. ej. una unión PN, una región de empobrecimiento, o una región de concentración de portadores de cargas
50
Ensamblaje de dispositivos semiconductores utilizando procesos o aparatos no cubiertos por un único grupo deH01L21/06-H01L21/326215
56
Encapsulación, p. ej. capas de encapsulado, revestimientos
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
23
Detalles de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido
02
Contenedores; Sellado
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
25
Conjuntos consistentes en una pluralidad de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido
03
siendo todos los dispositivos de un tipo previsto en el mismo subgrupo de los gruposH01L27/-H01L51/191
04
los dispositivos no tienen contenedores separados
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
25
Conjuntos consistentes en una pluralidad de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido
03
siendo todos los dispositivos de un tipo previsto en el mismo subgrupo de los gruposH01L27/-H01L51/191
04
los dispositivos no tienen contenedores separados
065
siendo los dispositivos de un tipo previsto en el grupoH01L27/107
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
25
Conjuntos consistentes en una pluralidad de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido
03
siendo todos los dispositivos de un tipo previsto en el mismo subgrupo de los gruposH01L27/-H01L51/191
04
los dispositivos no tienen contenedores separados
07
siendo los dispositivos de un tipo previsto en el grupoH01L29/107
H ELECTRICIDAD
01
ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR
25
Conjuntos consistentes en una pluralidad de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido
18
siendo los dispositivos de tipos previstos en varios subgrupos diferentes del mismo grupo principal de los gruposH01L27/-H01L51/220
H ELECTRICIDAD
05
TECNICAS ELECTRICAS NO PREVISTAS EN OTRO LUGAR
K
CIRCUITOS IMPRESOS; ENVOLTURAS O DETALLES DE REALIZACION DE APARATOS ELECTRICOS; FABRICACION DE CONJUNTOS DE COMPONENTES ELECTRICOS
1
Circuitos impresos
02
Detalles
H ELECTRICIDAD
05
TECNICAS ELECTRICAS NO PREVISTAS EN OTRO LUGAR
K
CIRCUITOS IMPRESOS; ENVOLTURAS O DETALLES DE REALIZACION DE APARATOS ELECTRICOS; FABRICACION DE CONJUNTOS DE COMPONENTES ELECTRICOS
3
Aparatos o procedimientos para la fabricación de circuitos impresos
H ELECTRICIDAD
05
TECNICAS ELECTRICAS NO PREVISTAS EN OTRO LUGAR
K
CIRCUITOS IMPRESOS; ENVOLTURAS O DETALLES DE REALIZACION DE APARATOS ELECTRICOS; FABRICACION DE CONJUNTOS DE COMPONENTES ELECTRICOS
3
Aparatos o procedimientos para la fabricación de circuitos impresos
22
Tratamientos secundarios de circuitos impresos
28
Aplicación de revestimiento de protección no metálicos
H ELECTRICIDAD
05
TECNICAS ELECTRICAS NO PREVISTAS EN OTRO LUGAR
K
CIRCUITOS IMPRESOS; ENVOLTURAS O DETALLES DE REALIZACION DE APARATOS ELECTRICOS; FABRICACION DE CONJUNTOS DE COMPONENTES ELECTRICOS
9
Blindaje de aparatos o de componentes contra los campos eléctricos o magnéticos
Solicitantes:
株式会社村田製作所 MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 京都府長岡京市東神足1丁目10番1号 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555, JP
Personas inventoras:
大坪 喜人 OTSUBO, Yoshihito; JP
山口 理 YAMAGUCHI, Osamu; JP
Mandataria/o:
梁瀬 右司 YANASE, Yuji; JP
木村 公一 KIMURA, Koichi; JP
丸山 陽介 MARUYAMA, Yosuke; JP
Datos de prioridad:
2017-16927404.09.2017JP
Título (EN) HIGH FREQUENCY MODULE AND METHOD FOR PRODUCING SAME
(FR) MODULE HAUTE FRÉQUENCE ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
(JA) 高周波モジュールおよびその製造方法
Resumen:
(EN) Provided is a high frequency module which has stable shielding performance, and wherein a shield layer and a ground electrode of an external substrate are connected to each other by a conductor pin, thereby decreasing the shield resistance. A high frequency module 1 according to the present invention is provided with: a substrate 2; a first component 4 that is mounted on an upper surface 2a of the substrate 2; a second component 5 that is mounted on a lower surface 2b of the substrate 2; an upper sealing resin layer 6 and a lower sealing resin layer 7; a conductor pin 8; and a shield layer 9. The conductor pin 8 has: a terminal part 8a which is exposed from a lower surface 7a of the lower sealing resin layer 7 and is connected to a ground electrode of an external substrate; and a shield connection part 8b which is exposed from a lateral surface 7b of the lower sealing resin layer 7 and is connected to the shield layer 9. Since the terminal part 8a of the conductor pin 8 is connected to the ground electrode, the shield layer 9 is connected to the ground potential with the shortest distance and thus the shield resistance is able to be decreased.
(FR) L'invention concerne un module haute fréquence dont la performance de blindage est stable, et dans lequel une couche de blindage et une électrode de masse d'un substrat externe sont connectées l'une à l'autre au moyen d'une broche conductrice, réduisant ainsi la résistance de blindage. Le module haute fréquence (1) comprend : un substrat (2) ; un premier composant (4) qui est monté sur une surface supérieure (2a) du substrat (2) ; un second composant (5) qui est monté sur une surface inférieure (2b) du substrat (2) ; une couche de résine d'étanchéité supérieure (6) et une couche de résine d'étanchéité inférieure (7) ; une broche conductrice (8) ; et une couche de blindage (9). La broche conductrice (8) présente : une partie borne (8a) qui est exposée depuis une surface inférieure (7a) de la couche de résine d'étanchéité inférieure (7) et connectée à une électrode de masse d'un substrat externe ; et une partie connexion de blindage (8b) qui est exposée depuis une surface latérale (7b) de la couche de résine d'étanchéité inférieure (7) et connectée à la couche de blindage (9). Étant donné que la partie borne (8a) de la broche conductrice (8) est connectée à l'électrode de masse, la couche de blindage (9) est connectée au potentiel de masse par la distance la plus courte, d'où une diminution de la résistance de blindage.
(JA) シールド層と外部基板のグランド電極を導体ピンにより接続し、シールド抵抗を下げ、シールド性能の安定した高周波モジュールを提供する。 高周波モジュール1は、基板2と基板2の上面2aに実装された第1部品4と、基板2の下面2bに実装された第2部品5と、上側封止樹脂層6および下側封止樹脂層7と、導体ピン8と、シールド層9とを備える。導体ピン8は、下側封止樹脂層7の下面7aから露出し外部基板のグランド電極に接続される端子部8aと、下側封止樹脂層7の側面7bから露出しシールド層9に接続されるシールド接続部8bとを有する。導体ピン8の端子部8aがグランド電極に接続されることにより、シールド層9が最短距離でグランド電位に接続され、シールド抵抗を下げることができる。
front page image
Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organización Regional Africana de la Propiedad Intelectual (ORAPI) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Organización Eurasiática de Patentes (OEAP) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Oficina Europea de Patentes (OEP) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organización Africana de la Propiedad Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Idioma de publicación: Japonés (JA)
Idioma de la solicitud: Japonés (JA)